在多级放大电路中含有多个放大管,因而在高频等效电路中就含有多个 C π ′ C'_π Cπ′(或 C g s ′ C'_{gs} Cgs′),即有多个低通电路。在阻容耦合放大电路中,如有多个耦合电容或旁路电容,则在低频等效电路中就含有多个高通电路。对于含有多个电容回路的电路,如何求解截止频率呢?电路的截止频率与每个电容回路的时间常数有什么关系呢?
一、多级放大电路频率特性的定性分析
设一个
N
N
N 级放大电路各级的电压放大倍数分别为
A
˙
u
1
\dot A_{u1}
A˙u1,
A
˙
u
2
\dot A_{u2}
A˙u2,
⋯
\cdots
⋯,
A
˙
u
N
\dot A_{uN}
A˙uN,则该电路的电压放大倍数
A
˙
u
=
∏
k
=
1
N
A
˙
u
k
(
5.5.1
)
\dot A_{u}=\prod\limits_{k=1}\limits^{N}{\dot A_{uk}}\kern 70pt(5.5.1)
A˙u=k=1∏NA˙uk(5.5.1)对数幅频特性和相频特性表达式为
{
20
lg
∣
A
˙
u
∣
=
∑
k
=
1
N
20
lg
∣
A
˙
u
k
∣
(
5.5.2
a
)
φ
=
∑
k
=
1
N
φ
k
(
5.5.2
b
)
\left\{\begin{matrix}20\lg|\dot A_u|=\sum\limits_{k=1}\limits^{N}{20\lg}|\dot A_{uk}|\kern 20pt(5.5.2a)\\\varphi=\sum\limits_{k=1}\limits^{N}{\varphi_k}\kern 83pt(5.5.2b)\\\end{matrix}\right.
⎩
⎨
⎧20lg∣A˙u∣=k=1∑N20lg∣A˙uk∣(5.5.2a)φ=k=1∑Nφk(5.5.2b)即该电路的增益为各级放大电路增益之和,相移也为各级放大电路相移之和。
设组成两级放大电路的两个单管共射放大电路具有相同的频率响应,
A
˙
u
1
=
A
˙
u
2
\dot A_{u1}=\dot A_{u2}
A˙u1=A˙u2;即它们的中频电压增益
A
˙
u
m
1
=
A
˙
u
m
2
\dot A_{um1}=\dot A_{um2}
A˙um1=A˙um2,下限频率
f
L
1
=
f
L
2
f_{L1}=f_{L2}
fL1=fL2,上限频率
f
H
1
=
f
H
2
f_{H1}=f_{H2}
fH1=fH2;故整个电路的中频电压增益
20
lg
∣
A
˙
u
∣
=
20
lg
∣
A
˙
u
m
1
⋅
A
˙
u
m
2
∣
=
40
lg
∣
A
˙
u
m
1
∣
20\lg|\dot A_u|=20\lg|\dot A_{um1}\cdot\dot A_{um2}|=40\lg|\dot A_{um1}|
20lg∣A˙u∣=20lg∣A˙um1⋅A˙um2∣=40lg∣A˙um1∣当
f
=
f
L
1
f=f_{L1}
f=fL1 时,
∣
A
˙
u
l
1
∣
=
∣
A
˙
u
l
2
∣
=
∣
A
˙
u
m
1
∣
2
|\dot A_{ul1}|=|\dot A_{ul2}|=\displaystyle\frac{|\dot A_{um1}|}{\sqrt 2}
∣A˙ul1∣=∣A˙ul2∣=2∣A˙um1∣,所以
20
lg
∣
A
˙
u
∣
=
40
lg
∣
A
˙
u
m
1
∣
−
40
lg
2
20\lg|\dot A_u|=40\lg|\dot A_{um1}|-40\lg\sqrt 2
20lg∣A˙u∣=40lg∣A˙um1∣−40lg2说明增益下降 6 dB,并且由于
A
˙
u
1
\dot A_{u1}
A˙u1 和
A
˙
u
2
\dot A_{u2}
A˙u2 均产生 +45° 的附加相移,所以
A
˙
u
\dot A_u
A˙u 产生 +90° 的附加相移。根据同样的分析可得,当
f
=
f
H
1
f=f_{H1}
f=fH1 时,增益也下降 6 dB,但所产生的附加相移为 -90°。因此,两级放大电路和组成它的单级放大电路的波特图如图5.5.1所示。根据截止频率的定义,在幅频特性中找到使增益下降 3 dB 的频率就是两级放大电路的下限频率
f
L
f_L
fL 和上限频率
f
H
f_H
fH,如图中所标注。显然,
f
L
>
f
L
1
(
f
L
2
)
f_L>f_{L1}(f_{L2})
fL>fL1(fL2),
f
H
<
f
H
1
(
f
H
2
)
f_H<f_{H1}(f_{H2})
fH<fH1(fH2),因此两级放大电路的通频带比组成它的单级放大电路窄。上述结论具有普遍意义。对于一个
N
N
N 级放大电路,设组成它的各级放大电路的下限截止频率分别为
f
L
1
f_{L1}
fL1,
f
L
2
f_{L2}
fL2,
⋯
\cdots
⋯,
f
L
N
f_{LN}
fLN,上限截止频率分别为
f
H
1
f_{H1}
fH1,
f
H
2
f_{H2}
fH2,
⋯
\cdots
⋯,
f
H
N
f_{HN}
fHN,通频带分别为
f
b
w
1
f_{bw1}
fbw1,
f
b
w
2
f_{bw2}
fbw2,
⋯
\cdots
⋯,
f
b
w
N
f_{bwN}
fbwN;该多级放大电路的下限截止频率为
f
L
f_L
fL,上限截止频率为
f
H
f_H
fH,通频带为
f
b
w
f_{bw}
fbw;则
{
f
L
>
f
L
k
(
k
=
1
∼
N
)
(
5.5.3
a
)
f
H
<
f
H
k
(
k
=
1
∼
N
)
(
5.5.3
b
)
f
b
w
<
f
b
w
k
(
k
=
1
∼
N
)
(
5.5.3
b
)
\left\{\begin{matrix}f_L>f_{Lk}\kern 11pt(k=1\sim N)\kern 20pt(5.5.3a)\\f_H<f_{Hk}\kern 7pt(k=1\sim N)\kern 20pt(5.5.3b)\\f_{bw}<f_{bwk}\kern 5pt(k=1\sim N)\kern 20pt(5.5.3b)\\\end{matrix}\right.
⎩
⎨
⎧fL>fLk(k=1∼N)(5.5.3a)fH<fHk(k=1∼N)(5.5.3b)fbw<fbwk(k=1∼N)(5.5.3b)
二、截止频率的估计
1、下限频率 f L f_L fL
将式(5.5.1)中的 A ˙ u k \dot A_{uk} A˙uk 用低频电压放大倍数 A ˙ u l k \dot A_{ulk} A˙ulk 的表达式代入并取模,得出多级放大电路低频段的电压放大倍数为 ∣ A ˙ u l ∣ = ∏ k = 1 N ∣ A ˙ u m k ∣ 1 + ( f L k f ) 2 |\dot A_{ul}|=\prod\limits_{k=1}\limits^{N}\frac{|\dot A_{umk}|}{\sqrt{\displaystyle{1+(\frac{f_{Lk}}{f})^2}}} ∣A˙ul∣=k=1∏N1+(ffLk)2∣A˙umk∣根据 f L f_L fL 的定义,当 f = f L f=f_L f=fL 时 ∣ A ˙ u l ∣ = ∏ k = 1 N ∣ A ˙ u m k ∣ 2 |\dot A_{ul}|=\frac{\prod\limits_{k=1}\limits^{N}|\dot A_{umk}|}{\sqrt 2} ∣A˙ul∣=2k=1∏N∣A˙umk∣即 ∏ k = 1 N 1 + ( f L k f L ) 2 = 2 \prod\limits_{k=1}\limits^{N}\sqrt{1+(\frac{f_{Lk}}{f_L})^2}=\sqrt 2 k=1∏N1+(fLfLk)2=2等式两边取平方,得 ∏ k = 1 N [ 1 + ( f L k f L ) 2 ] = 2 \prod\limits_{k=1}\limits^N[1+(\frac{f_{Lk}}{f_L})^2]=2 k=1∏N[1+(fLfLk)2]=2展开上式,得 1 + ∑ k = 1 N ( f L k f L ) 2 + 高次项 = 2 1+\sum\limits_{k=1}^N(\frac{f_{Lk}}{f_L})^2+高次项=2 1+k=1∑N(fLfLk)2+高次项=2由于 f L k / f L f_{Lk}/f_L fLk/fL 小于 1,可将高次项忽略,得出 f L ≈ ∑ k = 1 N f L k 2 ( 5.5.4 ) f_L\approx\sqrt{\sum\limits_{k=1}\limits^Nf^2_{Lk}}\kern 60pt(5.5.4) fL≈k=1∑NfLk2(5.5.4)如加上修正系数,即 f L ≈ 1.1 ∑ k = 1 N f L k 2 ( 5.5.5 ) f_L\approx1.1\sqrt{\sum\limits_{k=1}^Nf^2_{Lk}}\kern 48pt(5.5.5) fL≈1.1k=1∑NfLk2(5.5.5)
2、上限频率 f H f_H fH
将式(5.5.1)中的
A
˙
u
k
\dot A_{uk}
A˙uk 用高频电压放大倍数
A
˙
u
h
k
\dot A_{uhk}
A˙uhk 的表达式代入并取模,得
∣
A
˙
u
h
∣
=
∏
k
=
1
N
∣
A
˙
u
m
k
∣
1
+
(
f
f
H
k
)
2
|\dot A_{uh}|=\prod\limits_{k=1}^N\frac{|\dot A_{umk}|}{\sqrt{\displaystyle{1+(\frac{f}{f_{Hk}}})^2}}
∣A˙uh∣=k=1∏N1+(fHkf)2∣A˙umk∣根据
f
H
f_H
fH 的定义,当
f
=
f
H
f=f_H
f=fH 时
∣
A
˙
u
h
∣
=
∏
k
=
1
N
∣
A
˙
u
m
k
∣
2
|\dot A_{uh}|=\frac{\prod\limits_{k=1}^N|\dot A_{umk}|}{\sqrt 2}
∣A˙uh∣=2k=1∏N∣A˙umk∣即
∏
k
=
1
N
1
+
(
f
H
f
H
k
)
2
=
2
\prod\limits_{k=1}^N\sqrt{1+(\frac{f_H}{f_{Hk}})^2}=\sqrt2
k=1∏N1+(fHkfH)2=2等式两边取平方,得
∏
k
=
1
N
[
1
+
(
f
H
f
H
k
)
2
]
=
2
\prod\limits_{k=1}^N[1+(\frac{f_H}{f_{Hk}})^2]=2
k=1∏N[1+(fHkfH)2]=2展开等式,得
1
+
∑
k
=
1
N
(
f
H
f
H
k
)
2
+
高次项
=
2
1+\sum\limits_{k=1}^N(\frac{f_H}{f_{Hk}})^2+高次项=2
1+k=1∑N(fHkfH)2+高次项=2由于
f
H
/
f
H
k
f_H/f_{Hk}
fH/fHk 小于1,所以可以忽略高次项,得出
f
H
f_H
fH 的近似表达式
1
f
H
≈
∑
k
=
1
N
1
f
H
k
2
\frac{1}{f_H}\approx\sqrt{\sum\limits_{k=1}^N\frac{1}{f^2_{Hk}}}
fH1≈k=1∑NfHk21如加上修正系数,则得
1
f
H
≈
1.1
∑
k
=
1
N
1
f
H
k
2
(
5.5.6
)
\frac{1}{f_H}\approx1.1\sqrt{\sum\limits_{k=1}^N\frac{1}{f^2_{Hk}}}\kern 50pt(5.5.6)
fH1≈1.1k=1∑NfHk21(5.5.6)根据以上分析可知,若两级放大电路是由两个具有相同频率特性的单管放大电路组成,则其上、下限频率分别为
{
1
f
H
≈
1.1
2
f
H
1
2
,
f
H
≈
f
H
1
1.1
2
≈
0.643
f
H
1
(
5.5.7
a
)
f
L
≈
1.1
2
f
L
1
≈
1.56
f
L
1
(
5.5.7
b
)
\left\{\begin{matrix}\displaystyle\frac{1}{f_H}\approx 1.1\sqrt{\frac{2}{f^2_{H1}}},f_H\approx\frac{f_{H1}}{1.1\sqrt2}\approx0.643f_{H1}\kern 10pt(5.5.7a)\\f_L\approx 1.1\sqrt2f_{L1}\approx1.56f_{L1}\kern 85pt(5.5.7b)\\\end{matrix}\right.
⎩
⎨
⎧fH1≈1.1fH122,fH≈1.12fH1≈0.643fH1(5.5.7a)fL≈1.12fL1≈1.56fL1(5.5.7b)对各级具有相同频率特性的三级放大电路,其上、下限频率分别为
{
1
f
H
≈
1.1
3
f
H
1
2
,
f
H
≈
f
H
1
1.1
3
≈
0.52
f
H
1
(
5.5.8
a
)
f
L
≈
1.1
3
f
L
1
≈
1.91
f
L
1
(
5.5.8
b
)
\left\{\begin{matrix}\displaystyle\frac{1}{f_H}\approx 1.1\sqrt{\frac{3}{f^2_{H1}}},f_H\approx\frac{f_{H1}}{1.1\sqrt3}\approx0.52f_{H1}\kern 15pt(5.5.8a)\\f_L\approx 1.1\sqrt3f_{L1}\approx1.91f_{L1}\kern 85pt(5.5.8b)\\\end{matrix}\right.
⎩
⎨
⎧fH1≈1.1fH123,fH≈1.13fH1≈0.52fH1(5.5.8a)fL≈1.13fL1≈1.91fL1(5.5.8b)可见,三级放大电路的通频带几乎是单级电路的一半。放大电路的级数愈多,频带愈窄。
在多级放大电路中,若某级的下限频率远高于其它各级的下限频率,则可认为整个电路的下限频率近似为该级的下限频率;同理,若某级的上限频率远低于其它各级的上限频率,则可认为整个电路的上限频率近似为该级的上限频率。因此式(5.5.5)、(5.5.6)多用于各级截止频率相差不多的情况。此外,对于有多个耦合电容和旁路电容的单管放大电路,在分析下限频率时,应先求出每个电容所确定的截止频率,然后利用式(5.5.5)求出电路的下限频率。
【例5.5.1】已知某电路的各级均为共射放大电路,其对数幅频特性如图5.5.2所示。试求解下限频率
f
L
f_L
fL、上限频率
f
H
f_H
fH 和电压放大倍数
A
˙
u
\dot A_u
A˙u。解: 由图5.5.2可知
(1)频率特性曲线的低频段只有一个拐点,且低频段曲线斜率为
20
dB
/
20 \,\textrm{dB}/
20dB/十倍频,说明影响低频特性的只有一个电容,故电路的下限频率为
10
Hz
10 \,\textrm{Hz}
10Hz。
(2)频率特性曲线的高频段只有一个拐点,且高频段曲线斜率为
−
60
dB
/
-60\,\textrm{dB}/
−60dB/十倍频,说明影响高频特性的有三个电容,即电路为三级放大电路,且每一级的上限频率均为
2
×
1
0
5
Hz
2\times10^5\,\textrm{Hz}
2×105Hz,所以
f
H
≈
0.52
f
H
1
=
104
kHz
f_H\approx0.52f_{H1}=104\,\textrm{kHz}
fH≈0.52fH1=104kHz(3)因各级均为共射电路,所以在中频段输出电压与输入电压相位相反。因此,电压放大倍数
A
˙
u
=
−
1
0
4
(
1
+
10
j
f
)
(
1
+
j
f
2
×
1
0
5
)
3
或
A
˙
u
=
−
1
0
3
j
f
(
1
+
j
f
10
)
(
1
+
j
f
2
×
1
0
5
)
3
\dot A_u=\frac{-10^4}{(1+\displaystyle\frac{10}{jf})(1+j\frac{f}{2\times10^5})^3}\,\,或\,\,\dot A_u=\frac{-10^3jf}{(1+j\displaystyle\frac{f}{10})(1+j\frac{f}{2\times10^5})^3}
A˙u=(1+jf10)(1+j2×105f)3−104或A˙u=(1+j10f)(1+j2×105f)3−103jf
【例5.5.2】如下图所示
Q
Q
Q 点稳定电路中,已知
C
1
=
C
2
=
C
e
C_1=C_2=C_e
C1=C2=Ce,其余参数选择合适,电路在中频段工作正常。试问:电路的下限频率决定于哪个电容?为什么?解: 考虑到
C
1
C_1
C1、
C
2
C_2
C2、
C
e
C_e
Ce 的作用,图示电路的低频等效电路如图5.5.3(a)所示。在考虑某一电容对频率响应的影响时,应将其它电容做理想化处理,即将其他耦合电容或旁路电容视为短路。比较三个电容所在回路的等效电阻,数值最小的说明该电容的时间常数最小,因而它所确定的下限频率最高,若能判断出这个下限频率远高于其它两个,则说明整个电路的下限频率就是该频率。在考虑
C
1
C_1
C1 对低频特性的影响时,应将
C
2
C_2
C2、
C
e
C_e
Ce 短路。图(b)所示是
C
1
C_1
C1 所在回路的等效电路,其时间常数
τ
1
=
(
R
s
+
R
b
1
/
/
R
b
2
/
/
r
b
e
)
C
1
=
(
R
s
+
R
i
)
C
1
(
5.5.9
)
\tau_1=(R_s+R_{b1}//R_{b2}//r_{be})C_1=(R_s+R_i)C_1\kern 20pt(5.5.9)
τ1=(Rs+Rb1//Rb2//rbe)C1=(Rs+Ri)C1(5.5.9)在考虑
C
2
C_2
C2 对低频特性的影响时,应将
C
1
C_1
C1、
C
e
C_e
Ce 短路。图(
c
c
c)所示是
C
2
C_2
C2 所在回路的等效电路,其时间常数
τ
2
=
(
R
c
+
R
L
)
C
2
(
5.5.10
)
\tau_2=(R_c+R_L)C_2\kern 138pt(5.5.10)
τ2=(Rc+RL)C2(5.5.10)式(5.5.9)与(5.5.10)在本质上是相同的,因为倘若电路的负载是下一级放大电路,则式(5.5.10)中的
R
L
R_L
RL 即为后级的输入电阻
R
i
R_i
Ri,而
R
c
R_c
Rc 正是后级电路的信号源内阻
R
s
R_s
Rs。
在考虑
C
e
C_e
Ce 对低频特性的影响时,应将
C
1
C_1
C1、
C
2
C_2
C2 短路。图(d)所示是
C
e
C_e
Ce 所在回路的等效电路。从
C
e
\pmb{C_e}
Ce 两端向左看的等效电阻是射极输出器的输出电阻,因此它的时间常数
τ
e
=
(
R
e
/
/
r
b
e
+
R
b
1
/
/
R
b
2
/
/
R
s
1
+
β
)
C
e
(
5.5.11
)
\tau_e=(R_e//\frac{r_{be}+R_{b1}//R_{b2}//R_s}{1+\beta})C_e\kern 70pt(5.5.11)
τe=(Re//1+βrbe+Rb1//Rb2//Rs)Ce(5.5.11)设
C
1
C_1
C1、
C
2
C_2
C2、
C
e
C_e
Ce 所在回路所确定的下限频率分别为
f
L
1
f_{L1}
fL1、
f
L
2
f_{L2}
fL2、
f
L
e
f_{Le}
fLe。比较时间常数
τ
1
\tau_1
τ1、
τ
2
\tau_2
τ2、
τ
e
\tau_e
τe,不难看出,当取
C
1
=
C
2
=
C
e
C_1=C_2=C_e
C1=C2=Ce 时,
τ
e
\tau_e
τe 将远小于
τ
1
\tau_1
τ1、
τ
2
\tau_2
τ2,即
f
L
e
f_{Le}
fLe 远大于
f
L
1
f_{L1}
fL1、
f
L
2
f_{L2}
fL2,因此可以认为
f
L
e
f_{Le}
fLe 就约为该电路的下限频率,即
f
L
≈
f
L
e
=
1
2
π
τ
=
1
2
π
(
R
e
/
/
r
b
e
+
R
b
1
/
/
R
b
2
/
/
R
s
1
+
β
)
C
e
f_L\approx f_{Le}=\frac{1}{2π\tau}=\frac{1}{2π(R_e//\displaystyle\frac{r_{be}+R_{b1}//R_{b2}//R_s}{1+\beta})C_e}
fL≈fLe=2πτ1=2π(Re//1+βrbe+Rb1//Rb2//Rs)Ce1从另一角度考虑,为改善电路的低频特性,
C
e
C_e
Ce 的容量应远大于
C
1
C_1
C1、
C
2
C_2
C2。当
f
L
1
f_{L1}
fL1、
f
L
2
f_{L2}
fL2 和
f
L
e
f_{Le}
fLe 的数值相差不大时,可用式(5.5.5)求解电路的
f
L
f_L
fL。