量子点增强硅基探测成像器件的研究进展

1.硅基探测成像器件

按照工作原理分类：电荷耦合器件（CCD）

                                 互补金属氧化物半导体器件（CMOS）

CCD：基本组成单元为金属-氧化物-硅(MOS)电容器，光子信号转换为电荷包并传导至一个共同的输出机构，信号转化为模拟电压，从而实现成像。

            灵敏度高、动态范围宽和输出一致性高

CMOS：通过直接将电荷转换为电压的方式实现成像。

               动态范围和灵敏度等参数均较低，但具有成本低的优势。

 2.量子点增强硅基探测器件

通过在探测器前增加一层量子点材料作为光转换层或光活性层,使得量子点材料对探测光进行光转换或光响应,从而实现量子点材料对硅基探测器的探测增强。

        2016年,美国InVisage公司报导了通过使用量子点膜和CMOS结合的方式实现红外探测。该红外探测器在不使用机械快门的条件下具有较高的外量子效率和灵敏度。量子点膜堆叠在CMOS晶圆上方,作为光活性层使用。通过改变量子点材料的带隙,可实现对任意红外波段的响应。通过控制不同量子点垂直接触电极偏压的方式,控制量子点膜的光开关,从而在不使用机械快门的情况下即可实现全局快门操作,有利于降低系统的复杂性,减小探测器的体积。对于需要使用机械快门实现全局扫描的硅基探测器来说,像素的大小至少为3 μm,相比之下,基于量子点膜的探测器可以在像素大小为1.1 μm的情况下实现全局快门操作,较小尺寸的像素有利于探测器分辨率的提高。由于量子点材料独特的优势,使得量子点增强硅基探测器的外量子效率得到明显提高,在940 nm处的外量子效率高达42%。