ONFI 协议-下载地址：http://www.onfi.org/specifications
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本文尝试解析5.0版本；
目录：
第5章
第一章开始：
第一章内容主要是一些名词概念的定义，可以先了解再结合后文的解释学习；
第一个比较重要的概念是address：
address 包含row address 和column address；
row address 包含page/block/lun 这些重要信息；
column address 则表示一个page中需要指向的byte或者word；
column address 的最后一个bit必须为0，在NV-DDR/NV-DDR2/NV-DDR3/NV-LPDDR4中，有这个约束是因为这几个协议传递数据的最小单位都是2bit起步；
通常情况下，一般的NAND产品读写都是以page为单位，所以column address一般都是0；
block也是比较重要的概念：
block是由多个page组成的最小的erase 单位；
这个概念需要理解：读写是以page为单位；而擦除是以block为单位；这是NAND的硬件设计限制要求的；
这个限制条件会催生NAND 的系统级产品中很多相关的配套算法来优化写放大/GC等功能；
column：此处又专门出现了，就是指一个page中的偏移位置；
此处提到了page register： 因为在NAND的结构中（后文有提及），比如需要写一个page的数据；数据先通过DQ信号线写入page register；然后page register 中的数据再传入NAND中；
每个page register 表示1个bit的数据对应1个cell（SLC）；
所以page register 的偏移就可以表示数据的偏移；
CTT的挺重要的概念请自行百度，电路技术信号判断相关的概念；
DBI 也挺重要的，请自行百度；提一点为什么要用DBI；DBI就是转换信号和数字的映射关系，
比如高电平表示1，低电平表示0；但是如果一直是1，就一直高电平，这对NAND不够友好，为了提高NAND寿命，可以使用DBI 转换信号关系，设置转换后，高电平表示0，低电平表示1；
defect area：表示出厂前检查的故障区域；NAND有良率，良率表示并不是所有的block都是可用的，部分block可能出现故障；出现故障的block出厂时会被标记；后文会提到怎么把这些标记的bad block 搜寻出来；
Bad block 不可用；
device 也是一个重要的标准概念；
此处device 表示一个封装好的NAND 单位；也就是一个封装后的NAND芯片；
一个device 可以包含1个或者多个NAND targets ；
device 包含target ；后面再总结说明；
差分信号：差分信号是为了提高信号的准确性的，在高速信号中是比较常用的手段；
host target 表示共用1个CE信号的NAND targets；
此处已经说明了host target 可以包含多个nand target；
device 表示一个完整的NAND 封装芯片，一个nand芯片是可以包含多个CE信号的；
host target 表示共享1个CE信号的多个nand target；
也就是说1个CE信号可以包含多个NAND target；
那host target 的意义是什么？因为主机访问NAND是要通过CE信号的；
所以1个CE信号对于host 定义为1个host target 也是合情合理的；
此处总结：Device大于或者等于host target，host target 大于等于NAND target；
边沿信号：NAND使用的协议需要使用边沿信号；这个在电路设计中很常见；
LTT和前面的CTT 都请自行百度；
LUN 是可以独立操作的最小逻辑单位；
1个NAND target 可以包含1个或者多个LUN；
NAND target ： 一个nand package中的共用一个CE信号的一组lun；
所以NAND target 是包含多个lun的；
ODT也是一个重要的信号功能，请自行百度；
主要是为了减少信号的干扰；
page 的概念很重要；
page 是读和写的最小单位；这个不是人为规定，而是NAND的物理结构决定的；
通常情况下target 指NAND target；
VREFQ： 输入的参考电压信号
Vtt ：电信号；
计算机通用的换算关系，在NAND层面也是一样的：
8Bit 作为1个Byte；
2Byte作为1个Word
4Byte作为1个Dword;
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