3.4 TTL门电路

 

3.4 TTL门电路

3.4.1 双极型三极管的开关特性

TTL是三极管-三极管逻辑(Transistor-Transistor Logic)的简称。因为TTL集成电路中采用双极型三极管作为开关器件，所以在介绍TTL电路之前，我们首先需要了解一下双极型三极管的开关特性。

一、双极型三极管的结构

一个独立的双极型三极管由管芯、三个引出电极和外壳组成。三个电极分别称为基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。外壳的形状和所用材料各不相同。管芯由三层P型和N型半导体结合在一起而构成，有NPN型和PNP型两种，它们的示意图如图3.4.1所示。因为在工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称这类三极管为双极型三极管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT）。

图3.4.1 双极型三极管的两种类型

(a) NPN型 (b) PNP型

二、双极型三极管的输入特性和输出特性

若以基极b和发射极e之间的发射结作为输入回路，则可以测出表示输入电压 𝑣𝐵𝐸vBE​ 和输入电流 𝑖𝐵iB​ 之间关系的特性曲线，如图3.4.2(a)所示。这个曲线称为输入特性曲线。由图可见，这个曲线近似于指数曲线。为了简化分析计算，经常采用图中虚线所示的折线来近似。图中的 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)VBE(on)​ 称为开启电压。硅三极管的 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)VBE(on)​ 为0.5~0.7 V，锗三极管的 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)VBE(on)​ 为0.2-0.3 V。

图3.4.2 双极型三极管的特性曲线

(a) 输入特性曲线 (b) 输出特性曲线

若以集电极c和发射极e之间的回路作为输出回路，则可测出在不同 𝑖𝐵iB​ 值下表示集电极电流 𝑖𝐶iC​ 和集电极电压 𝑣𝐶𝐸vCE​ 之间关系的曲线，如图3.4.2(b)所示。这一族曲线称为输出特性曲线。由图可知，集电极电流 𝑖𝐶iC​ 不仅受 𝑣𝐶𝐸vCE​ 的影响，还受输入的基极电流 𝑖𝐵iB​ 的控制。输出特性曲线明显地分成三个区域。

• 放大区：曲线右边水平的部分称为放大区（或者叫线性区）。放大区的特点是 𝑖𝐶iC​ 随 𝑖𝐵iB​ 成正比地变化，而几乎不受 𝑣𝐶𝐸vCE​ 变化的影响。 𝛽=Δ𝑖𝐶Δ𝑖𝐵β=ΔiB​ΔiC​​ 称为电流放大系数，普通三极管的 𝛽β 值多在几十到几百的范围内。
• 饱和区：曲线靠近纵坐标轴的部分称为饱和区。饱和区的特点是 𝑖𝐶iC​ 不再随 𝑖𝐵iB​ 以 𝛽β 倍的比例增加而趋向于饱和。硅三极管开始进入饱和区的 𝑉𝐶𝐸VCE​ 值约为0.6~0.7V。在深度饱和状态下，集电极和发射极间的饱和压降 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)VCE(sat)​ 在0.2V以下。
• 截止区：图3.4.2(b)中 𝑖𝐵=0iB​=0 的一条输出特性曲线以下的区域称为截止区。截止区的特点是 𝑖𝐶iC​ 几乎等于零。这时仅有极微小的反向穿透电流 𝐼𝐶𝐵𝑂ICBO​ 流过。硅三极管的 𝐼𝐶𝐵𝑂ICBO​ 通常都在1μA以下。

三、双极型三极管的基本开关电路——三极管反相器

用NPN型三极管取代图3.1.1(a)中的开关S，就得到了图3.4.3所示的三极管开关电路。只要电路的参数配合得当，必能做到输入电压 𝑣𝑖𝑛vin​ 为低电平时三极管工作在截止状态，输出为高电平；而 𝑣𝑖𝑛vin​ 为高电平时三极管工作在饱和状态，输出为低电平。因此，这就是一个反相器电路。

图3.4.3 三极管反相器的基本开关电路

• 当输入电压 𝑣𝑖𝑛=0vin​=0 时，三极管的 𝑖𝐵=0iB​=0。由图3.4.2(a) 所示的输入特性曲线可知，这时 𝑖𝐵=0iB​=0，三极管处于截止状态。如果采用图3.4.2(a)中折线化的近似输入特性，则近似地认为在 𝑣𝑖𝑛<𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)vin​<VBE(on)​ 时三极管已处于截止状态， 𝑖𝐵=0iB​=0。由输出特性曲线可以看到， 𝑖𝐶=0iC​=0 时， 𝑣𝐶𝐸=𝑉𝐶𝐶vCE​=VCC​，电阻 𝑅𝐶RC​ 上没有压降。因此，三极管开关电路的输出为高电平 𝑉𝑜𝑢𝑡Vout​，且 𝑉𝑜𝑢𝑡=𝑉𝐶𝐶Vout​=VCC​。
• 当 𝑣𝑖𝑛>𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)vin​>VBE(on)​ 时，有 𝑖𝐵iB​ 产生，同时有相应的集电极电流 𝑖𝐶iC​ 流过 𝑅𝐶RC​ 和三极管的输出回路，三极管开始进入放大区。根据折线化的输入特性可近似地求出基极电流为 𝑖𝐵=𝑣𝑖𝑛−𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)𝑅𝐵iB​=RB​vin​−VBE(on)​​。
• 若三极管的电流放大系数为 𝛽β，则得到 𝑖𝐶=𝛽𝑖𝐵iC​=βiB​。此时集电极电压为 𝑣𝐶𝐸=𝑉𝐶𝐶−𝑖𝐶𝑅𝐶vCE​=VCC​−iC​RC​。

在给出输出特性曲线的条件下，也可以用非线性电路的图解法，求出给定电路参数下 𝑣𝐶𝐸vCE​ 的具体数值。图解法的原理如图3.4.4所示。

图3.4.4 用图解法分析图3.4.3电路

• 当 𝑣𝑖𝑛vin​ 继续升高时 𝑖𝐵iB​ 增加， 𝑅𝐶RC​ 上的压降也随之增大。当 𝑅𝐶RC​ 上的压降接近电源电压 𝑉𝐶𝐶VCC​ 时，三极管上的压降将接近于零，三极管的 𝑣𝐶𝐸vCE​ 之间最后只有一个很小的饱和导通压降和很小的饱和导通内阻，三极管处于深度饱和状态，开关电路处于导通状态，输出端为低电平， 𝑣𝑜𝑢𝑡=𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)≈0vout​=VCE(sat)​≈0。

若以 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)VCE(sat)​ 表示三极管深度饱和时的压降，以 𝑅𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)RCE(sat)​ 表示深度饱和时的导通内阻，则由图3.4.4(a) 可求出深度饱和时三极管所需要的基极电流为 𝑖𝐵(𝑠𝑎𝑡)=𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)𝑅𝐵iB(sat)​=RB​VCC​−VCE(sat)​​。

综上所述，只要合理地选择电路参数，保证当 𝑣𝑖𝑛vin​ 为低电平时 𝑖𝐵<𝐼𝐵(𝑠𝑎𝑡)iB​<IB(sat)​，三极管工作在截止状态；而 𝑣𝑖𝑛vin​ 为高电平时 𝑖𝐵≥𝐼𝐵(𝑠𝑎𝑡)iB​≥IB(sat)​，三极管工作在深度饱和状态，则三极管的 𝑣𝐶𝐸vCE​ 间就相当于一个受 𝑣𝑖𝑛vin​ 控制的开关。

四、三极管反相器的开关等效电路

根据以上的分析，我们可以将三极管开关状态下的等效电路画成如图3.4.5所示的形式。由于截止状态下的 𝑖𝐶iC​ 和 𝑣𝐶𝐸vCE​ 等于零，所以等效电路画成图(a)的形式。图(b)为饱和导通下的等效电路，图中的 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)VBE(on)​ 是发射结b-e的开启电压， 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)VCE(sat)​ 和 𝑅𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)RCE(sat)​ 是c-e间的饱和导通压降和饱和导通内阻。在电源电压远大于 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)VBE(on)​ 且外接负载电阻远大于 𝑅𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)RCE(sat)​ 的情况下，可以将饱和导通状态的等效电路简化为图(c)的形式。

图3.4.5 双极型三极管的开关等效电路

(a) 截止状态 (b) 饱和导通状态 (c) 简化等效电路

用双极型三极管的等效电路代替图3.4.3中的三极管，就得到了图3.4.6中的三极管反相器的等效电路。

图3.4.6 双极型三极管反相器的等效电路

(a) 反相器电路 (b) 输入低电平时的等效电路 (c) 输入高电平时的等效电路

由图可见，输入高电平时电源电压全部加在电阻 𝑅𝐶RC​ 上，电路的功耗很大；而输入低电平时三极管截止，电路的输出电阻很大（等于 𝑅𝐶RC​）。因此，这个电路不宜作为集成电路的基本单元。在下一节里我们将会看到，在双极型的TTL集成电路中，反相器的输出端也采用了类似于CMOS反相器的结构，即使用另一只三极管代替 𝑅𝐶RC​，并且保证无论输出为高电平还是低电平时，输出级两个串联的三极管当中，总是一个导通而另一个截止。

五、双极型三极管反相器的动态开关特性

在动态情况下，亦即三极管在截止与饱和导通两种状态间迅速转换时，三极管内部电荷的建立和消散都需要一定的时间，因而集电极电流 𝑖𝐶iC​ 的变化将滞后于输入电压 𝑣𝑖𝑛vin​ 的变化。在接成三极管开关电路以后，开关电路的输出电压 𝑣𝑜𝑢𝑡vout​ 的变化也必然滞后于输入电压 𝑣𝑖𝑛vin​ 的变化，如图3.4.7所示。这种滞后现象也可以用三极管的b-e间、c-e间都存在结电容效应来理解。

图3.4.7 双极型三极管的动态开关特性

例3.4.1

在图3.4.8所示的反相器电路中，已知 𝑉𝐶𝐶=5𝑉VCC​=5V， 𝑅𝐵=4𝑘ΩRB​=4kΩ， 𝑅𝐶=1.6𝑘ΩRC​=1.6kΩ，二极管 𝐷1D1​、𝐷2D2​、𝐷3D3​ 的正向导通压降为0.7V，三极管发射结（b-e结）的开启电压 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)=0.7𝑉VBE(on)​=0.7V。三极管的饱和导通压降和饱和导通内阻可以忽略不计。若输入信号的高、低电平分别为3.4V和0.2V，试计算：

1. 三极管的电流放大系数 𝛽β 值应取为多少，才能保证输入高电平信号时三极管饱和导通？
2. 输出的高、低电平值。

图3.4.8 例3.4.1 电路

解答：

1. 根据式(3.4.4)可知，如果图3.4.8电路中的三极管工作在饱和状态，则可得：

𝛽=(𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛))𝑅𝐵(𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐷1−𝑉𝐷2−𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛))𝑅𝐶β=(VCC​−VD1​−VD2​−VBE(on)​)RC​(VCC​−VBE(on)​)RB​​

由于输入高电平信号时二极管 𝐷1D1​ 截止，于是得到：

𝛽=(𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛))𝑅𝐵(𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐷2−𝑉𝐷3−𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛))𝑅𝐶=(5𝑉−0.7𝑉)×4𝑘Ω(5𝑉−0.7𝑉−0.7𝑉−0.7𝑉)×1.6𝑘Ω≈3.7β=(VCC​−VD2​−VD3​−VBE(on)​)RC​(VCC​−VBE(on)​)RB​​=(5V−0.7V−0.7V−0.7V)×1.6kΩ(5V−0.7V)×4kΩ​≈3.7

因此，三极管的电流放大系数必须大于3.7。

1. 输入为低电平0.2V时，𝐷1D1​ 导通，P点为0.9V，三极管处于截止状态，故输出的高电平为 𝑉𝑜𝑢𝑡=𝑉𝐶𝐶=5𝑉Vout​=VCC​=5V。

输入为高电平3.4V时，三极管导通