半导体制造工艺流程

材料分类

半导体分类

1. 元素半导体：如Ge、Si等，由单一元素构成。
2. 化合物半导体：由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料，如砷化镓、磷化锢以及镓砷硅等。
3. 无定形半导体：用作半导体的玻璃是一种非晶体无定形半导体材料，分为氧化和非氧两种。
   

技术要求

“三超”技术

超净技术

即要求严格控制工作环境中的尘埃，做到无污染生产。目前的尘埃颗粒直径已能控制在0.1微米。0.25工艺下，在1立方米空气中，直径大于0.1微米的尘埃不能超过100个。

超高纯度技术

要求制造过程中所用的材料、气体和试剂都必须是超纯的。目前已能控制的有害杂质含量可达ppb（十亿分之一）以下。

超微细加工技术

通常把最小线宽（栅长）为微米级或亚微米级的加工技术统称为微细加工技术，主要包括晶体生长和薄层生成技术、微细图形加工技术、精密控制掺杂技术等。决定集成电路集成度的主要因素是这些技术水平所决定的基片材料拉制的直径大小和每个元件具有的微小尺寸。

整体步骤

半导体整体制造过程的八个步骤

晶圆加工

氧化

刻蚀

薄膜沉积

互连

测试

封装

晶圆加工

晶圆

晶圆是将硅或砷化镓制成的单晶柱体切割形成的圆薄片。要提取高纯度的硅材料需要用到硅砂，一种二氧化硅含量高达95%的特殊材料，也是制作晶圆的主要原材料。晶圆加工就是制作获取上述晶圆的过程。

晶圆加工的三个步骤

1.铸锭

首先需将沙子加热，分离其中的一氧化碳和硅，并不断重复该过程直到获得超高纯度的电子级硅（EG-Si）。高纯硅熔化成液体，进而在凝固成单晶体固体形式，称为“锭”，其广泛应用的制造方法就是提拉法。

2.锭切割

前一个步骤完成后，需要用金刚石锯切掉铸锭的两端，再将其切割成一定厚度的薄片。锭薄片直径决定了晶圆的尺寸。

3.晶圆表面抛光

通过锭切割过程获得的薄片被称为“裸片”，无法直接在上面印制电路图形。因此需要先通过研磨和化学刻蚀工艺去除表面瑕疵，然后通过抛光形成光洁的表面，再通过清洗去除残留污染物，即可获得表面整洁的成品晶圆。

氧化

氧化过程的作用是在晶圆表面形成保护膜。它可以保护晶圆不受化学杂质影响、避免漏电进入电路、预防离子植入过程中的扩散以及防止晶圆在刻蚀时滑脱。

第一步-去除杂质和污染物

氧化过程的第一步是去除杂质和污染物，需要通过四步去除有机物、金属等杂质以及蒸发残留的水分。清洁完成后就可以将晶圆置于800℃至1200℃的高温环境下，通过氧气或蒸气在晶圆表面的流动形成二氧化硅（氧化物层）。氧气扩散通过氧化层与硅反应形成不同厚度的氧化层，可以在氧化完成后测量它的厚度。

第二步-氧化

根据氧化反应中氧化剂的不同，热氧化过程可分为干法氧化和湿法氧化。

干法氧化

干法氧化使用纯氧产生二氧化硅层，速度慢但氧化层薄而致密。

湿法氧化

湿法氧化需要同时使用氧气和高溶解度的水蒸气，其特点是生长速度快但保护层相对较厚且密度较低。

除氧化剂以外影响氧化层厚度的变量

1. 晶圆结构及其表面缺陷和内部掺杂浓度都会影响氧化层的生成速率；
2. 氧化设备产生的压力和温度越高，氧化层的生成就越快。
   

假片

在氧化过程中，还需要根据单元中晶圆的位置而使用假片，以保护晶圆并减小氧化度的差异。

光刻

光刻是通过光线将电路图案印刷到晶圆上，我们可以将其理解为在晶圆表面绘制半导体制造所需的平面图。电路图案的精细度越高，成品芯片的集成度就越高，必须通过先进的光刻技术才能实现。具体来说，光刻可分为涂覆光刻胶、曝光和显影三个步骤。

1.涂覆光刻胶

晶圆表面的光刻胶层越薄，涂覆越均匀，可以印刷的图形就越精细。根据光（紫外线）反应性的区别，光刻胶可分为正胶和负胶。

正胶

在受光后分解并消失，从而留下未受光区域的图形。

负胶

在受光后聚合并让受光部分的图形显现出来。

2.曝光

通过控制光线照射来完成电路印刷的过程就称为曝光。在曝光过程中印刷图案越精细，最终芯片就能够容纳更多元件，这能够提高生产效率并降低单个元件成本。

3.显影

曝光之后在晶圆上喷涂显影剂，目的是去除图形未覆盖区域的光刻胶，从而让印刷好的电路图案显现出来。显影完成后需要通过各种测量设备和光学显微镜进行检查，确保电路图绘制的质量。

刻蚀

在晶圆上完成电路图的光刻后，就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点需要利用液体、气体或等离子体来去除选定的多余部分。刻蚀的方法主要分为两种，取决于所使用的物质。

湿法刻蚀

使用化学溶液去除氧化膜的湿法刻蚀具有成本低、速度快和生产率高的优势。然而湿法刻蚀具有各向同性的特点，即其速度在任何方向上都是相同的。这会导致掩膜（或敏感膜）与刻蚀后的氧化膜不能完全对齐，因此很难处理非常精细的电路图。

干法刻蚀

方法1：化学刻蚀

使用的是刻蚀气体（主要是氟化氢）。和湿法刻蚀一样，这种方法也是各向同性的，这意味着它也不适合用于精细的刻蚀。

方法2：物理溅射

用等离子体中的离子来撞击并去除多余的氧化层，它的精细度超过化学刻蚀，但刻蚀速度较慢。

方法3：反应离子刻蚀（RIE）

RIE结合了前两种方法，即在利用等离子体进行电离物理刻蚀的同时，借助等离子体活化后产生的自由基进行化学刻蚀。刻蚀速度更快，并且RIE可以利用离子各向异性的特性，实现高精度图案的刻蚀。

薄膜沉积

薄膜

薄膜是指厚度小于1微米，无法通过普通机械加工方法制造出来的膜。

沉积

将包含所需分子或原子单元的薄膜放到晶圆上的过程就是沉积。

叠层

要形成多层的半导体结构，我们需要先制造器件叠层，即在晶圆表面交替堆叠多层薄金属（导电）膜和介电（绝缘）膜，之后再通过重复刻蚀工艺去除多余部分并形成三维结构。

沉积技术

可用于沉积过程的技术包括化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）、物理气相沉积（PVD）。这些技术的方法又可分为干法和湿法沉积两种。

化学气相沉积（CVD）

在化学气相沉积中，前驱气体会在反应腔发生化学反应并生成附着在晶圆表面的薄膜以及被抽出腔室的副产物。
等离子体增强CVD则需要借助等离子体产生反应气体。这种方法降低了反应温度，因此非常适合对温度敏感的结构。使用等离子体还可以减少沉积次数，往往可以带来更高质量的薄膜。

原子层沉积（ALD）

原子层沉积通过每次只沉积几个原子层从而形成薄膜。该方法的关键在于循环按一定顺序进行的独立步骤并保持良好的控制：
在晶圆表面涂覆前驱体是第一步，之后引入不同的气体与前驱体反应即可在晶圆表面形成所需的物质。

物理气相沉积（PVD）

指通过物理手段形成薄膜。溅射就是一种PVD方法，其原理是通过氩等离子体的轰击让靶材的原子溅射出来并沉积在晶圆表面形成薄膜。在某些情况下，可以通过紫外线热处理（UVTP）等技术对沉积膜进行处理并改善其性能。

互连

通过基于晶圆的光刻、刻蚀和沉积工艺可以构建出晶体管等元件，但还需要将它们连接起来才能实现电力和信号的发送与接收。金属因其具有导电性而被用于电路互连。

用于半导体的金属需要满足的条件

1. 低电阻率；
2. 热化学稳定性高；
3. 高可靠性；
4. 制造成本低。
   

铝互连工艺

铝互连工艺始于铝沉积、光刻胶应用以及曝光与显影，随后通过刻蚀有选择地去除多余的铝和光刻胶，然后才能进入氧化过程。
前述步骤完成后再不断重复光刻、刻蚀和沉积过程，直至完成互连。
铝电路是通过沉积形成的，晶圆进入真空腔后，铝颗粒形成的薄膜会附着在晶圆上。这一过程称为气相沉积（VD），包括CVD和PVD。

铝互连的特点

铝具有出色的导电性，容易光刻、刻蚀和沉积，铝的成本较低，与氧化膜粘附的效果也比较好。其缺点是容易腐蚀且熔点较低。此外，为防止铝与硅发生反应导致连接问题，还需要添加金属沉积物将铝和晶圆隔开，这种沉积物被称为阻挡金属。

铜互连工艺

铜的电阻更低，因此能实现更快的器件连接速度。铜的可靠性更高，因为它比铝更能抵抗电迁移，也就是电流流过金属时发生的金属离子运动。但是铜不容易形成化合物，因此很难将其气化并从晶圆表面去除。

铜互连方法-镶嵌工艺

采用沉积和刻蚀介电材料，这样就可以在需要的地方形成由沟道和通路孔组成的金属线路图形，之后再将铜填入前述“图形”即可实现互连，最后的填入过程被称为“镶嵌工艺”。

电镀

随着铜原子不断扩散至电介质，电介质的绝缘性会降低并产生阻挡铜原子继续扩散的阻挡层。之后阻挡层上会形成很薄的铜种子层。到这一步之后就可以进行电镀，即用铜填充高深宽比的图形。填充后多余的铜可以用金属化学机械抛光（CMP）方法去除，完成后即可沉积氧化膜，多余的膜则用光刻和刻蚀工艺去除即可。
上述整个过程需要不断重复直到完成铜互连为止。

测试

测试的主要目标是检验半导体芯片的质量是否达到一定标准，从而消除不良产品并提高芯片的可靠性。另外，经测试有缺陷的产品不会进入封装步骤，有助于节省成本和时间。

电子管芯分选（EDS）工艺

电子管芯分选（EDS）是一种检验晶圆状态中各芯片的电气特性并由此提升半导体良率的工艺。EDS可分为五步：

① 电气参数监控（EPM）

EPM是半导体芯片测试第一步。该步骤将对半导体IC需要用到的每个器件（包括晶体管、电容器和二极管）进行测试，确保其电气参数达标。EPM的主要作用是提供测得的电气特性数据，这些数据将被用于提高半导体制造工艺的效率和产品性能。（并非检测不良产品）

② 晶圆老化测试

半导体不良率来自两个方面，即制造缺陷的比率（早期较高）和之后整个生命周期发生缺陷的比率。
晶圆老化测试是指将晶圆置于一定的温度和AC/DC电压下进行测试，由此找出其中可能在早期发生缺陷的产品，也就是说通过发现潜在缺陷来提升最终产品的可靠性。

③ 检测

老化测试完成后就需要用探针卡将半导体芯片连接到测试装置，之后就可以对晶圆进行温度、速度和运动测试以检验相关半导体功能。

④ 修补

修补是最重要的测试步骤，因为某些不良芯片是可以修复的，只需替换掉其中存在问题的元件即可。

⑤ 点墨

未能通过电气测试的芯片在之前几个步骤中被分拣出来，但还需要加上标记才能区分它们。这个过程由系统根据测试数据值自动进行分拣。

封装

经过前几个工艺处理的晶圆上会形成单个晶片，下面就是切割获得单独的芯片。刚切下来的芯片很脆弱且不能交换电信号，需要单独进行处理。这一处理过程就是封装，包括在半导体芯片外部形成保护壳和让它们能够与外部交换电信号。

封装制程

① 晶圆锯切

首先要研磨，研磨后就可以沿着晶圆上的划片线进行切割，直至将半导体芯片分离出来。晶圆锯切技术分为刀片切割（用金刚石刀片切割，易产生摩擦热和碎屑）、激光切割（精度更高，厚度较薄或划片线间距很小的晶圆）、等离子切割（等离子刻蚀原理）。

② 单个晶片附着

所有芯片都从晶圆上分离后，我们需要将单独的芯片（单个晶片）附着在基底（引线框架）上。基底的作用是保护半导体芯片并让它们能与外部电路进行电信号交换，附着芯片时可以使用液体或固体带状粘合剂。

③ 互连

在将芯片附着在基底上后，还需要连接二者的接触点才能实现电信号交换。这一步可以使用两种方法：

• 使用细金属线的引线键合（Wire bounding）；
• 使用球形金块或锡块的倒装芯片键合(Flip chip)。（该方法可加快半导体制造的速度）

④ 成型

完成半导体芯片的连接后，需要利用成型工艺给芯片外部加一个包装，以保护半导体集成电路不受温度和湿度等外部条件影响。根据需要制成封装模具后，我们要将半导体芯片和**环氧模塑料（EMC）**都放入模具中并进行密封。密封后的芯片就是最终形态。

⑤ 封装测试

已经具有最终形态的芯片还要通过最后的缺陷测试。进入最终测试的全部是成品的半导体芯片。它们将被放入测试设备，设定不同的条件（例如电压、温度和湿度）进行电气、功能和速度测试。这些测试结果可以用来发现缺陷、提高产品质量和生产效率。