5.5 多级放大电路的频率响应

在多级放大电路中含有多个放大管,因而在高频等效电路中就含有多个 C π ′ C'_π Cπ(或 C g s ′ C'_{gs} Cgs),即有多个低通电路。在阻容耦合放大电路中,如有多个耦合电容或旁路电容,则在低频等效电路中就含有多个高通电路。对于含有多个电容回路的电路,如何求解截止频率呢?电路的截止频率与每个电容回路的时间常数有什么关系呢?

一、多级放大电路频率特性的定性分析

设一个 N N N 级放大电路各级的电压放大倍数分别为 A ˙ u 1 \dot A_{u1} A˙u1 A ˙ u 2 \dot A_{u2} A˙u2 ⋯ \cdots A ˙ u N \dot A_{uN} A˙uN,则该电路的电压放大倍数 A ˙ u = ∏ k = 1 N A ˙ u k ( 5.5.1 ) \dot A_{u}=\prod\limits_{k=1}\limits^{N}{\dot A_{uk}}\kern 70pt(5.5.1) A˙u=k=1NA˙uk(5.5.1)对数幅频特性和相频特性表达式为 { 20 lg ⁡ ∣ A ˙ u ∣ = ∑ k = 1 N 20 lg ⁡ ∣ A ˙ u k ∣ ( 5.5.2 a ) φ = ∑ k = 1 N φ k ( 5.5.2 b ) \left\{\begin{matrix}20\lg|\dot A_u|=\sum\limits_{k=1}\limits^{N}{20\lg}|\dot A_{uk}|\kern 20pt(5.5.2a)\\\varphi=\sum\limits_{k=1}\limits^{N}{\varphi_k}\kern 83pt(5.5.2b)\\\end{matrix}\right. 20lgA˙u=k=1N20lgA˙uk(5.5.2a)φ=k=1Nφk(5.5.2b)即该电路的增益为各级放大电路增益之和,相移也为各级放大电路相移之和
设组成两级放大电路的两个单管共射放大电路具有相同的频率响应, A ˙ u 1 = A ˙ u 2 \dot A_{u1}=\dot A_{u2} A˙u1=A˙u2;即它们的中频电压增益 A ˙ u m 1 = A ˙ u m 2 \dot A_{um1}=\dot A_{um2} A˙um1=A˙um2,下限频率 f L 1 = f L 2 f_{L1}=f_{L2} fL1=fL2,上限频率 f H 1 = f H 2 f_{H1}=f_{H2} fH1=fH2;故整个电路的中频电压增益 20 lg ⁡ ∣ A ˙ u ∣ = 20 lg ⁡ ∣ A ˙ u m 1 ⋅ A ˙ u m 2 ∣ = 40 lg ⁡ ∣ A ˙ u m 1 ∣ 20\lg|\dot A_u|=20\lg|\dot A_{um1}\cdot\dot A_{um2}|=40\lg|\dot A_{um1}| 20lgA˙u=20lgA˙um1A˙um2=40lgA˙um1 f = f L 1 f=f_{L1} f=fL1 时, ∣ A ˙ u l 1 ∣ = ∣ A ˙ u l 2 ∣ = ∣ A ˙ u m 1 ∣ 2 |\dot A_{ul1}|=|\dot A_{ul2}|=\displaystyle\frac{|\dot A_{um1}|}{\sqrt 2} A˙ul1=A˙ul2=2 A˙um1,所以 20 lg ⁡ ∣ A ˙ u ∣ = 40 lg ⁡ ∣ A ˙ u m 1 ∣ − 40 lg ⁡ 2 20\lg|\dot A_u|=40\lg|\dot A_{um1}|-40\lg\sqrt 2 20lgA˙u=40lgA˙um140lg2 说明增益下降 6 dB,并且由于 A ˙ u 1 \dot A_{u1} A˙u1 A ˙ u 2 \dot A_{u2} A˙u2 均产生 +45° 的附加相移,所以 A ˙ u \dot A_u A˙u 产生 +90° 的附加相移。根据同样的分析可得,当 f = f H 1 f=f_{H1} f=fH1 时,增益也下降 6 dB,但所产生的附加相移为 -90°。因此,两级放大电路和组成它的单级放大电路的波特图如图5.5.1所示。根据截止频率的定义,在幅频特性中找到使增益下降 3 dB 的频率就是两级放大电路的下限频率 f L f_L fL 和上限频率 f H f_H fH,如图中所标注。显然, f L > f L 1 ( f L 2 ) f_L>f_{L1}(f_{L2}) fL>fL1(fL2) f H < f H 1 ( f H 2 ) f_H<f_{H1}(f_{H2}) fH<fH1(fH2),因此两级放大电路的通频带比组成它的单级放大电路窄在这里插入图片描述上述结论具有普遍意义。对于一个 N N N 级放大电路,设组成它的各级放大电路的下限截止频率分别为 f L 1 f_{L1} fL1 f L 2 f_{L2} fL2 ⋯ \cdots f L N f_{LN} fLN,上限截止频率分别为 f H 1 f_{H1} fH1 f H 2 f_{H2} fH2 ⋯ \cdots f H N f_{HN} fHN,通频带分别为 f b w 1 f_{bw1} fbw1 f b w 2 f_{bw2} fbw2 ⋯ \cdots f b w N f_{bwN} fbwN;该多级放大电路的下限截止频率为 f L f_L fL,上限截止频率为 f H f_H fH,通频带为 f b w f_{bw} fbw;则 { f L > f L k ( k = 1 ∼ N ) ( 5.5.3 a ) f H < f H k ( k = 1 ∼ N ) ( 5.5.3 b ) f b w < f b w k ( k = 1 ∼ N ) ( 5.5.3 b ) \left\{\begin{matrix}f_L>f_{Lk}\kern 11pt(k=1\sim N)\kern 20pt(5.5.3a)\\f_H<f_{Hk}\kern 7pt(k=1\sim N)\kern 20pt(5.5.3b)\\f_{bw}<f_{bwk}\kern 5pt(k=1\sim N)\kern 20pt(5.5.3b)\\\end{matrix}\right. fL>fLk(k=1N)(5.5.3a)fH<fHk(k=1N)(5.5.3b)fbw<fbwk(k=1N)(5.5.3b)

二、截止频率的估计

1、下限频率 f L f_L fL

将式(5.5.1)中的 A ˙ u k \dot A_{uk} A˙uk 用低频电压放大倍数 A ˙ u l k \dot A_{ulk} A˙ulk 的表达式代入并取模,得出多级放大电路低频段的电压放大倍数为 ∣ A ˙ u l ∣ = ∏ k = 1 N ∣ A ˙ u m k ∣ 1 + ( f L k f ) 2 |\dot A_{ul}|=\prod\limits_{k=1}\limits^{N}\frac{|\dot A_{umk}|}{\sqrt{\displaystyle{1+(\frac{f_{Lk}}{f})^2}}} A˙ul=k=1N1+(ffLk)2 A˙umk根据 f L f_L fL 的定义,当 f = f L f=f_L f=fL ∣ A ˙ u l ∣ = ∏ k = 1 N ∣ A ˙ u m k ∣ 2 |\dot A_{ul}|=\frac{\prod\limits_{k=1}\limits^{N}|\dot A_{umk}|}{\sqrt 2} A˙ul=2 k=1NA˙umk ∏ k = 1 N 1 + ( f L k f L ) 2 = 2 \prod\limits_{k=1}\limits^{N}\sqrt{1+(\frac{f_{Lk}}{f_L})^2}=\sqrt 2 k=1N1+(fLfLk)2 =2 等式两边取平方,得 ∏ k = 1 N [ 1 + ( f L k f L ) 2 ] = 2 \prod\limits_{k=1}\limits^N[1+(\frac{f_{Lk}}{f_L})^2]=2 k=1N[1+(fLfLk)2]=2展开上式,得 1 + ∑ k = 1 N ( f L k f L ) 2 + 高次项 = 2 1+\sum\limits_{k=1}^N(\frac{f_{Lk}}{f_L})^2+高次项=2 1+k=1N(fLfLk)2+高次项=2由于 f L k / f L f_{Lk}/f_L fLk/fL 小于 1,可将高次项忽略,得出 f L ≈ ∑ k = 1 N f L k 2 ( 5.5.4 ) f_L\approx\sqrt{\sum\limits_{k=1}\limits^Nf^2_{Lk}}\kern 60pt(5.5.4) fLk=1NfLk2 (5.5.4)如加上修正系数,即 f L ≈ 1.1 ∑ k = 1 N f L k 2 ( 5.5.5 ) f_L\approx1.1\sqrt{\sum\limits_{k=1}^Nf^2_{Lk}}\kern 48pt(5.5.5) fL1.1k=1NfLk2 (5.5.5)

2、上限频率 f H f_H fH

将式(5.5.1)中的 A ˙ u k \dot A_{uk} A˙uk 用高频电压放大倍数 A ˙ u h k \dot A_{uhk} A˙uhk 的表达式代入并取模,得 ∣ A ˙ u h ∣ = ∏ k = 1 N ∣ A ˙ u m k ∣ 1 + ( f f H k ) 2 |\dot A_{uh}|=\prod\limits_{k=1}^N\frac{|\dot A_{umk}|}{\sqrt{\displaystyle{1+(\frac{f}{f_{Hk}}})^2}} A˙uh=k=1N1+(fHkf)2 A˙umk根据 f H f_H fH 的定义,当 f = f H f=f_H f=fH ∣ A ˙ u h ∣ = ∏ k = 1 N ∣ A ˙ u m k ∣ 2 |\dot A_{uh}|=\frac{\prod\limits_{k=1}^N|\dot A_{umk}|}{\sqrt 2} A˙uh=2 k=1NA˙umk ∏ k = 1 N 1 + ( f H f H k ) 2 = 2 \prod\limits_{k=1}^N\sqrt{1+(\frac{f_H}{f_{Hk}})^2}=\sqrt2 k=1N1+(fHkfH)2 =2 等式两边取平方,得 ∏ k = 1 N [ 1 + ( f H f H k ) 2 ] = 2 \prod\limits_{k=1}^N[1+(\frac{f_H}{f_{Hk}})^2]=2 k=1N[1+(fHkfH)2]=2展开等式,得 1 + ∑ k = 1 N ( f H f H k ) 2 + 高次项 = 2 1+\sum\limits_{k=1}^N(\frac{f_H}{f_{Hk}})^2+高次项=2 1+k=1N(fHkfH)2+高次项=2由于 f H / f H k f_H/f_{Hk} fH/fHk 小于1,所以可以忽略高次项,得出 f H f_H fH 的近似表达式 1 f H ≈ ∑ k = 1 N 1 f H k 2 \frac{1}{f_H}\approx\sqrt{\sum\limits_{k=1}^N\frac{1}{f^2_{Hk}}} fH1k=1NfHk21 如加上修正系数,则得 1 f H ≈ 1.1 ∑ k = 1 N 1 f H k 2 ( 5.5.6 ) \frac{1}{f_H}\approx1.1\sqrt{\sum\limits_{k=1}^N\frac{1}{f^2_{Hk}}}\kern 50pt(5.5.6) fH11.1k=1NfHk21 (5.5.6)根据以上分析可知,若两级放大电路是由两个具有相同频率特性的单管放大电路组成,则其上、下限频率分别为 { 1 f H ≈ 1.1 2 f H 1 2 , f H ≈ f H 1 1.1 2 ≈ 0.643 f H 1 ( 5.5.7 a ) f L ≈ 1.1 2 f L 1 ≈ 1.56 f L 1 ( 5.5.7 b ) \left\{\begin{matrix}\displaystyle\frac{1}{f_H}\approx 1.1\sqrt{\frac{2}{f^2_{H1}}},f_H\approx\frac{f_{H1}}{1.1\sqrt2}\approx0.643f_{H1}\kern 10pt(5.5.7a)\\f_L\approx 1.1\sqrt2f_{L1}\approx1.56f_{L1}\kern 85pt(5.5.7b)\\\end{matrix}\right. fH11.1fH122 fH1.12 fH10.643fH1(5.5.7a)fL1.12 fL11.56fL1(5.5.7b)对各级具有相同频率特性的三级放大电路,其上、下限频率分别为 { 1 f H ≈ 1.1 3 f H 1 2 , f H ≈ f H 1 1.1 3 ≈ 0.52 f H 1 ( 5.5.8 a ) f L ≈ 1.1 3 f L 1 ≈ 1.91 f L 1 ( 5.5.8 b ) \left\{\begin{matrix}\displaystyle\frac{1}{f_H}\approx 1.1\sqrt{\frac{3}{f^2_{H1}}},f_H\approx\frac{f_{H1}}{1.1\sqrt3}\approx0.52f_{H1}\kern 15pt(5.5.8a)\\f_L\approx 1.1\sqrt3f_{L1}\approx1.91f_{L1}\kern 85pt(5.5.8b)\\\end{matrix}\right. fH11.1fH123 fH1.13 fH10.52fH1(5.5.8a)fL1.13 fL11.91fL1(5.5.8b)可见,三级放大电路的通频带几乎是单级电路的一半。放大电路的级数愈多,频带愈窄。
在多级放大电路中,若某级的下限频率远高于其它各级的下限频率,则可认为整个电路的下限频率近似为该级的下限频率;同理,若某级的上限频率远低于其它各级的上限频率,则可认为整个电路的上限频率近似为该级的上限频率。因此式(5.5.5)、(5.5.6)多用于各级截止频率相差不多的情况。此外,对于有多个耦合电容和旁路电容的单管放大电路,在分析下限频率时,应先求出每个电容所确定的截止频率,然后利用式(5.5.5)求出电路的下限频率。

例5.5.1】已知某电路的各级均为共射放大电路,其对数幅频特性如图5.5.2所示。试求解下限频率 f L f_L fL、上限频率 f H f_H fH 和电压放大倍数 A ˙ u \dot A_u A˙u在这里插入图片描述解: 由图5.5.2可知
(1)频率特性曲线的低频段只有一个拐点,且低频段曲线斜率为 20   dB / 20 \,\textrm{dB}/ 20dB/十倍频,说明影响低频特性的只有一个电容,故电路的下限频率为 10   Hz 10 \,\textrm{Hz} 10Hz
(2)频率特性曲线的高频段只有一个拐点,且高频段曲线斜率为 − 60   dB / -60\,\textrm{dB}/ 60dB/十倍频,说明影响高频特性的有三个电容,即电路为三级放大电路,且每一级的上限频率均为 2 × 1 0 5   Hz 2\times10^5\,\textrm{Hz} 2×105Hz,所以 f H ≈ 0.52 f H 1 = 104   kHz f_H\approx0.52f_{H1}=104\,\textrm{kHz} fH0.52fH1=104kHz(3)因各级均为共射电路,所以在中频段输出电压与输入电压相位相反。因此,电压放大倍数 A ˙ u = − 1 0 4 ( 1 + 10 j f ) ( 1 + j f 2 × 1 0 5 ) 3    或    A ˙ u = − 1 0 3 j f ( 1 + j f 10 ) ( 1 + j f 2 × 1 0 5 ) 3 \dot A_u=\frac{-10^4}{(1+\displaystyle\frac{10}{jf})(1+j\frac{f}{2\times10^5})^3}\,\,或\,\,\dot A_u=\frac{-10^3jf}{(1+j\displaystyle\frac{f}{10})(1+j\frac{f}{2\times10^5})^3} A˙u=(1+jf10)(1+j2×105f)3104A˙u=(1+j10f)(1+j2×105f)3103jf

例5.5.2】如下图所示 Q Q Q 点稳定电路中,已知 C 1 = C 2 = C e C_1=C_2=C_e C1=C2=Ce,其余参数选择合适,电路在中频段工作正常。试问:电路的下限频率决定于哪个电容?为什么?在这里插入图片描述解: 考虑到 C 1 C_1 C1 C 2 C_2 C2 C e C_e Ce 的作用,图示电路的低频等效电路如图5.5.3(a)所示。在考虑某一电容对频率响应的影响时,应将其它电容做理想化处理,即将其他耦合电容或旁路电容视为短路。比较三个电容所在回路的等效电阻,数值最小的说明该电容的时间常数最小,因而它所确定的下限频率最高,若能判断出这个下限频率远高于其它两个,则说明整个电路的下限频率就是该频率。在这里插入图片描述在考虑 C 1 C_1 C1 对低频特性的影响时,应将 C 2 C_2 C2 C e C_e Ce 短路。图(b)所示是 C 1 C_1 C1 所在回路的等效电路,其时间常数 τ 1 = ( R s + R b 1 / / R b 2 / / r b e ) C 1 = ( R s + R i ) C 1 ( 5.5.9 ) \tau_1=(R_s+R_{b1}//R_{b2}//r_{be})C_1=(R_s+R_i)C_1\kern 20pt(5.5.9) τ1=(Rs+Rb1//Rb2//rbe)C1=(Rs+Ri)C1(5.5.9)在考虑 C 2 C_2 C2 对低频特性的影响时,应将 C 1 C_1 C1 C e C_e Ce 短路。图( c c c)所示是 C 2 C_2 C2 所在回路的等效电路,其时间常数 τ 2 = ( R c + R L ) C 2 ( 5.5.10 ) \tau_2=(R_c+R_L)C_2\kern 138pt(5.5.10) τ2=(Rc+RL)C2(5.5.10)式(5.5.9)与(5.5.10)在本质上是相同的,因为倘若电路的负载是下一级放大电路,则式(5.5.10)中的 R L R_L RL 即为后级的输入电阻 R i R_i Ri,而 R c R_c Rc 正是后级电路的信号源内阻 R s R_s Rs
在考虑 C e C_e Ce 对低频特性的影响时,应将 C 1 C_1 C1 C 2 C_2 C2 短路。图(d)所示是 C e C_e Ce 所在回路的等效电路。从 C e \pmb{C_e} Ce 两端向左看的等效电阻是射极输出器的输出电阻,因此它的时间常数 τ e = ( R e / / r b e + R b 1 / / R b 2 / / R s 1 + β ) C e ( 5.5.11 ) \tau_e=(R_e//\frac{r_{be}+R_{b1}//R_{b2}//R_s}{1+\beta})C_e\kern 70pt(5.5.11) τe=(Re//1+βrbe+Rb1//Rb2//Rs)Ce(5.5.11) C 1 C_1 C1 C 2 C_2 C2 C e C_e Ce 所在回路所确定的下限频率分别为 f L 1 f_{L1} fL1 f L 2 f_{L2} fL2 f L e f_{Le} fLe。比较时间常数 τ 1 \tau_1 τ1 τ 2 \tau_2 τ2 τ e \tau_e τe,不难看出,当取 C 1 = C 2 = C e C_1=C_2=C_e C1=C2=Ce 时, τ e \tau_e τe 将远小于 τ 1 \tau_1 τ1 τ 2 \tau_2 τ2,即 f L e f_{Le} fLe 远大于 f L 1 f_{L1} fL1 f L 2 f_{L2} fL2,因此可以认为 f L e f_{Le} fLe 就约为该电路的下限频率,即 f L ≈ f L e = 1 2 π τ = 1 2 π ( R e / / r b e + R b 1 / / R b 2 / / R s 1 + β ) C e f_L\approx f_{Le}=\frac{1}{2π\tau}=\frac{1}{2π(R_e//\displaystyle\frac{r_{be}+R_{b1}//R_{b2}//R_s}{1+\beta})C_e} fLfLe=2πτ1=2π(Re//1+βrbe+Rb1//Rb2//Rs)Ce1从另一角度考虑,为改善电路的低频特性, C e C_e Ce 的容量应远大于 C 1 C_1 C1 C 2 C_2 C2。当 f L 1 f_{L1} fL1 f L 2 f_{L2} fL2 f L e f_{Le} fLe 的数值相差不大时,可用式(5.5.5)求解电路的 f L f_L fL

评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值