英飞凌功率MOSFET SPICE 瞬态仿真“驱动的隔离电阻和过冲改善措施”（基于TINA）

背景： 前面两篇介绍了MOSFET模型导入到TINA软件，介绍了SPICE仿真不收敛的解决方法，把平台搭起来了。这次进行电路的性能优化，探索下驱动的隔离电阻和VDS过冲的关系。并且介绍下隔离电阻和开关损耗的关系。

一个故事： 在一次研讨会上，有个工程师提出个问题，我能不能不关心管子的这些参数，拿来直接用。英飞凌专家的回答是，目前这些大功率的管子已经是在工艺上做到了极限，不可能在各个方面都满足各类客户的要求，需要工程师去调节外围的参数，例如驱动电阻大小，来满足客户自身产品的需求。

后来我想想专家的话，确实。现在功率管的发展水平，还远远没达到“理想器件”模型，即使是运算放大器芯片也没达到，需要我们工程师们去设计，去权衡利弊，最终交付有竞争力的产品。而这项工作也是体现我们工程师技术水平和为社会做贡献的机会！

过冲改善措施： 1.增加G极的隔离电阻 2.增加RC吸收电路

仿真过程：

下图中间为VDS的电压波形，没有隔离电阻和吸收电路，有较大电压过冲

下图是MOSFET G级增加30R隔离电阻，过程明显改善

隔离电阻加上RC吸收电路，通过和上图对比，RC对过冲的改善，远没有隔离电阻明显。

导通过程中，产生损耗的波形示意图。理解损耗，大家可以这么想：如果电压为不为0时，电流为0，MOSFET就没有损耗了……

下图是驱动电阻为0R，时间和电压的细节图，导通时间明显减小，导通速度加快，但是过冲也明显增加。

小结：
驱动电阻是串联在驱动芯片和MOSFET直接的电阻，其作用是调整MOSFET的导通或者关断时间。

如果驱动电阻太大，开通或者关断的过程就很耗时，例如100 ns 到500 ns之间，这个电压变化的过程，同样会有电流的叠加变化，就会产生较大的开关损耗，这不是我们想看到的。

如果驱动电阻太小，开通或者关断过程就会很短，ns量级都是有可能的，但是过快的电压变化，又会产生电压波形的过程，同样也不是我们想要的。

所以我们要根据实际工况，例如MOSFET工作电压、工作电流、负载和损耗等，选定合适的驱动电阻，在开关损耗和电压过冲之间取一个平衡。

后续：
过冲改善好了，后面该计算损耗了^^