半导体二级管(本质上是一个PN结)
分类:
二极管的伏安特性曲线:
i(D)= Is((e^u/Ut) – 1);
i(D):流过二极管的电流,u为二极管两端电压
Is:饱和电流,Ut仍然是电压当量
工业上我们用导通电压,比开启电压(死区电压)大一点。
导通电压越小越好,由图可知:锗管的正向正向特性优于硅管
反向饱和电流也越小越好,即硅管的反向特性优于锗管。
温度对二极管伏安特性的影响:
虚线表示温度升高后的伏安特性曲线,在环境温度升高后二极管正向特性曲线将左移,反向特性将下移,即导通电压变小,反向饱和电流增大。
二极管的主要参数:
最大整流电流I(F):指长期运行时允许通过的最大正向平均电流,超过将烧坏二极管
最高反向工作电压U(R)
二极管工作时允许加的最大反向电压,超过,二极管可能反向击穿并损坏二极管,一般
U(R) = 1/2U(BR)
反向电流I(R):指未击穿的反向电流,我们希望I(R)越小,I(R)越小,二极管的单向导电性越好(对温度比较敏感)
最高工作频率f(M)
二极管工作时的上限截止频率,超过(由于结电容),则不能很好体现单向导电性
在实际应用场景中我们要根据最高反向电压,最大正向平均电流,工作频率,环境温度等条件,选择满足要求的二极管。
二极管的等效电路
1·理想模型 (理想化了)2·恒压降模型(考虑了导通电压) 3·折线模型(考虑了等效电阻)
1·理想模型
正向特性我们忽略了导通电压,即二极管两端电压u(D) > 0,V(+) > V(-),二极管导通,电流呈指数增加
u(D) 几乎等于0,二极管就相当于导线。
反向特性,二极管两端电压u(D) < 0, V(-) > V(+),二极管截止,电流i(D) = 0;
2`恒压降模型:考虑了导通电压
正向特性:u(D) > u(on)(导通电压),V(+) - V(-) > u(on)(硅管0.7,锗管0.2)这时二极管导通,因为我考虑了导通电压,即二极管两端有电压(u(D) = u(on)),相当于一个小的电压源
反向特性与理想模型相同,忽略了反向饱和电流,截止,i(D) = 0.
3`折线模型
正向特性:当u > u(th)(死区电压),认为i和u成线性,斜率为1、r(D),二极管导通
U(D) = Vth + r(D)*i(D),即考虑了开启电压和电阻(斜率)
反向特性与理想模型相同
二极管特的微变等效电路
二极管工作在正向特性区的某一小范围其正向特性可以等效成一个微变电阻
常温下(T = 300K)r(d) = V(T)/I(D)
分析步骤:
导通后D两端电压为0.7V
2·
3·
所给的电压源
稳压二极管
1·稳压二极管的伏安特性曲线
符号
利用二极管反向击穿特性实现稳压,稳压二极管稳压是工作在反向击穿状态,反向电压应该大于稳压电压(u(D) < -U(Z))
稳压管与普通二极管的正向特性相同
稳压管有在最大和最小电流内才能正常工作
稳压管的主要参数
1·稳定电压Uz
在规定电流下稳压管的反向击穿电压(3V,300V)
2·动态电阻r(z) = 变化的Uz/变化的Iz,曲线越陡,动态电阻
越小,稳压管的性能越好
3·最大耗散功率P(zm)
稳压管Uz与最大稳定电流的乘积,功率超过它则会结温升而损坏稳压管
I(zmax)最大稳定电流,I(zmin) 最小稳定电流
温度系数
表示度稳压管值的变化量..
分析步骤与普通二极管相同