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RSS订阅原创 硬件学习笔记--019 DC/DC的电感底部覆铜是否需要扣铜
电感有交变电流，电感底部铺铜会在地平面上产生涡流，涡流效应会影响功率电感的电感量，涡流也会增加系统的损耗，同时交变电流产生的噪声会增加地平面的噪声，会影响其他信号的稳定性。现在的电感的生产工艺升级，电感采用屏蔽型电感，泄露的磁感线很少，对电感的感量影响不大，还能有利于散热。现在的电感的生产工艺升级，电感采用屏蔽型电感，泄露的磁感线很少，对电感的感量影响不大，还能有利于散热。对于屏蔽型电感底部可以不考虑扣铜，对于非屏蔽型电感，如果对感量影响敏感则可以扣铜处理，但需要注意对EMI的影响。
2024-01-02 23:07:30
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原创 硬件学习笔记--018 安规X电容及安规Y电容简介
特别指出：作为安全电容的Y电容,要求必须取得安全检测机构的认证。根据实际需要,X电容的容值允许比Y电容的容值大,但此时必须在X电容的两端并联一个安全电阻,用于防止电源线拔插时,由于该电容的充放电过程而致电源线插头长时间带电。各类安规电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，安规电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和安规电容所有金属部分的电阻所引起的。在直流电场的作用下，安规电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，安规电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。
2023-11-28 23:05:12
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原创 硬件学习笔记--017 锂亚硫酰氯电池基础知识介绍
Li/SOCl2电池被制作成各种各样的尺寸和结构，容量范围从低至400mAh的圆柱形炭包式和卷绕式电极结构电池，到高达10000Ah的方形电池以及许多可满足特殊要求的特殊尺寸和结构的电池。鲤/亚硫酷氯电池负极是金属(Li)，正极活性物质和电解液溶剂都是亚硫酷氯(SOCI2) ，在所有可以实际使用的化学电源中具有最高的比容量和比能量，司时更因为具有如下显著的技术特点，而被作为一种新型能源系统广泛应用于许多现代电子设备。经过特殊设计的钾/亚硫酷氯电池，其工作温度范围可以延伸到高达+125C，其至+200C。
2023-11-26 23:14:17
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原创 硬件学习笔记--016 为什么三极管不能并联使用
那么，两个MOSFET并联后，GS电压是相等的。压控压型管子理论上讲只要两个相同参数的MOSFET的GS电压一样，那么两个MOSFET的Rdson的内阻是相等的，两个管子流过的Id电流也是相等的。两个三极管并联，因为是流控流型的管子，需要精确控制两个Ib电流相等，那么由于三极管的内阻是负温度系数，即温度越高，内阻越小，这将导致电流进一步增大，从而形成一个正反馈，最终导致管子烧掉。在实际应用中，需要根据具体情况综合考虑各种因素，并采取相应的措施来解决问题，以确保并联使用的三极管能够正常工作。
2023-11-23 23:54:18
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原创 硬件学习笔记--015 MOS管基础知识介绍
1）漏源击穿电压V(BR)DSS：漏源击穿电压V(BR)DSS一般是在结温Tj=25℃下，VGS=0V，ID为数百A下的测试值，由于V(BR)DSS和Rds(on)成反比，因此多数厂家MOSFET的上限为1000V。此外，即使将VGS提高到12V~15V以上，也不会对Rds(on)的降低起多大作用（如果在占空比小的情况下有接近或超出直流额定电流的运用，另当别论），不必要地增大这种栅压，会加大充电电流，增加驱动损耗，并容易在栅源间发生尖峰电压。相同的结温下，随着ID增大，Rds(on)有轻微增大。
2023-11-23 23:41:28
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原创 硬件学习笔记--014 三极管基础知识介绍
该电路具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗，所以被用作阻抗匹配电路，以改善电压信号的负载效应（输出随负载改变的现象）。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。集电极电流通过晶体管时引起功耗， 并使集电结发热， 结温升高， 为了限制温度不超过允许值， 而规定集电极功耗的最大值，称为集电极最大允许耗散功率 PCM。
2023-11-22 23:27:55
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原创 硬件学习笔记--013 二极管主要参数及选型
2）最早的SiC二极管时纯肖特基结构的，其优点是Vf值比较低，但是抗浪涌能力很差，器件长期可靠性风险高，后续SiC主流厂家Cree等陆续推出JBS（Junction Barrier Schottky）结构的SiC二极管，可以显著提高抗浪涌能力，提高器件长期可靠性能。普遍串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可，禁止选用Openjuction工艺的二极管，禁止选择轴向插装的二极管。
2023-11-21 22:10:57
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原创 硬件学习笔记--012 光耦元器件基础及参数介绍
当输入端无信号，发光二极体不亮，光敏三极管截止，CE不通。此时 Ic工作在线性状态的光耦，Ic=If*CTR，副边三极管压降的大小等于 Vcc-Ic*R L ，Vout= Ic*R L=(Vin-1.6V)/Ri * CTR*R L ，Vout 大小直接与 Vin 成比例，一般用于反馈环路里面 (1.6V 是粗略估计，实际要按器件资料，后续 1.6V 同)。1）Iceo集电极暗电流（Collector dark current）：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流。
2023-11-21 00:09:19
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原创 硬件学习笔记--011 继电器基础知识介绍
振动稳定性:指闭合触点断开的时间和断开触点闭合的时间在规定时间内的情况下，继电器所能承受的振动值，一般以振动幅度“mm”和振动频率“Hz”组合表示。指处于动作状态的继电器，从断开线圈上施加的额定电压的瞬间起，到继电器的常闭触点闭合瞬间为止的时间 (不含释放回跳时间) ，一般以“ms”表示。,指在互不相连的导电部分之间施加规定电压时，所呈现的阻抗，一般以"MO"表示。一般指在适用的最高环境温度下，线圈上施加规定电压，触点上施加额定负载，待温度稳定后，线圈所上升的温度，一般给出最大值，以“K”表示。
2023-11-19 22:54:33
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原创 硬件学习笔记--010 压敏电阻器基础知识介绍
压敏电阻的结电容一般在几百到几千pF的数量级范围，很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中，应用在交流电路的保护中时，因为其结电容较大会增加漏电流，在设计防护电路时需要充分考。当电路中出现雷电过电压或瞬态操作过电压Vs时，压敏电阻器和被保护的设备及元器件同时承受Vs，由于压敏电阻器响应速度很快，它以纳秒级时间迅速呈现优良非线性导电特性，此时压敏电阻器两端电压迅速下降，远远小于Vs，这样被保护的设备及元器件上实际承受的电压就远低于过电压Vs，从而使设备及元器件免遭过电压的冲击。
2023-11-14 23:40:38
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原创 硬件学习笔记--009 磁珠基础知识介绍
磁珠是用来吸收超高频信号，像一些RF电路，PLL，振荡电路，含超高频存储器电路（DDR SDRAM，RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种蓄能元件，用在LC振荡电路，中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHZ。1）直流导通电阻（DCR）：由于磁珠内部与电感类似，其导线也是有阻抗的，这个阻抗与线圈的多少有关，而线圈的多少与 100Mhz 时的阻抗大小也是成正比的。如果想要看到其全频带的阻抗，那就要去看具体磁珠的阻抗-频率曲线了，包含 Z， X， R。
2023-11-13 23:02:42
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原创 硬件学习笔记--008 LDO（低压差线性稳压器）基础知识
7）纹波抑制比PSRR：PSRR（Power supply rejection ratio）又称电源抑制比，是衡量电路对于输入电源中纹波抑制大小的重要参数，表示为输出纹波和输入纹波的对数比，单位为分贝（dB）[1]，其计算公式为:PSRR=20logRipple input/Ripple output。6）动态响应：使急剧负载电流变动所引起的输出电压变动收敛的速度。5）压差电压：输出稳定所需要的电压差值，指的输入输出之间的电压差值，输入电压需要高于输出电压+压差电压，低于这个压差将无法保证正常工作。
2023-11-10 23:55:40
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原创 硬件学习笔记--007 铝电解电容器介绍
陶瓷电容的容值一般比较小，且耐压值有限。本文主要介绍的比较常用的铝电解电容器，其中又分为固态电容及液态电容。铝电解电容的常用特性参数有：电容量、损耗角正切、漏电流、额定工作电压、等效串联电阻、纹波电流等。单位换算：1F=10^3mF=10^6μF=10^12pF。1）电容量的单位主要为μF，指的电容器的标称电容量值。3）漏电流是用来表征电解电容的绝缘质量。4）ESR指的电解电容的等效串联电阻值。
2023-11-06 23:12:18
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原创 硬件学习笔记--006 超级电容基础知识介绍
当放电的时候，电极上的电子通过外部电路从一极流向另外一极。电化学电容器中，每单位电压能储存的电荷量基本上是电极尺寸的函数，双电层中的静电储能与储存的电荷呈线性关系，并与吸附离子的浓度相对应。双电层电容器具有远高于电池的功率密度，因此，虽然现有的双电层电容器的能量密度是传统电池的1/10，但其功率密度是后者的10至100倍。所谓的超级电容指的是容量比较大的电容，一般都是F（法拉）级别的，主要用于掉电作为备用电源，短时间内提供电源，比如设备的停电上报或者更换电池时作为备用电源，保证设备不掉电，时钟不丢失等。
2023-11-06 16:30:37
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原创 硬件学习笔记--004 MLCC电容相关知识介绍
常用的固定电容工作电压有6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、200V、250V、400V、450V、475V、500V、600V、630V。1210，1812，1825，2225，3012、3035为大规格贴片电容，电容范围在1uf~100uf。I类电容器为温度补偿性，一般介电材质为氧化钛、锆酸钙等，其介电常数不会随温度、电压的变化而变化，因此其容量基本稳定，即使处于高温、高电压、高频率的环境仲，其tanΘ（损耗正切）也很小，稳定性极佳，且其Q值较高，适合在。8)漏电流和绝缘电阻。
2023-08-20 22:05:35
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