石英晶体的原理与应用技术分享

一、常用的时钟源       

       如果把数字电路比作人体，时钟则相当于人体的血液，而时钟源则相当于人体的心脏，常用的时钟源包括RC振荡电路、晶体振荡电路、压空振荡电路（VCO）、PLL（锁相环）时钟电路和时钟分频电路等，其中：

（1）RC振荡电路由电阻和电容构成，通过电荷的充放电的过程来产生精确定时信号。它可以用作简单的定时器和计时器，但精度相对较低，一般集成于MCU的芯片中，常应用于低功耗、低成本的设计中；

（2）晶体振荡电路使用晶体作为振荡元件，通过晶体的特性来产生稳定的振荡信号。晶体振荡器具有高精度和稳定性，常用于需要高精度时钟的应用，常见用于MCU等处理器芯片外接电路；

（3）VCO是一种可以通过调节控制电压来改变输出频率的振荡器。它常被用于频率合成器、频率调制解调器等应用中，可以根据控制电压的变化来实现频率的可调；

（4）PLL是一种反馈控制系统，用于生成稳定的时钟信号。它包含一个参考时钟信号、相位比较器、锁定环路滤波器和控制电压控制振荡器（VCO）。PLL 可以将输入时钟信号锁定在特定频率上，并且具有抗干扰和抖动的能力，常见于高频模拟电路和高速数字电路中，例如通信电路的调制上变频与解调下变频电路、FPGA与CPLD及高速CPU等应用；

（5）时钟分频电路：时钟分频电路通过将输入的高频时钟信号分频，生成较低频率的时钟信号。它通常基于计数器和逻辑门实现，用于将高频时钟信号分解成系统所需的各种频率；

       晶体振荡电路的实物形式有两种，即有源晶振和无源晶体，其中有源晶振是振荡电路和无源晶体的集成体，使用时仅需要提供电源即可正常使用，应用方法相对简单，但成本相对较高；无源晶体成本相对较低，但使用时需要MCU等提供外部的振荡电路驱动，并且设计必要的电路（匹配电容、串并联电阻等）保证晶体正常工作，该电路设计对晶体至关重要，下面将从原理与应用实践两方面进行重点分享。（原理部分为网络资料整理，应用实践部分为实际工作经历分享）

二、晶体振荡器相关原理

1、有源晶振与无源晶体

       数字电路设计中常用的晶体振荡器分为无源晶体和有源晶振两种类型。无源晶体与有源晶振的英文名称不同，无源晶体为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。无源晶体需要借助于外接时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。

2、石英晶体的主要参数指标

（1）谐振频率：

       无源晶体通常指的就是石英晶体，石英晶体是一种可将电能和机械能相互转化的压电器件，能量转变发生在共振频率点上。它可用如下模型表示：

C0：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，静态电容，其值一般仅与晶体的尺寸有关；

Lm：动态等效电感，代表晶体机械振动的惯性；

Cm：动态等效电容，代表晶体的弹性；

Rm：动态等效电阻，代表电路的损耗；

石英晶体电抗的频域特性如下曲线所示：

       如图，石英晶体具有两个谐振频率，即Fs和Fa：其中Fs是电抗为0时的串联谐振频率，在此频率下，晶体仅出现电阻特性，且阻抗最小，而没有相位偏移，其表达式为：

       在较高频率下，等效电路将呈现电感性，这意味着更高的阻抗；当来自晶体的感抗抵消来自并联电容C0的容抗时，存在具有零相移的另一谐振频率。该频率称为反谐振频率Fa。在此频率下，阻抗达到最大值；晶体中的电感和并联电容将相互馈电，并获得尽可能低的电流消耗；即Fs是电抗趋于无穷大时的并联谐振频率，其表达式为：

       在Fs到Fa的区域称为并联谐振区(图中的阴影部分)，在该区域中，晶体工作在并联谐振状态，它是晶体的正常工作区域，（Fa－Fs）就是晶振的带宽，带宽越窄，晶体品质因素越高，振荡频率越稳定；在此区域晶体呈电感特性，从而带来了相当于180°的相移（结合外部限流电阻和匹配电容等电路）。其工作频率Fp (或FL :负载频率)表达式如下：

      上式中，CL就是制造商提供的晶体手册中提到的负载电容，通过指定外部负载电容CL值，可以使晶体振荡时达到其标称频率；可以通过调节负载电容CL来微调振荡器的频率。下面选取一个标称频率为8MHz的晶体电路参数来进行计算举例：

Rm = 8Ω；Lm = 14.7mH；Cm = 0.027pF；C0 = 5.57pF；带入以上公式计算可得：

Fs = 7988764Hz，Fa = 8008103Hz；

当CL=10pF，则Fp=7995695Hz；若使其达到标称频率8MHz，则CL=4.02pF。

（2）等效串联电阻ESR与驱动电平DL

       等效串联电阻（ESR）是晶体在串联谐振频率下表现出的电阻，其公式为：

       晶体的驱动电平指的是晶体中消耗的功率，晶体的最大驱动电平通常在晶体手册中以μW表示，超过此值可能会损坏或缩短晶体的寿命，可能导致晶体振动发生异常，其公式为：

       上式中，F为标称频率，Vpp为晶体上的峰峰值电压；用上式计算DL并将该值与晶体手册中的最大指定DL进行比较，可以揭示晶体在操作期间是否可能具有可靠性问题。

3、Pierce振荡器

       振荡器由一个放大器和反馈网络组成，反馈网络起到频率选择的作用，如下图所示：

       A(s)为放大器部分，为此闭环系统提供能量以保持其振荡；F(s)为反馈通道，它决定了振荡器的频率；为了起振，巴克豪森条件必须得到满足，即闭环增益应大于1，并且总相移为360°的整数倍；当环路增益大于1时，说明输入信号会在环路中不断被增大，再加上相位为360°的整数倍，可实现信号的线性增大。

       为了让振荡器工作，要保证环路增益大于1，要为晶体起振并维持稳定工作的足够的能量，上电的能量瞬变以及噪声可以提供所需的能量；实际上，在这种条件下的放大器是非常不稳定的，任何干扰进入这种正反馈闭环系统都会使其不稳定并引发振荡启动。干扰可能源于上电，器件禁用/使能的操作以及晶体热噪声等。同时必须注意到，只有在晶体工作频率范围内的噪声才能被放大，这部分相对于噪声的全部能量来说只是一小部分，这也就是为什么晶体振荡器需要相当长的时间才能启动的原因。在相位方面，反馈通道（由晶体及匹配电容和限流电阻组成）会产生180°相移，为了满足相位条件，需要在放大器部分引入180°相移；基于此目前最常用的就是Pierce晶体振荡器电路方案。

Inv：内部反向器，一般是一个施密特反相器，作用等同于放大器，并提供180°相移；

RF：内部反馈电阻，反相器本身是不能驱动晶体振荡的，在反相器的两端并联一个电阻，由电阻完成将输出的信号反向180°反馈到输入端形成负反馈，构成负反馈放大电路；

Rext：外部限流电阻；

CL1和CL2：外接负载电容或匹配电容；

Cs：由于PCB布线及连接（OSC_IN和OSC_OUT）等寄生效应引起的等效杂散电容；

       常见的MCU外接无源晶体的电路原理如下所示，各阻容件根据实际情况进行选用，其中Rp可增加电路为晶体起振提供的能量，阻值为MΩ量级。

三、晶体振荡电路性能的测试与评估：

1、实际振荡频率的测试与评估

      如上图所示，采用示波器或频谱仪对晶体管脚进行测试，需要注意的是探测表笔尽量使用“<1pF”的有源主动探头，或者非接触耦合探头，尽量降低测试工具对被测设备本身参数的影响。本部分涉及到的参数说明如下：

FL：晶体标称振荡频率；

FOSC：晶体在被测设备上工作时实测的振荡频率；

ΔF：FL与FOSC之差；

TS：频率迁移，匹配电容和线路总电容变化对晶体振荡频率精度的影响程度；

振荡频率的评价标准为：

2、负性阻抗余裕度的测试与评估

      负性阻抗余裕度n是评价晶振电路性能的重要指标，其计算公式为：n = NR/RRmax；

NR或|-R|：负性阻抗；

RR：实测晶体本身的等效电阻；

RRmax：晶体标称的最大等效电阻；

      测试方法及步骤如下：（R1为等效串联电阻，相当于上面提到的Rm；Re为晶体等效电阻ESR）

（1）连接测试环境如下图所示，將DUT（被测电路）的XI/XO接上Crystal和C1/C2电容，并串联接入可调电阻VR，将其设为0Ω，并启动DUT；

（2）将有源探头（loading<1pF）接上XO的位置，以避免XI and XO间loading不平均的问题，调整示波器到可以看到clock波形为止；

（3）慢慢调高VR的值直到clock波形消失，之后往回调整，直到重新启动DUT而clock波形还会出现为止。注意：调大VR的过程中，clock的幅度会越来越小直至消失，而不是突然消失；

（4）用万用表记录下此时VR的值，即为该振荡电路的负性阻抗。

负性阻抗余裕度的评价标准为：

3、驱动电平的测试与评估

驱动电平的评价标准为：

4、晶体振荡电路的测试与评估实践：

      泰艺无源晶体 XXDPECNANF-32.768000 手册参数如下：

Parameters	Sym.	Electrical Spec				Notes
		Min.	Typ.	Max.	Units
Nominal Frequency	-	32.768000			MHz	标称频率
Frequency Tolerance	FL	-15	-	15	ppm	at 25℃ ± 3℃
Frequency Stability		-30	-	30	ppm	over operating temp (ref. to 25℃)
Load Capacitance	CL	-	12		pF
Operating Temp. Range	-	-20	-	70	℃
Storage Temp. Range	-	-55	-	125	℃
Drive Level	DL	-	10	200	uW
Shunt Capacitance	Co	-	-	3	pF
Equivalent Series Resistance	ESR	-	-	50	Ω

        我们的产品上使用了该款无源晶体，并且将起振正常的样机1和起振异常的样机2寄给泰艺厂家进行晶振电路设计评估（晶振制造商一般都可免费提供此测试服务），评估测试结果如下：

CL：负载电容CL=CL1*CL2/（CL1+CL2）+CS；

CL1、CL2：晶体两端的匹配电容；

CS：晶体线路杂散电容；

C0：并联电容，静态电容；

C1：串联电容，动态电容；

       以上两台样机中的外接匹配电容不同，样机1为10pF，样机2为20pF，测试结果为：样机1振荡频率准确，但负阻余裕度较低，因此起振能量不足导致不稳定；样机2振荡频率偏频较多，但负阻余裕度高，因此起振能量足够，能够保证正常起振工作。

       最后，希望本文对大家有所帮助！