硬件学习笔记--015 MOS管基础知识介绍

最新推荐文章于 2024-07-24 23:36:18 发布
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1.MOS管的组成结构

        MOS管是由金属（Metal）、氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）三部分组成的。其中，金属部分被用作栅极（Gate）、氧化物部分被用作绝缘层（Gate Oxide），半导体部分则被用作沟道（Channel）和源漏极（Source/Drain）。

2.MOS管的种类

MOS管分为NMOS及PMOS两种。

3.MOS管的主要参数

3.1 电压极限参数

1）漏源击穿电压V(BR)DSS：漏源击穿电压V(BR)DSS一般是在结温Tj=25℃下，VGS=0V，ID为数百A下的测试值，由于V(BR)DSS和Rds(on)成反比，因此多数厂家MOSFET的上限为1000V。V

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电子元器件篇—MOS管
weixin_42609431的博客
04-25 7876
一、MOS管的定义 全名MOSFET ，mos管是金属氧化物半导体场效应晶体管（FET），属于电压控制性器件，常用于开关电路。 二、MOS管的分类和记忆方法 增强型和耗尽型：耗尽型一般很少见到，我们说的更多的是增强型的。 MOS又可分为N管和P管。有很多人不好记忆N管和P管。我们用一种简单的方法记忆和使用。如下图以NPN的管子为例，两边是N，中间是P。正常状态下，P将N隔开了，当G极给一个P，P与P相互排斥，这样中间的P被推走了，两边的N就连接了，MOS管就导通了，这种通过N连接导通的就是N管，反之亦然。
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场效应管(MOSFET)如何选型？一文详解选型要点
Super_smartIC的博客
03-12 2844
场效应管(MOSFET)也叫场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力，而且具备输入电阻高、噪声小、功耗低、驱动功率小、开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点，MOSFET在组合逻辑电路、放大器、电源管理、测量仪器等领域应用广泛。MOSFET按导电沟道可分为 P 沟道和 N 沟道，同时又有耗尽型和增强型之分，目前市场主要应用 N 沟道增强型。图1：N沟道和P沟道MOSFETMOSFET经历了3次器件结构上的技术革新：沟槽型、超级结、屏蔽栅。
MOS管选型参数，注意事项
weixin_47699203的博客
03-07 1177
MOS选型手册，相关参数变化图
全面认识MOS管，一篇文章就够了
2401_85015050的博客
05-16 1784
说白了就是NMOS相对 PMOS 来说：简单点。这个简单点，包括生产难度，实现成本，实现方式等等。对于人类发展而言，肯定是从某个事物简单的的部分开始深入研究发展，教学也是相同的道理，从某个简单部分开始更能够让人入门了解一个事物，然后再步步深入。究其根本原因，简单概括如下：我们通过原理分析可以得知，NMOS 是电子的移动，PMOS那就是空穴的移动，空穴的迁移率比电子低，尺寸与电压相等的条件下，PMOS的跨导小于 NMOS，形成空穴沟道比电子沟道更难。
MOS管入门----只谈应用，不谈原理
撒哈拉的初学者的博客
06-26 8万+
大学的时候看到电路中涉及到MOS管的使用，指定头大。前几天偶然看见一篇文档《MOS管原理，非常详细》，对MOS管的使用总结的很透彻，所以整理到这里。以下以增强型MOS管为例解释说明。 1. 三个极怎么判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边 ...
MOS管
jiangchao3392的专栏
04-11 469
参考：https://wenku.baidu.com/view/24f282b0ed630b1c59eeb5b2.html?from=search1， MOS管的 3个管脚的 辨认：S极：无论是P沟道还是N沟道，两跟线相交的就是S极D极：无论是P沟道还是N沟道，单独引线的那边是D极。2，   P沟道与  N沟道区分。箭头指向G极的是N沟道；箭头背向G极的是P沟道；3，寄生二极管的方向N沟道，寄生二...
MOS管基本认识（快速入门）
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1. 三个极的判定G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边2. N沟道与P沟道判别箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道3. 寄生二极管方向判定不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：...
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笔记-webpack5学习指南-V1.0
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mos管
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mos管 编辑 mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 中文名mos管外文名me
MOS 管 场效应管
CSDN博客
08-11 1248
一、什么是MOS管？ MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，英文名metal oxide semiconductor，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。 二、MOS管的构造。 MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，无论是图一的N型还是图二的P型都是一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导.
MOS管（又叫场效应管）
weixin_58773850的博客
08-08 779
MOSFET原意:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化物(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。但随半导体技术的进步，现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属.用一块N型硅半导体材料作衬底;最后在N区上方用腐蚀的方法做两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极:G(棚极)、S(源极)及D(漏极),目前已用多晶硅来代替了金属;
场效应管（MOS管）
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04-08 1万+
简述： 符号所代表的涵义如图所示。栅极没有电压截止，给栅极施加电压按绿色箭头方向导通 原理： N型半导体是4价二氧化硅中掺入5价元素，5价元素中的四个外层电子与二氧化硅形成稳定的共价键，从而半导体表现出多一个电子，整体带负电，取Negative首字母N。 P型半导体是在二氧化硅中掺入3价元素，结合后，表现出多一个空穴，整体带正点，取Positive首字母P。 给两个N型半导体接两个金属板作为漏极和源极，上电后相当于两个二极管，所以是截止的 为了导通，在P区加了二氧化硅绝缘层，外面加上
硬件基础：MOS管
qq_28576837的博客
12-04 409
MOSFET由(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+(Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成，即全称为，简称。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，MOSFET因此又被称为。实际上场效应管分为和两种不同的结构。
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啊维的博客
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本文指在详对MOS管的应用、选型关键参数、工作过程的损耗做分析。一、MOS管的类型与应用MOS管属于电压驱动型器件，广泛应用于现代电子电路中，常作为电子开关、放大器等功能使用。箭头往里：NMOS箭头往外：PMOS箭头的方向代表了负电子的走向。1.1 应用例子控制信号G极为高电平时MOS管导通；低电平时，MOS管断开。控制信号G极为低电平时MOS管导通；高电平时，MOS管断开。注意Vgs(th)电压；
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