一种简易的Nor flash存储数据机制

Nor Flash的特性如下：

擦除：将“0”变为“1”，擦除单位为 page或者sector。

写：只能将“1”变为“0”，写入单位为32 bits。

Serial Flash：内部集成了SPI接口的一种Nor Flash，一般应用为外部通过SPI接口与MCU连接，相对于片上Nor Flash通常容量较大（4~32M Bytes），设计为：

以Sector为单位进行擦除，以Page为单位进行编程。

而MCU片上Nor Flash通常容量较小（小于4M Bytes），设计为：

以page为单位进行擦除，以32位整字/16位半字/位为单位进行编程。

设计存储数据结构，可使用位域节省空间。

typedef struct _ st_sys_data_

{

    uint8_t b_v1            : 1;

    uint8_t b_v2              : 1;

uint8_t v3               : 2;   

} st_sys_data;

1. 设计数据开始跟结束标志，与sys_data存放在flash中的格式如下：

#define SYS_DATA_START_ID       0x12345678

#define SYS_DATA_END_ID         0x87654321

check_sum : 可以定义为校验和（8 bit/16bit/32bit）或者CRC或者异或运算等。

SYS_DATA_START_ID  + sys_data + check_sum  +SYS_DATA_END_ID 

2. 指定Flash的偏移地址与长度，用来初始化存储区域的地址与长度。

INT32 init_sys_data(UINT32 base_addr, UINT32 len)

{

         if((UINT_MAX == base_addr) ||(SYS_FLASH_SIZE<len)){

                   return ERR_FAILURE;

         }

     g_sys_data_base_addr = base_addr;

     g_sys_data_len = len;

    return SUCCESS;

}

3. 数据保存软件逻辑：

        1.）判定剩余空间是否足够存放sys_data(4+sys_data+4+checksum)，如足够存放跳转到步骤3进行数据存储。

        2.）如空间不够，擦除该段空间。

        3.）依次存储start_id/sys_data/checksum/end_id

4. 数据加载软件逻辑：

1. ）判定数据偏移地址是否合法，若非法返回读取失败。
2. ）从数据偏移地址往回搜寻end_id，找到end_addr。
3. ）从end_addr往回搜寻start_id，找到start_addr。
4. ）判定end_addr/start_addr是否合法（其差值应该等于sys_data+checksum的长度）。
5. ）若合法读取sys_data及checksum。
6. ）计算sys_data的checksum并与读出的checksum校验，若校验通过则读取成功。

5. 应用层创建sys_data_back变量作为拷贝，当sys_data与sys_data_back不相同才调用数据保存流程。数据加载保持更新sys_data_back。

6. 该方案有断电丢失数据的风险。