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RSS订阅原创 介电常数和介电强度有关联？
举个例子，FR4的介电常数是4.7,经常用于导线的阻抗计算，因为导线的阻抗和分布电容有关。FR4的介电强度是10-20 kv/mm, 是衡量能否击穿的参数。介电常数和介电强度没有半毛钱关系。介电常数是衡量两个电极间的电容量的。介电强度是衡量两个点之间的绝缘强度的。这个“介”是指介质，介电常数和介电强度是介质的两个电参数而已，两个概念没有关系！第一次知道邓肯，以为他姓邓，是中国人，结果。
2023-12-11 16:55:06
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原创 爬电距离（Creepage）和电气间隙（Clearance），烧过东西理解才更深刻吧
爬电距离，是两个点之间的表面接触距离，就像蚂蚁爬一样，经过的路径，重点是沿着表面爬。我们按照最坏的材料和使用环境看，220V的交流电，整流过以后，对地电压要300V，所以预留6.3mm以上的爬电距离是肯定安全的。电气间隙，是两个点空间的距离，想象成蚊子从一个点飞到另一个点的最短距离，这个和环境的关系就没那么大了。爬电距离设计上预留不能满足怎么办呢，常用的方法是PCB开槽，开槽以后，蚂蚁就爬不过了，就是按照蚊子飞行的最短距离计算了，就是。标准如下表，原理上300V电压，开个0.5mm的槽就够了。
2023-12-11 16:29:28
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原创 计算热阻，有MATLAB代码
在评估功率管的散热绝缘垫时，需要根据材料的热阻率、接触面积、厚度，计算热阻。在已知功率管损耗和热阻后，就能计算出散热器和芯片结温之间的关系。下面是计算热阻MATLAB的代码，大家可以直接拿去用。电力电子的人，应该都会算这个吧。
2023-12-07 14:47:50
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原创 英飞凌功率MOSFET SPICE 瞬态仿真“MOSFET损耗仿真”（基于TINA）
做电力电子的，一半的时间再做电，另一半时间再做热和磁吧。这次根据SPICE仿真的波形数据，计算MOSFET的损耗。
2023-12-04 16:34:05
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原创 英飞凌功率MOSFET SPICE 瞬态仿真“驱动的隔离电阻和过冲改善措施”（基于TINA）
我们要根据实际工况，例如MOSFET工作电压、工作电流、负载和损耗等，选定合适的驱动电阻，在开关损耗和电压过冲之间取一个平衡。
2023-12-04 09:29:15
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原创 英飞凌功率MOSFET SPICE 瞬态仿真不收敛问题解决（基于TINA）
英飞凌功率MOSFET SPICE仿真容易出现不收敛问题，这个对于IGBT和SIC的管子应该是一样的，在瞬态仿真分析中，出现如下图所示的报错，Convergence problem。spice是为线性电路设计的，例如运算放大器、线性电源等，不是专门仿真开关电路的。在瞬态仿真时，仿真器是要不断迭代求解的，开关快速的跳变，容易在迭代式出现不收敛的问题。，由于时间步长减少，会消耗更多的计算机内存，如果运行多次内存消耗过大，会报“Out of memory”.解决方法是：报错工程，重启软件，内存重新计算。
2023-12-01 15:06:54
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原创 STM32H7 单片机使用DTCMRAM空间提升程序运行速度（STM32CubeIDE）
STM32H7 单片机使用DTCMRAM空间提升程序运行速度（STM32CubeIDE）
2022-06-01 07:54:20
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原创 设备Y电容和漏电流测量
这里写自定义目录标题欢迎使用Markdown编辑器新的改变功能快捷键合理的创建标题，有助于目录的生成如何改变文本的样式插入链接与图片如何插入一段漂亮的代码片生成一个适合你的列表创建一个表格设定内容居中、居左、居右SmartyPants创建一个自定义列表如何创建一个注脚注释也是必不可少的KaTeX数学公式新的甘特图功能，丰富你的文章UML 图表FLowchart流程图导出与导入导出导入欢迎使用Markdown编辑器你好！ 这是你第一次使用 Markdown编辑器 所展示的欢迎页。如果你想学习如何使用Mar
2022-01-15 23:00:04
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原创 利用外部存储器加密FPGA的方法
利用外部存储器加密FPGA的方法开发FPGA快十年了，才发觉自己一直是在裸奔，大部分XILINX FPGA如果不做任何处理或者加密，用一个下载线和ISE/Vivado软件就能获取FPGA的配置文件，并且用于复制。今天研究了下FPGA的加密方法，先介绍一种用FLASH的“Unique ID”来实现的方法。有更好的更新的方法，以后再慢慢探讨。FLASH Unique ID以SPI Flash芯片AT45DB161E为例。每个芯片出厂时都有一个特有的64位ID, 每个芯片都不一样，不能被改变，称为DNA。
2021-01-26 18:22:31
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空空如也
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