Memory的分类及简介，以及相关PCB布局布线要求

最新推荐文章于 2025-02-25 22:49:12 发布

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文章标签：硬件工程电脑硬件架构嵌入式硬件

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一、Memory的分类

Memory的分类

二、ROM

1、简介

只读存储器（Read-Only Memory，ROM）以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。ROM所存数据通常是装入整机前写入的，整机工作过程中只能读出，不像随机存储器能快速方便地改写存储内容。ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变，并且结构较简单，使用方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。除少数种类的只读存储器（如字符发生器）可通用之外，不同种类的只读存储器功能不同。为ROM应用广泛，诸如Apple II或IBM PC XT/AT等早期个人电脑的开机程序（操作系统）或是其他各种微电脑系统中的轫体（Firmware），所使用的硬件都是ROM。

ROM主要由地址译码器、存储器、读出线和读出放大器等部分组成。ROM是按地址寻址的存储器，由CPU给出要访问的存储单元地址ROM的地址译码器是与门的组合，输出是全部地址输入的最小项（全译码）。

2、工作过程

ROM的工作过程，CPU经地址总线送来要访问的存储单元地址，地址译码器根据输入地址码选择某条字线，然后由它驱动该字线的各位线，读出该字的各存储位元所存储的二进制代码，送入读出线输出，再经数据线送至CPU。

3、分类

（1）MROM：掩膜编程的只读存储器；由厂家再制作工艺过程中将数据写入，存储内容固定，掉点后数据仍存在，可靠性高，制作成本低，但是这种存储器一旦由生产厂家制造完毕，用户就无法修改。

（2）PROM：可编程只读存储器；允许用户通过专用的设备（编程器）一次性写入自己所需要的信息，其一般可编程一次，需要用电和光照的方法来编写与存放的程序和信息，但仅仅只能编写一次，第一次写入的信息就被永久性地保存起来。

（3）EPROM：可编程可擦除只读存储器；是一种以读为主的可写可读的存储器，一种便于用户根据需要来写入，并能把已写入的内容擦去后再改写的ROM，其存储的信息可以由用户自行加电编写，也可以利用紫外线光源或脉冲电流等方法先将原存的信息擦除，然后用写入器重新写入新的信息。 EPROM比MROM和PROM更方便、灵活、经济实惠。但是EPROM采用MOS管，速度较慢。

（4）EEPROM：电可擦可编程只读存储器；是一种随时可写入而无须擦除原先内容的存储器，其写操作比读操作时间要长得多，EEPROM把不易丢失数据和修改灵活的优点组合起来，修改时只需使用普通的控制、地址和数据总线。

（5）Flash：快擦除读写存储器；是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器；它既有EEPROM的特点，又有RAM的特点，是一种全新的存储结构，俗称快闪存储器。

（6）OTPROM：一次编程只读内存；编程写入之后就不再抹除。

三、RAM

1、简介

随机存储器也叫主存是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM最大的区别是数据的易失性，即一旦断电后所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机中用来暂时存储程序、数据和中间结果。

RAM有存储矩阵、地址译码器、读/写控制器、输入/输出、片选控制等组成。RAM既可以向指定单元存入信息又可以从指定单元读出信息。

RAM的应用场景：RAM在计算机和数字系统中用于暂时存储程序、数据和中间结果。由于其高速访问的特性，RAM常用于需要快速读写操作的场景，如操作程序、图形处理、游戏等。

2、特点

（1）随机存取：指当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相应的，读取或写入顺序访问存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系。它主要用来存放操作系统、各种应用程序、数据等。当RAM处于正常工作时，可以从RAM中读出数据，也可以往RAM中写入数据。

（2）易失性：当电源关闭时，RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM的工作特点是通电后，随时可在任意位置单元存取数据信息，断电后内部信息也随之消失。

（3）需要刷新：现代随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1，未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形，若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存储器的易失性。

（4）对静电敏感：正如其他精细的集成电路，随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失，甚至烧坏电路。故此接触随机存取存储器前，应先用手触摸金属接地。

（5）访问速度：现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的，存取延迟和其他涉及机械运作的存储设备相比，也显得微不足道。

3、分类

（1）SRAM：静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。它是靠触发器的自保功能存储数据的。SRAM存放的信息在不停电的情况下能长时间保留，状态稳定，不需要外加刷新电路，从而简化了外部电路设计。优点是速度快、使用简单、不需要刷新、静态功耗低，常用作Cache。但是缺点是元件数多、集成度低、运行功耗大。常用的SRAM的有：6116（2K*8位），6264（8K*8位），62256（32K*8位）,2114（1K*4位）。

（2）DRAM：动态随机存储器。利用电容存储电荷的原理保存信息，电路简单，急程度高。在大容量存储器中普遍使用。但缺点是需要刷新逻辑电路，且刷新操作时不能进行正常读/写操作。

DRAM的刷新操作不同于存储器读/写操作，主要表现在以下几点：

刷新地址由刷新地址计数器产生，不是由地址总线提供。
DRAM基本存储电路可按行同时刷新，所以刷新只需要行地址，不需要列地址。
刷新操作时存储器芯片的数据线呈高阻状态，即片内数据线与外部数据线完全隔离。

四、FLASH

1、FLASH

Flash存储器，是内存的一种，是一种非易失性内存。

Flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM 的优势），U 盘和MP3里用的就是这种存储器。

Flash可以对称为块的存储器单元进行擦写和再编程。任何Flash器件的写入操作只能在空或者已擦除的单元内进行。所以大多数情况下，在进行写入操作之前需先进行擦除。目前一般情况下，上了MB的ROM都是Flash。

Flash的内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门，是真正存储数据的单元。数据在Flash内存单元中是以电荷形式存储的。而数据的表示，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示，因此，Flash的存储单元的默认值，不是0（其他常见的存储设备，比如硬盘灯，默认值为0），而是1，而如果将电荷释放掉，电压降低到一定程度，表述数字0。

目前常用的Flash芯片有NOR和NAND两种规格。