TSMC cell命名规则

借用tsmc官方手册中的一张图：

IOA: 前缀，代表了cell的逻辑功能。如“AN”代表与门，“OR”代表或门，而“IOA”则是“inverter-OR-AND logic function gate”的意思，如下图所示：

21：在multi_input cell中，“input configuration code”能够表明cell输入引脚的情况，如此时的“21”与上图对应，“2”代表第一个反向输入的或门是二输入的，“1”则代表还有一个input直接与与非门相连。

D1：“D”代表driver，代表cell的驱动能力，数字越大，驱动能力越强。

BWP：cell architecture code，“BWP”代表tapless cell，这种cell为了节省面积，没有考虑latch-up的问题，也就是没有将nwell接到 VDD 和将p 衬底接到 VSS 。因此在设计过程中需要额外添加well tap cell来防止latch-up。除了“BWP”之外，还存在“BW”，这种类型的cell含有额外的“VPP/VBB”pin用于back-bias到n/p well。

12T：cell的高度，“T”代表track，“12T”则是代表cell的高度为12个 m2 track 的高度，除此之外常见的还有“9T”、“7T”等。

        HD (high density) – 7-track

        HP (high performance) – 10-track; however, for N90 libraries, HP = 9-track

        UHP (ultra high performance) – 11-track

20：gate length，也就是常说的芯片制程，7nm、5nm等等就是对应这个数值。20代表代表源极和漏极之间的距离为20nm。

p90：poly pitch，代表相邻两组poly之间的距离，影响cell的宽度。

HVT：代表cell的阈值电压属性。阈值电压越低，则cell的delay越小功耗越高。