笔记-一些MOS管和栅驱

简介:目前收集到的一些MOS管和栅极驱动(NVIC)的重要参数,主要是AO和IR两个牌子。当作一个笔记以供以后参考(但不限于从这里选)。


Nmos管型号Vds(V)Id(A)Rds_on(mΩ)(10V)续流二极管电流(A)备注
AO4248604.556-
AO461630820-
AO4806209.4--
AON650830323.248高续流,电阻小
SI9410DY-t130730-
SIR442DP40406.640
NDS9410A307.328
irf832302043.1
irf873630184.8-电阻小
irf81133017.25.63.1
irf872130148.53.1
irf74133013103.1
irf7458301482.3
irf7493809.3159.3
irf7341304.7502双Nmos
FDS6990307.5181.3双Nmos
FDS6294301311.32.1
FDS6930B305.5381.3双Nmos

栅区型号Io+(mA)Io-(mA)死区(ns)Ton(ns)Toff(ns)备注
ir2104130270520680150半桥
ir2101130270-160150上下桥
ir2117200420-125105单mos
ir2106120250-220200上下桥
ir2108120250540220200半桥
ir2109120250540750200半桥
ir2111200420650750150半桥
ir2112200420-125105上下桥

使用要点:
  1. 不严格区分“半桥驱动”和“上下桥驱动”(因为我不知道他们的区别 - -)。
  2. 输入的PWM信号有占比空的范围限制:
    • 上限一般不能到100%(即稳定的高电平)。比如ir2104的HIN端最高可以去到98%。再高的话会看到对应的HO端电压从自举电压(18V供电+1uF自举电容=44V自举电压)慢慢下降到0。(这应该是自举电容放电的过程。又因为失去了足够的充电时间导致不能输出波形。)
    • 下限一般不能到0%。比如ir2104的HIN端最低能去到1.4%。再低的话会看到HO端的输出波形不完整(峰值达不到自举电压44V)。
  3. MOS管击穿后,电流流过时好像可以听到一点声音。
  4. HVIC的工作原理可以参考Fairchild的手册:AN-6076(中文,自行下载~)(我没仔细看~)
  5. MOS管电路设计的深入探究可以看IR的应用笔记:AN-936(英文)(我没看~另外还有许多IR的文档可以从这里查看并下载)
    AN936:The_Do's_and_Don'ts_of_Using_MOS-Gated_Transistors

    AN6076:高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南

### MOSFET动电阻选型指南 #### 考虑因素 在选择MOSFET的动电阻时,需要综合考虑多个因素来确保最佳性能。这些因素包括但不限于: - **极电荷 (Qg)**:这是指完全开启或关闭MOSFET所需的电荷量。较大的极电荷意味着更高的功耗更慢的速度响应。因此,在计算所需的时间常数τ=RG*CGS(其中RG代表外部串联的门极电阻,CGS表示源间寄生电容),应考虑到这一点[^1]。 - **上升时间下降时间**:过大的动电阻会增加开关转换过程中的延迟,从而降低效率并可能引起发热问题;相反,如果阻值太小,则可能导致峰值电流过大,进而损害元件寿命甚至破坏它们。合适的R_G可以优化这两个极端之间的平衡[^2]。 - **振荡风险**:不当设置下的高速切换可能会引发不必要的高频振荡现象,这不仅影响稳定性还增加了EMI辐射水平。适当调整R_G有助于抑制此类不稳定情况的发生[^3]。 #### 计算方法 对于大多数应用而言,可以通过下面的经验公式估算初始值: \[ R_{G}=\frac{V_{GS}}{\left(\frac{d I}{d t}\right)} \] 这里 \( V_{GS} \) 是施加于极上的电压变化幅度,\( dI/dt \) 表示预期的最大di/dt速率。然而实际操作中往往还需要依据具体应用场景微调该数值直至满足所有设计指标为止。 另外一种常用的方法是从制造商提供的典型应用笔记里获取推荐范围内的固定取值作为起点来进行实验验证。例如某些情况下可先尝试使用几十欧姆至几百欧姆不等的标准金属膜电阻器进行测试评估其效果后再做进一步精细调节[^4]。 ```python def calculate_gate_resistor(v_gs, di_dt): """ Calculate the gate resistor value based on given parameters. Args: v_gs (float): Gate-source voltage change amplitude in volts. di_dt (float): Maximum expected current slew rate in A/s. Returns: float: Calculated gate resistor value in ohms. """ r_g = v_gs / di_dt * 1e6 # Convert to Ohm from MOhm return round(r_g) # Example usage voltage_change_amplitude = 10 # Volts current_slew_rate = 5e9 # Ampere per second print(f"Suggested initial RG={calculate_gate_resistor(voltage_change_amplitude, current_slew_rate)}Ω") ```
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