功耗

1.功耗来源

CMOS电路中的功耗来自两个部分：

a：动态功耗：

（1）当门翻转时充电放电负载电容

（2）当PMOS管和NMOS管的串并联结构都部分导通时的“短路”电流。

b：静态功耗：

（1）流过截至晶体管的亚阈值泄漏电流（subthreshold leakage）。

（2）流过栅介质的泄漏电流（gate leakage）。

（3）源/漏扩散区的P-N结泄漏电流（junction leakage）。

（4）在有比电路中（ratioed circuit）中的竞争电流（contention current）。

如下图：