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学术研究
文章平均质量分 91
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忆阻器、半导体物理、二维纳米材料、神经网络、深度学习、机器学习、算法设计等
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材料物理 笔记-9
原内容请参考哈尔滨工业大学何飞教授:https://www.bilibili.com/video/BV18b4y1Y7wd/?p=12&spm_id_from=pageDriver&vd_source=61654d4a6e8d7941436149dd99026962或《材料物理性能及其在材料研究中的应用》(哈尔滨工业大学出版社)原创 2024-05-22 02:43:56 · 1051 阅读 · 0 评论 -
材料物理 笔记-8
原内容请参考哈尔滨工业大学何飞教授:https://www.bilibili.com/video/BV18b4y1Y7wd/?p=12&spm_id_from=pageDriver&vd_source=61654d4a6e8d7941436149dd99026962或《材料物理性能及其在材料研究中的应用》(哈尔滨工业大学出版社)原创 2024-05-13 22:41:58 · 996 阅读 · 0 评论 -
材料物理 笔记-7
原内容请参考哈尔滨工业大学何飞教授:https://www.bilibili.com/video/BV18b4y1Y7wd/?p=12&spm_id_from=pageDriver&vd_source=61654d4a6e8d7941436149dd99026962或《材料物理性能及其在材料研究中的应用》(哈尔滨工业大学出版社)原创 2024-05-06 23:38:16 · 773 阅读 · 0 评论 -
材料物理 笔记-6
原内容请参考哈尔滨工业大学何飞教授:https://www.bilibili.com/video/BV18b4y1Y7wd/?p=12&spm_id_from=pageDriver&vd_source=61654d4a6e8d7941436149dd99026962或《材料物理性能及其在材料研究中的应用》(哈尔滨工业大学出版社)原创 2024-04-16 17:50:54 · 885 阅读 · 0 评论 -
材料物理 笔记-5
原内容请参考哈尔滨工业大学何飞教授:https://www.bilibili.com/video/BV18b4y1Y7wd/?p=12&spm_id_from=pageDriver&vd_source=61654d4a6e8d7941436149dd99026962或《材料物理性能及其在材料研究中的应用》(哈尔滨工业大学出版社)原创 2024-04-11 00:23:53 · 845 阅读 · 0 评论 -
材料物理 笔记-4
原内容请参考哈尔滨工业大学何飞教授:https://www.bilibili.com/video/BV18b4y1Y7wd/?p=12&spm_id_from=pageDriver&vd_source=61654d4a6e8d7941436149dd99026962或《材料物理性能及其在材料研究中的应用》(哈尔滨工业大学出版社)原创 2024-04-04 17:55:51 · 1079 阅读 · 0 评论 -
材料物理 笔记-3
原内容请参考哈尔滨工业大学何飞教授:https://www.bilibili.com/video/BV18b4y1Y7wd/?p=12&spm_id_from=pageDriver&vd_source=61654d4a6e8d7941436149dd99026962或《材料物理性能及其在材料研究中的应用》(哈尔滨工业大学出版社)原创 2024-03-19 22:07:26 · 980 阅读 · 0 评论 -
材料物理 笔记-2
原内容请参考哈尔滨工业大学何飞教授:https://www.bilibili.com/video/BV18b4y1Y7wd/?p=12&spm_id_from=pageDriver&vd_source=61654d4a6e8d7941436149dd99026962或《材料物理性能及其在材料研究中的应用》(哈尔滨工业大学出版社)原创 2024-03-06 00:44:21 · 1007 阅读 · 0 评论 -
Crossbar阵列的电路结构及其基本原理
忆阻器Crossbar阵列是一种先进的神经网络硬件实现技术,它利用忆阻器的物理特性来模拟神经网络中的突触连接,为人工智能和机器学习应用提供了一种高效、低能耗的计算平台。本文将深入探讨忆阻器Crossbar阵列的基本原理及其在Read(读取)和Update(更新)阶段的工作机制。原创 2024-03-04 20:40:08 · 1811 阅读 · 0 评论 -
材料物理 笔记-1
原内容请参考哈尔滨工业大学何飞教授:https://www.bilibili.com/video/BV18b4y1Y7wd/?或《材料物理性能及其在材料研究中的应用》(哈尔滨工业大学出版社)原创 2024-02-28 14:51:22 · 1262 阅读 · 0 评论 -
希腊字母的LaTex代码表
红色标注表示常用符号。原创 2024-02-25 22:52:25 · 919 阅读 · 0 评论 -
半导体物理基础-笔记(续)
总空穴浓度=平衡空穴浓度+非平衡空穴浓度总电子浓度=平衡电子浓度+非平衡电子浓度且热平衡电子浓度和热平衡空穴浓度不随时间变化,在均匀半导体的特殊情况下还和空间坐标无关,则连续性方程可写为如下形式:在这种描述形式下,某些项只包含总浓度,某些项只包含非平衡浓度,便于计算。原创 2024-02-25 22:34:58 · 2690 阅读 · 0 评论 -
半导体物理基础-笔记
源内容参考:https://www.bilibili.com/video/BV11U4y1k7zn/?spm_id_from=333.337.search-card.all.click&vd_source=61654d4a6e8d7941436149dd99026962原创 2024-02-17 16:13:21 · 1389 阅读 · 0 评论 -
忆阻器芯片STELLAR权重更新算法(清华大学吴华强课题组)
学习对于边缘智能设备适应不同的应用场景和所有者非常重要。目前用于训练神经网络的技术需要在计算和存储单元之间移动大量数据,这阻碍了在边缘设备上实现学习。我们开发了一种完全集成的忆阻器芯片,具有改进的学习能力和低能耗。STELLAR架构中的方案,包括其学习算法、硬件实现和并行电导调谐方案,是通过使用忆阻器交叉阵列来促进片上学习的一般方法,而不管忆阻器器件的类型。在这项研究中执行的任务包括运动控制,图像分类和语音识别。原创 2024-01-09 21:02:22 · 1280 阅读 · 0 评论 -
ReRAM通用电导模型(Yu et al.)拟合非线性度A的源代码(.m)
这段 MATLAB 代码 nonlinear_fit.m 用于拟合和可视化长时程增强(Long-Term Potentiation, LTP)和长时程抑制(Long-Term Depression, LTD)的实验数据。原创 2024-01-04 21:03:08 · 512 阅读 · 3 评论 -
半导体物理基础-笔记
参考内容链接:https://www.bilibili.com/video/BV11U4y1k7zn/?spm_id_from=333.337.search-card.all.click&vd_source=61654d4a6e8d7941436149dd99026962原创 2023-12-17 18:34:04 · 1444 阅读 · 0 评论 -
【笔记】Associative and predictive hippocampal codes support memory-guided behaviors (RESEARCH SUMMARY)
INTRODUCTION: The brain generates models ofthe environment that are used to guide flexiblebehaviors. This process requires learning thestates of the world (such as specific locations)as well as the transitional relationships be-tween those states (e.g., su原创 2023-11-22 17:29:22 · 90 阅读 · 0 评论 -
【论文笔记】Cracking the neuronal code of episodic memory
● 这些发现对于理解影响episodic memory的神经退行性和神经发育障碍(包括阿尔兹海默症和自闭症谱系障碍)具有重要意义。● 联想记忆与预测能力可能受到可分离神经元编码的支持,这可能意味着episodic memory的这些特定方面在这些疾病中受到不同的影响。和/或在进行性疾病(例如阿尔兹海默症)的不同阶段受到影响。原创 2023-11-22 17:27:00 · 39 阅读 · 0 评论 -
基于梯度下降原理的电控神经形态器件电导分配结论
对于存在多阻态特性的栅极激励的三端器件和电脉冲激励的二端器件(例如:CIPS/CBPS/CVPS等),根据欧姆定律及阻态的非负性的限制,神经突触的权重必须依靠一对器件来实现其功能,通常采用差分对进行编码,如下式所示。原创 2023-10-24 16:13:05 · 71 阅读 · 0 评论 -
为什么忆阻器或二端器件有望成为未来芯片的主流器件?
首先,根据我个人对忆阻器的理解与认识,我认为应当参考如下几点:(1)基础性:根据忆阻器之父蔡少棠教授的理论[1],忆阻器(全称记忆电阻器,Memristor)是人类发现的第四种基本电子元件,它由磁通量(或电压在时间上的积分)与电荷量共同决定,数值上等于磁通量对电荷量的一阶微分,忆阻器会记忆流经它的所有电荷的信息。因此忆阻器非常具有研究价值,并且拥有不可估量的潜在研究价值;(2)集成性:二端器件可通过crossbar方法实现超大规模集成的可编程性阵列;原创 2023-09-14 19:34:37 · 381 阅读 · 1 评论