如何选择 MOS 管(1)- 电机控制

本文简单介绍电机控制应用场景下的 MOSFET 器件选择考虑因素。

目录

一. MOS 管选择通用考虑 

二. 电机控制场景

三. 总结


一. MOS 管选择通用考虑 

1.封装匹配。具体取决于应用是否需要封装兼容性。如果没有,选择性会更多,但是通常为了节省板上空间,建议使用大小相等或更小封装的器件。

2.击穿电压匹配。MOS 管在电路中的的作用是阻断特定电压,因此和原来的 MOS 管相比,选择具有等于或大于原来击穿电压的器件。击穿电压越高,单位面积阻抗(RSP)越大。

3.阻抗匹配。这是比较模糊的考虑因素。普遍误解是阻抗是所有 MOS 管应用中最关键的参数,但由于最终应用的不确定,阻抗的影响也不一样。阻抗匹配时,可以使用典型值或最大值,因为数据手册提供了两者(通常设计到最大值),一个好的经验法则是,如果两个MOS 管的阻抗误差在 ±20% 以内,可以近似认为匹配。

4.成本考虑。老一代硅产品可能需要更多的硅才能实现类似的性能,具有相同包装,电压和类似阻抗但价格有很大不同的两个器件,那么低价器件很有可能是一个较新的解决方案,而且通常是较好选择。

二. 电机控制场景

首先考虑的是击穿电压选择,因为电机控制与电源应用相比,工作频率较低,具有更小的振铃。设计中为了在输入电源轨和 MOSFET 击穿电压(通常使用缓冲器)获得较低电阻的FET, BVdss 和最大输入电压 Vin 之间有 40% 的电压间隔,预留 10% 电压裕量来防止振铃效应对电路产生作用。

封装由设计的功率密度要求决定,如下图所示。低于 2A 时,FET 通常被集成在驱动IC中;对于步进电机和低于 10A 的低电流有刷和无刷应用,小尺寸PQFN型器件(SON 2mm x 2mm、SON 3.3mm x 3.3mm)提供最佳功率密度;如果侧重考虑低成本而不是高功率密度,那么较旧的 SOIC 型封装可能会完成工作,但占用更多的板上空间。

小型电池供电设备和家用电器所占据的 10-30A 应用场景适合是 QFN 5mm×6mm 封装器件。在此之上,大电流电源倾向于并联使用多个 FET,或者使用更大封装(D2PAK)或通孔封装(TO-220)。这些封装可以容纳更多的硅,从而实现更低的电阻、更高的电流能力和更好的散热性能。将通孔封装安装在大型散热器上可增加损耗,并允许耗散更多功率。

设备耗散功率同样取决于的最终应用的热环境,就像它在 FET 封装上一样。而表面贴装器件通常会通过 PCB 耗散大部分热量,也可以使用其他封装器件(TO-220)到散热器,从板上带走热量并增加FET 耗散功率。

最后考虑阻抗。在某些方面,选择 FET 来驱动电机比为电源选择 FET 更简单,因为较低的开关频率意味着传导损耗决定热性能。并不是说可以完全忽略总消耗功率 Ploss 估计中的开关损耗。相反在某些最坏的场景应用情况下,开关损耗可以占系统中总消耗的 30%。但这些损耗占比次于传导损耗,因此不是首要考虑。


三. 总结

电机控制是 30-100V MOSFET 分立器件应用的一个庞大市场,特别是用于驱动直流电机的多种拓扑结构。上面简单介绍了用于驱动有刷电机、无刷电机和步进电机的 MOSFET 器件选择考虑因素。

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