3.4 TTL门电路

 

3.4 TTL门电路

3.4.1 双极型三极管的开关特性

TTL是三极管-三极管逻辑(Transistor-Transistor Logic)的简称。因为TTL集成电路中采用双极型三极管作为开关器件，所以在介绍TTL电路之前，我们首先需要了解一下双极型三极管的开关特性。

一、双极型三极管的结构

一个独立的双极型三极管由管芯、三个引出电极和外壳组成。三个电极分别称为基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。外壳的形状和所用材料各不相同。管芯由三层P型和N型半导体结合在一起而构成，有NPN型和PNP型两种，它们的示意图如图3.4.1所示。因为在工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称这类三极管为双极型三极管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT）。

图3.4.1 双极型三极管的两种类型

(a) NPN型 (b) PNP型

二、双极型三极管的输入特性和输出特性

若以基极b和发射极e之间的发射结作为输入回路，则可以测出表示输入电压 𝑣𝐵𝐸vBE​ 和输入电流 𝑖𝐵iB​ 之间关系的特性曲线，如图3.4.2(a)所示。这个曲线称为输入特性曲线。由图可见，这个曲线近似于指数曲线。为了简化分析计算，经常采用图中虚线所示的折线来近似。图中的 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)VBE(on)​ 称为开启电压。硅三极管的 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)VBE(on)​ 为0.5~0.7 V，锗三极管的 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)VBE(on)​ 为0.2-0.3 V。

图3.4.2 双极型三极管的特性曲线

(a) 输入特性曲线 (b) 输出特性曲线

若以集电极c和发射极e之间的回路作为输出回路，则可测出在不同 𝑖𝐵iB​ 值下表示集电极电流 𝑖𝐶iC​ 和集电极电压 𝑣𝐶𝐸vCE​ 之间关系的曲线，如图3.4.2(b)所示。这一族曲线称为输出特性曲线。由图可知，集电极电流 𝑖𝐶iC​ 不仅受 𝑣𝐶𝐸vCE​ 的影响，还受输入的基极电流 𝑖𝐵iB​ 的控制。输出特性曲线明显地分成三个区域。

• 放大区：曲线右边水平的部分称为放大区（或者叫线性区）。放大区的特点是 𝑖𝐶iC​ 随 𝑖𝐵iB​ 成正比地变化，而几乎不受 𝑣𝐶𝐸vCE​ 变化的影响。 𝛽=Δ𝑖𝐶Δ𝑖𝐵β=ΔiB​ΔiC​​ 称为电流放大系数，普通三极管的 𝛽β 值多在几十到几百的范围内。
• 饱和区：曲线靠近纵坐标轴的部分称为饱和区。饱和区的特点是 𝑖𝐶iC​ 不再随 𝑖𝐵iB​ 以 𝛽β 倍的比例增加而趋向于饱和。硅三极管开始进入饱和区的 𝑉𝐶𝐸VCE​ 值约为0.6~0.7V。在深度饱和状态下，集电极和发射极间的饱和压降 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)VCE(sat)​ 在0.2V以下。
• 截止区：图3.4.2(b)中 𝑖𝐵=0iB​=0 的一条输出特性曲线以下的区域称为截止区。截止区的特点是 𝑖𝐶iC​ 几乎等于零。这时仅有极微小的反向穿透电流 𝐼𝐶𝐵𝑂ICBO​ 流过。硅三极管的 𝐼𝐶𝐵𝑂ICBO​ 通常都在1μA以下。

三、双极型三极管的基本开关电路——三极管反相器

用NPN型三极管取代图3.1.1(a)中的开关S，就得到了图3.4.3所示的三极管开关电路。只要电路的参数配合得当，必能做到输入电压 𝑣𝑖𝑛vin​ 为低电平时三极管工作在截止状态，输出为高电平；而 𝑣𝑖𝑛vin​ 为高电平时三极管工作在饱和状态，输出为低电平。因此，这就是一个反相器电路。

图3.4.3 三极管反相器的基本开关电路

• 当输入电压 𝑣𝑖𝑛=0vin​=0 时，三极管的 𝑖𝐵=0iB​=0。由图3.4.2(a) 所示的输入特性曲线可知，这时 𝑖𝐵=0iB​=0，三极管处于截止状态。如果采用图3.4.2(a)中折线化的近似输入特性，则近似地认为在 𝑣𝑖𝑛<𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)vin​<VBE(on)​ 时三极管已处于截止状态， 𝑖𝐵=0iB​=0。由输出特性曲线可以看到， 𝑖𝐶=0iC​=0 时， 𝑣𝐶𝐸=𝑉𝐶𝐶vCE​=VCC​，电阻 𝑅𝐶RC​ 上没有压降。因此，三极管开关电路的输出为高电平 𝑉𝑜𝑢𝑡Vout​，且 𝑉𝑜𝑢𝑡=𝑉𝐶𝐶Vout​=VCC​。
• 当 𝑣𝑖𝑛>𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)vin​>VBE(on)​ 时，有 𝑖𝐵iB​ 产生，同时有相应的集电极电流 𝑖𝐶iC​ 流过 𝑅𝐶RC​ 和三极管的输出回路，三极管开始进入放大区。根据折线化的输入特性可近似地求出基极电流为 𝑖𝐵=𝑣𝑖𝑛−𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)𝑅𝐵iB​=RB​vin​−VBE(on)​​。
• 若三极管的电流放大系数为 𝛽β，则得到 𝑖𝐶=𝛽𝑖𝐵iC​=βiB​。此时集电极电压为 𝑣𝐶𝐸=𝑉𝐶𝐶−𝑖𝐶𝑅𝐶vCE​=VCC​−iC​RC​。

在给出输出特性曲线的条件下，也可以用非线性电路的图解法，求出给定电路参数下 𝑣𝐶𝐸vCE​ 的具体数值。图解法的原理如图3.4.4所示。

图3.4.4 用图解法分析图3.4.3电路

• 当 𝑣𝑖𝑛vin​ 继续升高时 𝑖𝐵iB​ 增加， 𝑅𝐶RC​ 上的压降也随之增大。当 𝑅𝐶RC​ 上的压降接近电源电压 𝑉𝐶𝐶VCC​ 时，三极管上的压降将接近于零，三极管的 𝑣𝐶𝐸vCE​ 之间最后只有一个很小的饱和导通压降和很小的饱和导通内阻，三极管处于深度饱和状态，开关电路处于导通状态，输出端为低电平， 𝑣𝑜𝑢𝑡=𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)≈0vout​=VCE(sat)​≈0。

若以 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)VCE(sat)​ 表示三极管深度饱和时的压降，以 𝑅𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)RCE(sat)​ 表示深度饱和时的导通内阻，则由图3.4.4(a) 可求出深度饱和时三极管所需要的基极电流为 𝑖𝐵(𝑠𝑎𝑡)=𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)𝑅𝐵iB(sat)​=RB​VCC​−VCE(sat)​​。

综上所述，只要合理地选择电路参数，保证当 𝑣𝑖𝑛vin​ 为低电平时 𝑖𝐵<𝐼𝐵(𝑠𝑎𝑡)iB​<IB(sat)​，三极管工作在截止状态；而 𝑣𝑖𝑛vin​ 为高电平时 𝑖𝐵≥𝐼𝐵(𝑠𝑎𝑡)iB​≥IB(sat)​，三极管工作在深度饱和状态，则三极管的 𝑣𝐶𝐸vCE​ 间就相当于一个受 𝑣𝑖𝑛vin​ 控制的开关。

四、三极管反相器的开关等效电路

根据以上的分析，我们可以将三极管开关状态下的等效电路画成如图3.4.5所示的形式。由于截止状态下的 𝑖𝐶iC​ 和 𝑣𝐶𝐸vCE​ 等于零，所以等效电路画成图(a)的形式。图(b)为饱和导通下的等效电路，图中的 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)VBE(on)​ 是发射结b-e的开启电压， 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)VCE(sat)​ 和 𝑅𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)RCE(sat)​ 是c-e间的饱和导通压降和饱和导通内阻。在电源电压远大于 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)VBE(on)​ 且外接负载电阻远大于 𝑅𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)RCE(sat)​ 的情况下，可以将饱和导通状态的等效电路简化为图(c)的形式。

图3.4.5 双极型三极管的开关等效电路

(a) 截止状态 (b) 饱和导通状态 (c) 简化等效电路

用双极型三极管的等效电路代替图3.4.3中的三极管，就得到了图3.4.6中的三极管反相器的等效电路。

图3.4.6 双极型三极管反相器的等效电路

(a) 反相器电路 (b) 输入低电平时的等效电路 (c) 输入高电平时的等效电路

由图可见，输入高电平时电源电压全部加在电阻 𝑅𝐶RC​ 上，电路的功耗很大；而输入低电平时三极管截止，电路的输出电阻很大（等于 𝑅𝐶RC​）。因此，这个电路不宜作为集成电路的基本单元。在下一节里我们将会看到，在双极型的TTL集成电路中，反相器的输出端也采用了类似于CMOS反相器的结构，即使用另一只三极管代替 𝑅𝐶RC​，并且保证无论输出为高电平还是低电平时，输出级两个串联的三极管当中，总是一个导通而另一个截止。

五、双极型三极管反相器的动态开关特性

在动态情况下，亦即三极管在截止与饱和导通两种状态间迅速转换时，三极管内部电荷的建立和消散都需要一定的时间，因而集电极电流 𝑖𝐶iC​ 的变化将滞后于输入电压 𝑣𝑖𝑛vin​ 的变化。在接成三极管开关电路以后，开关电路的输出电压 𝑣𝑜𝑢𝑡vout​ 的变化也必然滞后于输入电压 𝑣𝑖𝑛vin​ 的变化，如图3.4.7所示。这种滞后现象也可以用三极管的b-e间、c-e间都存在结电容效应来理解。

图3.4.7 双极型三极管的动态开关特性

例3.4.1

在图3.4.8所示的反相器电路中，已知 𝑉𝐶𝐶=5𝑉VCC​=5V， 𝑅𝐵=4𝑘ΩRB​=4kΩ， 𝑅𝐶=1.6𝑘ΩRC​=1.6kΩ，二极管 𝐷1D1​、𝐷2D2​、𝐷3D3​ 的正向导通压降为0.7V，三极管发射结（b-e结）的开启电压 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)=0.7𝑉VBE(on)​=0.7V。三极管的饱和导通压降和饱和导通内阻可以忽略不计。若输入信号的高、低电平分别为3.4V和0.2V，试计算：

1. 三极管的电流放大系数 𝛽β 值应取为多少，才能保证输入高电平信号时三极管饱和导通？
2. 输出的高、低电平值。

图3.4.8 例3.4.1 电路

解答：

1. 根据式(3.4.4)可知，如果图3.4.8电路中的三极管工作在饱和状态，则可得：

𝛽=(𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛))𝑅𝐵(𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐷1−𝑉𝐷2−𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛))𝑅𝐶β=(VCC​−VD1​−VD2​−VBE(on)​)RC​(VCC​−VBE(on)​)RB​​

由于输入高电平信号时二极管 𝐷1D1​ 截止，于是得到：

𝛽=(𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛))𝑅𝐵(𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐷2−𝑉𝐷3−𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛))𝑅𝐶=(5𝑉−0.7𝑉)×4𝑘Ω(5𝑉−0.7𝑉−0.7𝑉−0.7𝑉)×1.6𝑘Ω≈3.7β=(VCC​−VD2​−VD3​−VBE(on)​)RC​(VCC​−VBE(on)​)RB​​=(5V−0.7V−0.7V−0.7V)×1.6kΩ(5V−0.7V)×4kΩ​≈3.7

因此，三极管的电流放大系数必须大于3.7。

1. 输入为低电平0.2V时，𝐷1D1​ 导通，P点为0.9V，三极管处于截止状态，故输出的高电平为 𝑉𝑜𝑢𝑡=𝑉𝐶𝐶=5𝑉Vout​=VCC​=5V。

输入为高电平3.4V时，三极管导通，P点为2.1V，二极管 𝐷1D1​ 截止。在 𝛽β 值远大于3.7的情况下，三极管处于饱和导通状态，输出为低电平 𝑉𝑜𝑢𝑡=𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)=0.7𝑉Vout​=VCE(sat)​=0.7V。

 

3.4.2 TTL反相器的电路结构和工作原理

一、电路结构

反相器是TTL集成门电路中电路结构最简单的一种。图3.4.9中给出了74系列TTL反相器的典型电路。因为这种类型电路的输入端和输出端均为三极管结构，所以称为三极管-三极管逻辑电路(Transistor-Transistor Logic)，简称TTL电路。

图3.4.9所示电路由三部分组成：T1、R1和D1组成的输入级，T2、R2和R3组成的倒相级，T3、T4、D2和R4组成的输出级。

图3.4.9 TTL反相器的典型电路

设电源电压 𝑉𝐶𝐶=5𝑉VCC​=5V，输入信号的高、低电平分别为 𝑉𝐼𝐻=3.4𝑉VIH​=3.4V，𝑉𝐼𝐿=0.2𝑉VIL​=0.2V。PN结的伏安特性可以用折线化的等效电路代替，并认为开启电压 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)VBE(on)​ 为0.7V。

由图3.4.9可见，当 𝑉𝑖𝑛=𝑉𝐼𝐿Vin​=VIL​ 时，T1 的发射结必然导通，导通后 T1 的基极电位被钳在 𝑉𝐵=𝑉𝐼𝐿+𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)=0.9𝑉VB​=VIL​+VBE(on)​=0.9V。因此，T2 的发射结不会导通。由于 T1 的集电极回路电阻是 R1 和 T2 的 b-c 结反向电阻之和，阻值非常大，因而 T1 工作在深度饱和状态，使 𝑉𝑜𝑢𝑡=0Vout​=0。这时 T1 的集电极电流极小，在定量计算时可略而不计。T2 截止，输出为高电平，而 T3 导通、T4 截止，输出为高电平 𝑉𝑜𝑢𝑡Vout​。

当 𝑉𝑖𝑛=𝑉𝐼𝐻Vin​=VIH​ 时，如果不考虑 T2 的存在，则应有 𝑉𝐵=𝑉𝑖𝑛+𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)=4.1𝑉VB​=Vin​+VBE(on)​=4.1V。显然，在存在 T2 和 T3 的情况下，T2 和 T3 的发射结必然同时导通。而一旦 T2 和 T3 导通之后，便被钳在了2.1V，因此实际上不可能等于4.1V，只能是2.1V左右。T2 导通使 𝑉𝑜𝑢𝑡Vout​ 降低而 𝑉𝐶𝐸VCE​ 升高，导致 T4 截止、T3 导通，输出变为低电平 𝑉𝑜𝑢𝑡Vout​。可见，输出和输入之间是反相关系，即 𝑌=𝐴‾Y=A。

由于 T2 集电极输出的电压信号和发射极输出的电压信号变化方向相反，所以将这一级称为倒相级。输出级的工作特点是在稳定状态下 T4 和 T3 总是一个导通而另一个截止，这就有效地降低了输出级的静态功耗并提高了驱动负载的能力。通常将这种形式的电路称为推拉式（push-pull）电路或图腾柱（totem-pole）输出电路。为确保 T3 饱和导通时 T4 可靠地截止，又在 T4 的发射极下面串进了二极管 D2。

D1 是输入端钳位二极管，它既可以抑制输入端可能出现的负极性干扰脉冲，又可以防止输入电压为负时 T1 的发射极电流过大，起到保护作用。这个二极管允许通过的最大电流约为20mA。

二、电压传输特性

如果把图3.4.9所示反相器电路输出电压随输入电压的变化用曲线描绘出来，就得到了图3.4.10所示的电压传输特性。

图3.4.10 TTL反相器的电压传输特性

在曲线的AB段，因为 𝑉𝑖𝑛<0.6𝑉Vin​<0.6V，所以 𝑉𝐵<1.3𝑉VB​<1.3V，T2 和 T4 截止而 T1 导通，故输出为高电平 𝑉𝑜𝑢𝑡=𝑉𝐶𝐶−𝐼𝐶𝑅4≈3.4𝑉Vout​=VCC​−IC​R4​≈3.4V。我们将这一段称为特性曲线的截止区。

在BC段里，由于 𝑉𝑖𝑛>0.7𝑉Vin​>0.7V 但低于1.3V，所以 T2 导通而 T1 依旧截止。这时 T2 工作在放大区，随着 𝑉𝑖𝑛Vin​ 的升高 𝑉𝑜𝑢𝑡Vout​ 线性地下降。这一段称为特性曲线的线性区。

当输入电压上升到1.4V左右时，𝑉𝑜𝑢𝑡Vout​ 约为2.1V，这时 T2 和 T3 将同时导通，T4 截止，输出电位急剧地下降为低电平，这就是称为转折区的CD段工作情况。转折区中点对应的输入电压称为阀值电压或门槛电压，用 𝑉𝑇VT​ 表示。此后 𝑉𝑖𝑛Vin​ 继续升高时 𝑉𝑜𝑢𝑡Vout​ 不再变化，进入特性曲线的DE段。DE段称为特性曲线的饱和区。

三、输入端噪声容限

从电压传输特性上可以看到，当输入信号偏离正常的低电平（0.2V）而升高时，输出的高电平并不立刻改变。同样，当输入信号偏离正常的高电平（3.4V）而降低时，输出的低电平也不会马上改变。因此，和CMOS反相器类似，同样也存在一个允许的噪声容限，即保证输出高、低电平基本不变（或者说变化的大小不超过允许限度）的条件下，允许输入电平有一定的波动范围。

噪声容限的定义方法也和CMOS反相器一样。输入为高电平和低电平时的噪声容限分别为：

𝑉𝑁𝐻=𝑉𝑂𝐻(𝑚𝑖𝑛)−𝑉𝐼𝐻(𝑚𝑖𝑛)VNH​=VOH(min)​−VIH(min)​ 𝑉𝑁𝐿=𝑉𝐼𝐿(𝑚𝑎𝑥)−𝑉𝑂𝐿(𝑚𝑎𝑥)VNL​=VIL(max)​−VOL(max)​

74系列门电路的典型参数为 𝑉𝑂𝐻(𝑚𝑖𝑛)=2.4𝑉VOH(min)​=2.4V，𝑉𝑂𝐿(𝑚𝑎𝑥)=0.4𝑉VOL(max)​=0.4V，𝑉𝐼𝐻(𝑚𝑖𝑛)=2.0𝑉VIH(min)​=2.0V，𝑉𝐼𝐿(𝑚𝑎𝑥)=0.8𝑉VIL(max)​=0.8V，故得到 𝑉𝑁𝐻=0.4𝑉VNH​=0.4V，𝑉𝑁𝐿=0.4𝑉VNL​=0.4V。

 

3.4.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性

一、输入特性

在图3.4.9给出的TTL反相器电路中，如果仅仅考虑输入信号是高电平和低电平而不是某一个中间值的情况，则可忽略T₂和T₃的b-c结反向电流以及R₂对T₂基极回路的影响，将输入端的等效电路画成如图3.4.11所示的形式。

图3.4.11 TTL反相器的输入端等效电路

当 𝑉𝐶𝐶=5𝑉VCC​=5V， 𝑉𝑖𝑛=𝑉𝐼𝐿=0.2𝑉Vin​=VIL​=0.2V 时，输入低电平电流为：

𝐼𝐼𝐿≈𝑉𝐼𝐿𝑅1=0.2𝑉4𝑘Ω=50𝜇𝐴IIL​≈R1​VIL​​=4kΩ0.2V​=50μA

输入电流 𝐼𝐼𝐿IIL​ 较小，忽略T₂和T₃的影响。输入为高电平时，T₂和T₃都截止，输入电流为：

𝐼𝐼𝐻≈𝐼𝐶𝐵𝑂+𝐼𝐶IIH​≈ICBO​+IC​

由于T₂的电流放大系数 𝛽β 很小，接近0，因此可以近似地认为 𝐼𝐼𝐻IIH​ 主要是be结的反向电流。74系列门电路每个输入端的 𝐼𝐼𝐻IIH​ 值在40μA以下。根据图3.4.11的等效电路，可以画出输入电流随输入电压变化的曲线——输入特性曲线，如图3.4.12所示。

图3.4.12 TTL反相器的输入特性

输入电压介于高、低电平之间的情况要复杂一些，但考虑到这种情况通常只发生在输入信号电平转换的短暂过程中，所以就不做详细的分析了。

二、输出特性

1. 高电平输出特性

前面已经讲过，当 𝑉𝑜𝑢𝑡=𝑉𝑂𝐻Vout​=VOH​ 时，图3.4.9电路中的T₃和D₂导通，T₄截止，输出端的等效电路可以画成图3.4.13所示的形式。由图可见，这时T₃工作在射极输出状态，电路的输出电阻很小。在负载电流较小的范围内，负载电流的变化对 𝑉𝑂𝐻VOH​ 的影响很小。

图3.4.13 TTL反相器高电平输出等效电路

随着负载电流 𝐼𝐿IL​ 绝对值的增加，R₄上的压降也随之加大，最终将使T₃的b-c结变为正向偏置，T₃进入饱和状态。这时T₃将失去射极跟随功能，因而 𝑉𝑂𝐻VOH​ 随着 𝐼𝐿IL​ 绝对值的增加几乎线性地下降。图3.4.14给出了74系列门电路在输出为高电平时的输出特性曲线。从曲线上可见，在 ∣𝐼𝐿∣<5𝑚𝐴∣IL​∣<5mA 的范围内 𝑉𝑂𝐻VOH​ 变化很小。当 ∣𝐼𝐿∣>5𝑚𝐴∣IL​∣>5mA 以后，随着 ∣𝐼𝐿∣∣IL​∣ 的增加 𝑉𝑂𝐻VOH​ 下降较快。

图3.4.14 TTL反相器高电平输出特性

由于受到功耗的限制，手册上给出的高电平输出电流的最大值要比5mA小得多。74系列门电路的使用条件规定，输出为高电平时，最大负载电流不能超过0.4mA。如果 𝑉𝐶𝐶=5𝑉VCC​=5V， 𝑉𝑂𝐻=2.4𝑉VOH​=2.4V，那么当 𝐼𝐿=−0.4𝑚𝐴IL​=−0.4mA 时门电路内部消耗的功率已达到1mW。

2. 低电平输出特性

当输出为低电平时，门电路输出级的T₃管饱和导通而T₄管截止，输出端的等效电路如图3.4.15所示。由于T₃饱和导通时c-e间的饱和导通内阻很小（通常在10Ω以内），饱和导通压降很低（通常约0.1V），所以负载电流 𝐼𝐿IL​ 增加时输出的低电平 𝑉𝑂𝐿VOL​ 仅稍有升高。图3.4.16是低电平输出特性曲线，可以看出，𝑉𝑂𝐿VOL​ 与 𝐼𝐿IL​ 的关系在较大的范围里基本呈线性。

图3.4.15 TTL反相器低电平输出等效电路

图3.4.16 TTL反相器低电平输出特性

例3.4.2

在图3.4.17所示的电路中，试计算门G₁最多可以驱动多少个同样的反相器电路。这些反相器的输入特性和输出特性分别由图3.4.12、图3.4.14和图3.4.16给出。要求G₁输出的高、低电平满足 𝑉𝑂𝐻≥3.2𝑉VOH​≥3.2V， 𝑉𝑂𝐿≤0.2𝑉VOL​≤0.2V。

图3.4.17 例3.4.2的电路

解：

首先计算保证 𝑉𝑂𝐿≤0.2𝑉VOL​≤0.2V 时可以驱动的反相器数目 𝑁1N1​。

由图3.4.16所示低电平输出特性上查到， 𝑉𝑂𝐿=0.2𝑉VOL​=0.2V 时的负载电流 𝐼𝐿=16𝑚𝐴IL​=16mA。这时G₁的负载电流是所有负载门的输入电流之和。由图3.4.12所示的输入特性上又可查到，当 𝑉𝑖𝑛=0.2𝑉Vin​=0.2V 时每个门的输入电流为 𝐼𝐼𝐿=1𝑚𝐴IIL​=1mA，于是得到：

𝑁1⋅𝐼𝐼𝐿≤𝐼𝐿N1​⋅IIL​≤IL​

𝑁1⋅1𝑚𝐴≤16𝑚𝐴N1​⋅1mA≤16mA

即：

𝑁1≤16N1​≤16

其次，再计算保证 𝑉𝑂𝐻≥3.2𝑉VOH​≥3.2V 时能驱动的反相器数目 𝑁2N2​。

由图3.4.14所示高电平输出特性上查到， 𝑉𝑂𝐻≈3.2𝑉VOH​≈3.2V 时，对应的 𝐼𝐿≈7.5𝑚𝐴IL​≈7.5mA。但手册上规定 𝐼𝑂𝐻(𝑚𝑎𝑥)≤0.4𝑚𝐴IOH(max)​≤0.4mA，故应取：

𝑁2⋅𝐼𝑂𝐻≤𝐼𝑂𝐻(𝑚𝑎𝑥)N2​⋅IOH​≤IOH(max)​

由图3.4.12所示的输入特性可知，每个输入端的高电平输入电流 𝐼𝐼𝐻=40𝜇𝐴IIH​=40μA，故可得：

𝑁2⋅40𝜇𝐴≤0.4𝑚𝐴N2​⋅40μA≤0.4mA

𝑁2≤10N2​≤10

综合以上两种情况可得出结论：在给定的输入、输出特性曲线下，74系列的反相器可以驱动同类型反相器的最大数目是 𝑁=10N=10。

从这个例子中还能看到，由于门电路无论在输出高电平还是输出低电平时均有一定的输出电阻，所以输出的高、低电平都要随负载电流的改变而发生变化。这种变化越小，说明门电路带负载的能力越强。有时也用输出电平的变化不超过某一规定值时允许的最大负载电流来定量表示门电路带负载能力的大小。

三、输入端负载特性

在具体使用门电路时，有时需要在输入端与地之间或者输入端与信号的低电平之间接入电阻 𝑅𝑝Rp​，如图3.4.18所示。

图3.4.18 TTL反相器的输入端负载特性

由图3.4.18可知，因为输入电流流过 𝑅𝑝Rp​，这就必然会在 𝑅𝑝Rp​ 上产生压降而形成输入端电位。而且，𝑅𝑝Rp​ 越大 𝑉𝑖𝑛Vin​ 也越高。因此，为了保证输入电位 𝑉𝑖𝑛Vin​ 不超过 𝑉𝐼𝐻(𝑚𝑎𝑥)=0.8𝑉VIH(max)​=0.8V，必须选择适当的 𝑅𝑝Rp​，通常应满足：

𝑅𝑝≤0.8𝑉−𝑉𝐼𝐿𝐼𝐼𝐿=0.8𝑉−0.2𝑉50𝜇𝐴=12𝑘ΩRp​≤IIL​0.8V−VIL​​=50μA0.8V−0.2V​=12kΩ

综上所述，合理选择输入端的 𝑅𝑝Rp​ 和门电路参数，可以有效控制输入电位，保证电路正常工作。

 

3.4.4 TTL反相器的动态特性

一、传输延迟时间

在TTL电路中，由于二极管和三极管从导通变为截止或从截止变为导通都需要一定的时间，并且存在二极管、三极管以及电阻、连接线等的寄生电容，所以将理想的矩形电压信号加到TTL反相器的输入端时，输出电压的波形不仅比输入信号滞后，而且波形的上升沿和下降沿也将变坏，如图3.4.21所示。

图3.4.21 TTL反相器的动态电压波形

像在CMOS电路中所做的一样，我们将输出电压波形滞后于输入电压波形的时间称为传输延迟时间，并且将输出电压由低电平跳变为高电平时的传输延迟时间记作 𝑡𝑃𝐿𝐻tPLH​，将输出电压由高电平跳变为低电平时的传输延迟时间记作 𝑡𝑃𝐻𝐿tPHL​。𝑡𝑃𝐿𝐻tPLH​ 和 𝑡𝑃𝐻𝐿tPHL​ 的定义方法如图3.4.21所示。

在74系列TTL门电路中，由于输出级的T₄管导通时工作在深度饱和状态，所以它从导通转换为截止时（对应于输出由低电平跳变为高电平时）的开关时间较长，致使 𝑡𝑃𝐿𝐻tPLH​ 略大于 𝑡𝑃𝐻𝐿tPHL​。

由于传输延迟时间和电路的许多分布参数有关，不易准确计算，所以 𝑡𝑃𝐿𝐻tPLH​ 和 𝑡𝑃𝐻𝐿tPHL​ 的数值最后都是通过实验方法测定的。这些参数可以从产品手册上查出。例如TI公司生产的六反相器SN7404的典型参数为 𝑡𝑃𝐻𝐿=8𝑛𝑠tPHL​=8ns，而 𝑡𝑃𝐿𝐻=12𝑛𝑠tPLH​=12ns。

二、交流噪声容限

和CMOS反相器一样，TTL电路的交流噪声容限也大于直流噪声容限。这是由于TTL电路中存在三极管的开关时间和分布电容的充放电过程，因而输入信号状态变化时必须有足够的变化幅度和作用时间才能使输出状态改变。在输入信号为窄脉冲，而且脉冲宽度接近于门电路传输延迟时间的情况下，为使输出状态改变所需要的脉冲幅度将远大于信号为直流时所需的信号变化幅度。

图3.4.22是输入为不同宽度的窄脉冲时TTL反相器的交流噪声容限曲线。图中以 𝑡𝑝tp​ 表示输入脉冲宽度，以 𝑉𝐴VA​ 表示输入脉冲的幅度。在图(a)中将输出高电平由额定值降至2.0V时输入正脉冲的幅度定义为正脉冲噪声容限。在图(b)中将输出低电平由额定值上升至0.8V时输入负脉冲的幅度定义为负脉冲噪声容限。

图3.4.22 TTL反相器的交流噪声容限

(a) 正脉冲噪声容限 (b) 负脉冲噪声容限

因为绝大多数的TTL门电路传输延迟时间都在50ns以内，所以当输入脉冲的宽度达到微秒的数量级时，在信号作用时间内电路已达到稳态，应将输入信号按直流信号处理。

三、电源的动态尖峰电流

通过对TTL反相器电路的计算发现，在稳定状态下，输出电平不同时它从电源所取的电流也不一样。由图3.4.23(a)可见，当 𝑉𝑜𝑢𝑡=𝑉𝑂𝐻Vout​=VOH​ 时，输入为高电平 𝑉𝑖𝑛>3.4𝑉Vin​>3.4V，则T₁、T₂和T₃导通，T₄截止，电源电流 𝐼𝐶𝐶ICC​ 等于 𝐼𝐶2IC2​ 和 𝐼𝐶3IC3​ 之和。前面已经讲过，当T₂和T₃同时导通时 𝑉𝐵2VB2​ 被钳位在2.1V左右。假定T₃发射结的导通压降为0.7V，T₂饱和导通压降 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)=0.1𝑉VCE(sat)​=0.1V，则 𝑉𝐵𝐸1=0.8𝑉VBE1​=0.8V。于是得到：

𝐼𝐶2=𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵𝐸2𝑅1+𝑉𝐵𝐸1−𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)𝑅2IC2​=R1​VCC​−VBE2​​+R2​VBE1​−VCE(sat)​​

图3.4.23 TTL反相器电源电流的计算

(a) 𝑉𝑖𝑛=𝑉𝐼𝐻Vin​=VIH​ 的情况 (b) 𝑉𝑖𝑛=𝑉𝐼𝐿Vin​=VIL​ 的情况

𝐼𝐶𝐶=3.4𝑚𝐴ICC​=3.4mA

在 𝑉𝑖𝑛=𝑉𝐼𝐿Vin​=VIL​ 时，设 𝑉𝑖𝑛=𝑉𝐼𝐿+0.2𝑉Vin​=VIL​+0.2V，由图3.4.23(b)可见，这时T₃和T₄导通，T₂和T₁截止。因为输出端没有接负载，T₃没有电流流过，所以电源电流 𝐼𝐶𝐶ICC​ 等于 𝐼𝐶4IC4​。如果取T₄发射结的导通压降为0.7V，则 𝑉𝐵𝐸4=0.9𝑉VBE4​=0.9V，于是得到：

𝐼𝐶𝐶=𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵𝐸4𝑅1=1𝑚𝐴ICC​=R1​VCC​−VBE4​​=1mA

动态情况下，特别是当输出电压由低电平突然转变成高电平的过渡过程中，由于T₄原来工作在深度饱和状态，所以T₄的导通必然先于T₃的截止，这样就出现了短时间内T₃和T₄同时导通的状态，有很大的瞬时电流流经T₃和T₄，使电源电流出现尖峰脉冲，如图3.4.24所示。

图3.4.24 TTL反相器的电源动态尖峰电流

由图3.4.25可见，如果 𝑉𝑖𝑛Vin​ 从高电平跳变成低电平的瞬间T₃尚未脱离饱和导通状态而T₄已饱和导通，则电源电流的最大瞬时值将为：

𝐼𝐶𝐶(𝑚𝑎𝑥)=𝐼𝐶3+𝐼𝐶4+𝐼𝐶1ICC(max)​=IC3​+IC4​+IC1​

𝐼𝐶𝐶(𝑚𝑎𝑥)=34.7𝑚𝐴ICC(max)​=34.7mA

图3.4.25 TTL反相器电源尖峰电流的计算

电源尖峰电流带来的影响主要表现为两个方面。首先，它使电源的平均电流增加了。而且从图3.4.24上不难看出，信号的重复频率越高、门电路的传输延迟时间 𝑡𝑃𝐿𝐻tPLH​ 越长，电流平均值增加得越多。在计算系统的电源容量时必须注意这一点。

其次，当系统中有许多门电路同时转换工作状态时，电源的瞬时尖峰电流数值很大，这个尖峰电流将通过电源线和地线以及电源的内阻形成一个系统内部的噪声源。因此，在系统设计时应采取有效的措施将这个噪声抑制在允许的限度以内。

从图3.4.24上还可以看到，在输出电压由高电平变为低电平的过程中也有一个不大的电源尖峰电流产生，但由于T₃导通时一般并非工作在饱和状态，能够较快地截止，所以T₃和T₄同时导通的时间极短，不可能产生很大的瞬态电源电流。在计算电源容量时，可以不考虑它的影响。

为便于计算尖峰电流的平均值，可以近似地将电源的尖峰电流视为三角波，并认为尖峰电流的持续时间等于传输延迟时间 𝑡𝑃𝐿𝐻tPLH​，如图3.4.26所示。图中的T为信号重复周期。

图3.4.26 电源尖峰电流的近似波形

一个周期内尖峰脉冲的平均值为：

𝐼𝐶𝐶(𝑎𝑣𝑔)=12𝐼𝐶𝐶(𝑚𝑎𝑥)𝑡𝑃𝐿𝐻ICC(avg)​=21​ICC(max)​tPLH​

或以脉冲重复频率 𝑓f 表示为：

𝐼𝐶𝐶(𝑎𝑣𝑔)=12𝐼𝐶𝐶(𝑚𝑎𝑥)𝑓𝑡𝑃𝐿𝐻ICC(avg)​=21​ICC(max)​ftPLH​

如果每个周期中输出高、低电平的持续时间相等，在考虑电源动态尖峰电流的影响之后，电源电流的平均值将为：

𝐼𝐶𝐶(𝑎𝑣𝑔)=𝐼𝐶𝐶(𝑜𝑛)+𝐼𝐶𝐶(𝑜𝑓𝑓)+12𝐼𝐶𝐶(𝑚𝑎𝑥)𝑓𝑡𝑃𝐿𝐻ICC(avg)​=ICC(on)​+ICC(off)​+21​ICC(max)​ftPLH​

例3.4.4

若74系列TTL反相器的电路参数如图3.4.9所给出，并知 𝑡𝑃𝐿𝐻=15𝑛𝑠tPLH​=15ns，试计算在 𝑓=5𝑀𝐻𝑧f=5MHz 的矩形波输入电压信号作用下电源电流的平均值。输入电压信号的占空比（高电平持续时间与周期之比）为50%。

解：

在图3.4.9所示的电路参数下，根据式(3.4.9)、(3.4.10)和(3.4.11)已计算出 𝐼𝐶𝐶(𝑜𝑛)=3.4𝑚𝐴ICC(on)​=3.4mA，𝐼𝐶𝐶(𝑜𝑓𝑓)=1𝑚𝐴ICC(off)​=1mA，𝐼𝐶𝐶(𝑚𝑎𝑥)=34.7𝑚𝐴ICC(max)​=34.7mA。将这些数值及给定的 𝑡𝑃𝐿𝐻tPLH​ 代入式(3.4.14)得到：

𝐼𝐶𝐶(𝑎𝑣𝑔)=𝐼𝐶𝐶(𝑜𝑛)+𝐼𝐶𝐶(𝑜𝑓𝑓)+12𝐼𝐶𝐶(𝑚𝑎𝑥)𝑓𝑡𝑃𝐿𝐻ICC(avg)​=ICC(on)​+ICC(off)​+21​ICC(max)​ftPLH​

𝐼𝐶𝐶(𝑎𝑣𝑔)=(1𝑚𝐴+3.4𝑚𝐴)+12⋅34.7𝑚𝐴⋅5⋅106⋅15⋅10−9ICC(avg)​=(1mA+3.4mA)+21​⋅34.7mA⋅5⋅106⋅15⋅10−9

𝐼𝐶𝐶(𝑎𝑣𝑔)=4.4𝑚𝐴+1.17𝑚𝐴=5.57𝑚𝐴ICC(avg)​=4.4mA+1.17mA=5.57mA

这个结果比单纯地用 𝐼𝐶𝐶(𝑜𝑛)ICC(on)​ 和 𝐼𝐶𝐶(𝑜𝑓𝑓)ICC(off)​ 平均所得到的数值增加了53%。由此可见，在工作频率较高时不能忽视尖峰电流对电源平均电流的影响。

 

3.4.5 其他类型的TTL门电路

一、其他逻辑功能的门电路

与CMOS门电路相仿，在TTL门电路的定型产品中除了反相器以外也有与门、或门、与非门、或非门、与或非门和异或门几种常见的类型。尽管它们逻辑功能各异，但输入端、输出端的电路结构形式与反相器基本相同，因此前面所讲的反相器的输入特性和输出特性对这些门电路同样适用。

1. 与非门

   图3.4.27是74系列与非门的典型电路。它与图3.4.9所示反相器电路的区别在于输入端改成了多发射极三极管。

   多发射极三极管的结构如图3.4.28(a)所示，它的基区和集电区是共用的，而在P型的基区上制作了两个（或多个）高掺杂的N型区，形成两个互相独立的发射极。多发射极三极管工作过程的详细分析比较复杂。为了简化处理，可以用图3.4.28(b)中的近似等效电路表示多发射极三极管。从图中不难看出，这时的多发射极三极管T₁和电阻R₁组成了一个二极管与门电路。

   图3.4.27 TTL与非门电路

   图3.4.28 多发射极三极管

   (a) 结构示意图 (b) 近似的等效电路

   在图3.4.27所示的与非门电路中，只要A、B当中有一个接低电平，则T₁必有一个发射结导通，并将T₂的基极电位钳在0.9V（假定 𝑉𝐼𝐿=0.2𝑉VIL​=0.2V, 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)=0.7𝑉VBE(on)​=0.7V）。这时T₂和T₃都不导通，输出为高电平 𝑉𝑂𝐻VOH​。

   只有当A、B同时为高电平时，T₂和T₃才同时导通，并使输出为低电平 𝑉𝑂𝐿VOL​。因此，Y和A、B之间为与非关系，即 𝑌=𝐴⋅𝐵‾Y=A⋅B。

2. 或非门

   或非门的典型电路如图3.4.29所示。图中T₁、T₂和R₁所组成的电路与T₁'、T₂'、R₁'组成的电路完全相同。当A为高电平时，T₁和T₂同时导通，T₃截止，输出Y为低电平。当B为高电平时，T₁'和T₂'同时导通而T₃截止，Y也是低电平。只有A、B都为低电平时，T₁和T₁'同时截止，T₂截止而T₃导通，从而使输出成为高电平。因此，Y和A、B间为或非关系，即 𝑌=𝐴+𝐵‾Y=A+B​。

   图3.4.29 TTL或非门电路

3. 与或非门

   若将图3.4.29所示的或非门电路中的每个输入端改用多发射极三极管，就得到了图3.4.30所示的与或非门电路。

   图3.4.30 TTL与或非门电路

   当A、B同时为高电平时，T₂、T₃导通而T₄截止，输出Y为低电平。同理，当C、D同时为高电平时，T₂'、T₃'导通而T₄'截止，也使Y为低电平。只有A、B和C、D每一组输入都不同时为高电平时，T₂和T₂'同时截止，使T₄和T₄'截止而T₅导通，输出Y为高电平。因此，Y和A、B及C、D间是与或非关系，即 𝑌=(𝐴⋅𝐵)+(𝐶⋅𝐷)‾Y=(A⋅B)+(C⋅D)​。

4. 异或门

   异或门的典型电路结构如图3.4.31所示。图中虚线以右部分和或非门的倒相级、输出级相同，只要T₆和T₇当中有一个基极为高电平，都能使T₅截止、T₈导通，输出为低电平。

   图3.4.31 TTL异或门电路

   若A、B同时为高电平，则T₁、T₃导通而T₂截止，输出为低电平。反之，若A、B同时为低电平，则T₁和T₃同时截止，使T₄和T₅导通而T₂截止，输出也为低电平。当A、B不同时（即一个是高电平而另一个是低电平），T₁正向饱和导通、T₂截止。同时，由于A、B中必有一个是高电平，使T₄、T₆中有一个导通，从而使T₅截止。T₄和T₅同时截止以后，T₃导通、T₇截止，故输出为高电平。因此，Y和A、B间为异或关系，即 𝑌=𝐴⊕𝐵Y=A⊕B。

二、集电极开路输出的门电路（OC门）

和CMOS电路中的OD输出结构门电路类似，在TTL电路中也有一种集电极开路（Open Collector）输出结构的门电路。

尽管推拉式输出电路结构具有输出电阻很低的优点，但使用时有一定的局限性。首先，我们不能把它们的输出端并联接成线与结构。

图3.4.32 推拉式输出级并联的情况

为了克服上述局限性，将输出级改为集电极开路的三极管结构，做成集电极开路输出的门电路，简称OC门。

图3.4.33 集电极开路输出TTL与非门的电路和图形符号

图3.4.34 OC门输出并联的接法及逻辑图

OC门在工作时同样需要外接负载电阻和电源。只要电阻的阻值和电源电压的数值选择得当，就能够做到既保证输出的高、低电平符合要求，输出端三极管的负载电流又不过大。

三、三态输出门电路（TS门）

在TTL电路中同样也有一种三态输出结构的门电路。TTL电路中的三态输出门是在普通门电路的基础上附加控制电路而构成的。

图3.4.38 三态输出门的电路图和图形符号

(a) 控制端高电平有效 (b) 控制端低电平有效

图3.4.38(a)电路的控制端EN为高电平时（EN=1），P点为高电平，二极管D截止，电路的工作状态和普通的与非门没有区别。这时 𝑌=𝐴⋅𝐵‾Y=A⋅B，可能是高电平也可能是低电平，视A、B的状态而定。而当控制端EN为低电平时（EN=0），P点为低电平，T₄截止。同时，二极管D导通，T₄的基极电位被钳在0.7V，使T₄截止。由于T₄和T₅同时截止，所以输出端呈高阻状态。

因为图3.4.38(a)电路在EN=1时为正常的与非工作状态，所以称为控制端高电平有效。而在图3.4.38(b)电路中，EN=0时为工作状态，故称这个电路为控制端低电平有效。

三态输出门的应用已经在CMOS三态输出门的应用中介绍过，这里不再重复。

 

 

 

3.4.6 TTL数字集成电路的各种系列

TI公司最初生产的TTL电路取名为SN54/74系列，我们称它为TTL基本系列。为了满足提高工作速度和降低功耗的需要，继54/74系列之后又相继生产了74H、74L、745、74LS、74AS、74ALS、74F等改进系列。由于74H系列和74L系列在综合性能上并未得到改善，所以不久就被随后推出的74S系列和74LS系列所取代。

1. 74系列

74系列TTL电路基本单元的电路结构、工作原理和特性在前面的第3.4.2-3.4.5节中已经作过详细的介绍。74系列集成电路中，每一级门电路的传输延迟时间约为9ns，而功率消耗在10mW左右。因此，虽然至今仍然有74系列的产品提供，但一般只用于某些旧设备中原有器件的替换。

2. 74S系列

74S（Schottky TTL）系列又称肖特基系列。通过对74系列门电路动态过程的分析看到，三极管导通时工作在深度饱和状态是产生传输延迟时间的一个主要原因。如果能使三极管导通时避免进入深度饱和状态，那么传输延迟时间将大幅度减小。为此，在74S系列的门电路中，采用了抗饱和三极管（或称为肖特基钳位三极管——Schottky-clamped Transistor）。

抗饱和三极管是由普通的双极型三极管和肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）组合而成的，如图3.4.39所示。

由于SBD的开启电压很低，只有0.3-0.4V，所以当三极管的b-e结进入正向偏置以后SBD首先导通，并将b-c结的正向电压钳位在0.3~0.4V，使三极管保持在0.4V左右，从而有效地制止了三极管进入深度饱和状态。

图3.4.39 抗饱和三极管

图3.4.40是74S系列与非门（74500）的电路结构图，其中T₁、T₂、T₃、T₄和T₅都是抗饱和三极管。因为T₅的b-e结不会出现正向偏置，亦即不会进入饱和状态，所以不必改用抗饱和三极管。

图3.4.40 74S系列与非门（74500）的电路结构

电路结构的另一个特点是用T₄、R₆和R₇组成的有源电路代替了74系列中的电阻R₆，为T₅管的发射结提供了一个有源泄放回路。当T₂由截止变为导通的瞬间，由于T₅的基极回路中串接了电阻R₆，所以T₂的基极必然先于T₅的基极导通，使T₂发射极的电流全部流入T₅的基极，从而加速了T₂的导通过程。而在稳态下，由于T₅导通后产生的分流作用，减少了T₂的基极电流，也就减轻了T₂的饱和程度，这又有利于加快T₂从导通变为截止的过程。

当T₂从导通变为截止以后，因为T₅仍处于导通状态，为T₂的基极提供了一个瞬间的低内阻泄放回路，使T₂得以迅速截止。因此，有源泄放回路的存在缩短了门电路的传输延迟时间。经过上述改进后，74S系列的平均传输延迟时间缩短到了3ns。

此外，引进有源泄放电路还改善了门电路的电压传输特性。因为T₂的发射结必须经T₁或T₃的发射结才能导通，所以不存在T₂导通而T₁尚未导通的阶段，而这个阶段正是产生电压传输特性线性区的根源，因此74S系列门电路的电压传输特性上没有线性区，更接近于理想的开关特性，如图3.4.41所示。

图3.4.41 74S系列反相器的电压传输特性

采用抗饱和三极管和减小电路中电阻的阻值也带来了一些缺点。首先是电路的功耗加大了。74S系列门电路的平均功耗达20mW，是74系列的两倍。其次，由于T₂脱离了深度饱和状态，导致了输出低电平升高（最大值可达0.5V左右）。

3. 74LS系列

为了得到更小的延迟-功耗积，即要求不仅传输延迟时间短，而且功耗低，在兼顾功耗与速度两方面的基础上又进一步开发了74LS（Low-power Schottky TTL）系列（也称为低功耗肖特基系列）。

图3.4.42 741S系列与非门（74LS00）的电路结构

图3.4.42是741S系列与非门（74LS00）的典型电路。为了降低功耗，大幅度地提高了电路中各个电阻的阻值。同时，将R₇原来接地的一端改接到输出端，以减小T₅导通时R₇上的功耗。74LS系列门电路的功耗仅为74系列的五分之一，74H系列的十分之一。为了缩短传输延迟时间、提高开关工作速度，沿用了74S系列提高工作速度的两个方法——使用抗饱和三极管和引入有源泄放电路。同时，还将输入端的多发射极三极管用SBD代替，因为这种二极管没有电荷存储效应，有利于提高工作速度。此外，为进一步加速电路开关状态的转换过程，又接入了D₁、D₄这两个SBD。当输出端由高电平跳变为低电平时，D₄经T₄的集电极和T₂的基极为输出端的负载电容提供了另一条放电回路，既加快了负载电容的放电速度，又为T₅管增加了基极驱动电流，加速了T₅的导通过程。同时，D₁也通过T₁为T₅的基极提供一个附加的低内阻放电通路，使T₅更快地截止，这也有利于缩短传输延迟时间。由于采用了这一系列的措施，虽然电阻阻值增大了很多，但传输延迟时间仍可达到74系列的水平。74LS系列的延迟-功耗积仅为74系列的五分之一，74S系列的三分之一。

74LS系列门电路的电压传输特性也没有线性区，而且阀值电压要比74系列低，为1V左右。

4. 74AS系列

74AS（Advanced Schottky TTL）系列是为了进一步缩短传输延迟时间而设计的改进系列。它的电路结构与74LS系列相似，但是电路中采用了很低的电阻阻值，从而提高了工作速度，使传输延迟时间缩短至1.7ns。它的缺点是功耗较大，但是比74S系列的功耗要小很多，约为8mW。

5. 74ALS系列

74ALS（Advanced Low-power Schottky TTL）系列是为了获得更小的延迟-功耗积而设计的改进系列，它的延迟-功耗积是TTL电路所有系列中最小的一种。为了降低功耗，电路中采用了较高的电阻阻值。同时，通过改进生产工艺缩小了内部各个器件的尺寸，获得了减小功耗，缩短延迟时间的双重收效。此外，在电路结构上也做了局部的改进。这样就使得它的门电路功耗降至1.2mW，而传输延迟时间只有4ns。

6. 74F系列

74F（Fast TTL）系列通过采用新的生产工艺减小了器件内部的各种寄生电容，从而有效地提高了开关工作速度，使门电路的平均传输延迟时间缩短至只有3ns，而功耗仍能维持在较低水平。由于它在速度和功耗两方面都介于74AS和74ALS系列之间，因此，它为设计人员提供了一种在速度与功耗之间折中的选择。

在过去相当长的一段时间里，74LS系列曾经是TTL的主流系列。可以预料，74AS系列将逐渐取代74LS系列而成为TTL电路的主流产品。

表3.4.1 各种系列TTL电路（7400）特性参数比较

系列	参数名称与符号	74	74S	74LS	74AS	74ALS	74F
输入低电平最大值	𝑉𝐼𝐿VIL​	0.8	0.8	0.8	0.8	0.8	0.8
输出低电平最大值	𝑉𝑂𝐿VOL​	0.4	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5
输入高电平最小值	𝑉𝐼𝐻VIH​	2.0	2.0	2.0	2.0	2.0	2.0
输出高电平最小值	𝑉𝑂𝐻VOH​	2.4	2.7	2.7	2.7	2.7	2.7
低电平输入电流最大值	𝐼𝐼𝐿IIL​	-1.0	-2.0	-0.4	-0.5	-0.2	-0.6
低电平输出电流最大值	𝐼𝑂𝐿IOL​	16	20	8	20	8	20
高电平输入电流最大值	𝐼𝐼𝐻IIH​	40	50	20	20	20	20
高电平输出电流最大值	𝐼𝑂𝐻IOH​	-0.4	-1.0	-0.4	-2.0	-0.4	-1.0
传输延迟时间	𝑡𝑃𝐷tPD​	9	3	9.5	1.7	4	3
每个门的功耗	𝑃𝐷PD​	10	19	2	8	1.2	4
延迟-功耗积	𝑃𝐷PD (pJ)	90	57	19	13.6	4.8	12