摩尔定律如何延续？芯片未来的发展方向？

提高芯片性能有两条技术路径，一条是自下而上，一条是自上而下。自下而上是通过提高单个器件的性能，带动整体性能的提升。自上而下是从系统层面进行优化。

当前热门的技术：

1.前沿技术1：环绕栅晶体管（GAAFET）对沟道最大程度的控制

2.前沿技术2：片上系统（soc）在单独芯片上集成有完整功能的电路系统，集成度最高，功耗最低，但是工艺困难。工艺最复杂，生产最高端芯片的技术方案

3.前沿技术3：系统级封装（SiP）SiP的封装里有好几颗子芯片，每个子芯片各自实现不同的功能，且加工工艺可以不一样，性能和功耗相比于SOC有些差距，但加工难度小了很多。

4.前沿技术4：AI芯片为AI算法提供算力保障

未来值得关注的技术：

1.前沿技术1：新原理器件①新型低维材料：碳纳米管或者石墨烯等低维材料，他们的优势是电子的传输速度比在硅中快很多。②自旋器件：自旋就是电子在顺时针或者逆时针的自转，代表0和1.所以自选器件的开关不用电流的流动，只靠电子的翻转就行了，所以可以实现高速低功耗的器件。

2.前沿技术2：可重构芯片芯片内部的电路结构可以根据软件进行调整，从而对不同的软件都达到定制化硬件的性能。这种芯片对任何软件都是定制化芯片。

3.前沿技术3：经典芯片和量子芯片相结合量子芯片可以用于大规模的优化问题，但还未成熟，所以需要把一个实际问题拆解，困难的交给量子芯片，简单得到经典芯片就能解决。

4.前沿技术4：类脑芯片存算一体芯片，大大降低了数据传输的功耗，可以利用阻变存储器来实现（器件的电阻值会根据电流改变，上一次的运算结果以电阻值保存在电阻里，影响下一次的运算）。