nand原理

NandFlash原理
据物理结构区别，NandFlash主要分如下两类：
•SLC (Single Level Cell)：单层式存储
•MLC (Multi Level Cell)：多层式存储
在存储格上，SLC只存一位数据，而MLC存两位数据

价格：MLC采用更高密度存储方式，因此同容量MLC价格远低于SLC
访问速度：SLC访问速度比MLC快3倍以上
使用寿命：SLC能进行10万次擦写，MLC能进行1万次
功耗：MLC功耗比SLC高15%左右

内存统一编址，nand独立编址
210开发板nand为SLC 512M，使用8个IO口先传addr，再传cmd(读写擦除)，最后传data
1 Page = (2K + 64)Bytes
1 Block = (2K + 64)B x 64 Pages = (128K + 4K) Bytes
1 Device = (2K+64)B x 64Pages x 4096 Blocks = 4,224 Mbits
//参考K9F4G08U0B p8
行地址为页编号，列地址为页内偏移

1. CLE(Command Latch Enable): 命令锁存允许
2. ALE(Address Lactch Enable): 地址锁存允许
3. CE:芯片选择
4. RE:读允许
5. WE:写允许
6. WP:在写或擦除期间，提供写保护
7. R/B:读/忙