Multisim 器件查找

已于 2024-11-09 16:31:22 修改
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分类专栏： 硬件 Multisim 文章标签： 嵌入式硬件
于 2024-11-09 09:26:44 首次发布
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TL431
Group:Power
Family: VOLTAGE_REFERENCE 电压参考
Component: TL431XXX

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光耦
Group:Misc
Family: OPTOCOUPLER 光耦
Component: XXX 没有PC817
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运放
Analog->OPAMP->LM358XX
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MULTISIM仿真具有光耦隔离的PMOS管驱动电路设计
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其原理是当MOS要关断瞬间，Cgs寄生电容电压是电源电压，三极管的e极连接的是Cgs寄生电容的负极，三极管的b极经R10连接电源为高电平，所以三极管Q2导通，Cgs寄生电容的电荷经Q2---R4快速放电，同时也经R2进行放电，迅速消耗Cgs寄生电容的电荷，减少MOS的关断时间，提高MOS的开关频率。二是在MOS关断时给Cgs寄生电容一个快速放电的回路，提高关断速度，泄放电阻一般取值为10K，也可根据实际情况做调整，阻值大，MOS关断速度慢。改进后的电路，MOS的开关频率提升10倍左右。话不多说，线上电路。
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MULTISIM仿真：具有光耦隔离的PMOS管驱动电路 【下载地址】MULTISIM仿真具有光耦隔离的PMOS管驱动电路 本资源提供了一个MULTISIM仿真文件，内容为“具有光耦隔离的PMOS驱动电路”。该电路设计中加入了一个三极管Q2，用于辅助Cgs寄生电容的电荷泄放，从而大大缩短MOS管的关断时间 ...
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