1.MOS管的组成结构
MOS管是由金属(Metal)、氧化物(Oxide)和半导体(Semiconductor)三部分组成的。其中,金属部分被用作栅极(Gate)、氧化物部分被用作绝缘层(Gate Oxide),半导体部分则被用作沟道(Channel)和源漏极(Source/Drain)。
2.MOS管的种类
MOS管分为NMOS及PMOS两种。
3.MOS管的主要参数
3.1 电压极限参数
1)漏源击穿电压V(BR)DSS:漏源击穿电压V(BR)DSS一般是在结温Tj=25℃下,VGS=0V,ID为数百A下的测试值,由于V(BR)DSS和Rds(on)成反比,因此多数厂家MOSFET的上限为1000V。V