一分钟了解“恒流电路”

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在大学期间,核桃第一次听“恒流源”的时候,其实压根不理解这是个什么玩意,也就没有深究了,直到工作之后,发现恒流电路在设计中经常用到,特别是LED照明,电动汽车充电领域,电化学等等,私底下也有很多小伙伴问核桃恒流源怎么去理解,那今天我们就一起来学习一下“恒流电路”吧!

首先需要先了解“恒流”的意思

恒流,顾名思义,就是恒定的电流,那恒流电路就是指可以产生恒定电流的电路,而且这个电路不会受到负载的工作电压和阻值的变化而变化,要求高的领域还不会受到环境温度的影响!

我们先从简单的开始,

三极管+稳压二极管,如图1所示:

图1

图1中采用NPN三极管和稳压二极管组成恒流电路。Q1三极管的b极电压为稳压二极管的稳压电压Uzd,基本是维持不变的,R2两端的电压等于稳压二极管的稳压电压Uzd减去三极管Q1的be压降Ube,由于三极管Q1的be间的压降是不变的(不考虑温度影响),故采样电阻R2两端的电压不变,根据欧姆定律,电压不变,只要电阻不变,那电流就是恒定的,而R3负载是通过Q1和R2串联的,故电流基本一致,即便VCC电压有变化,也不会影响到R3的电流!

所以R2的电流约等于R3的电流,负载电流=(Uzd-Ube)/R2。

优缺点:压降少,功耗低!稳定性差,稳压二极管的电压容易受到环境温度影响,要求不高的场合可用!

双三极管,如下图2所示:

图2

图2是由两个NPN三极管组成的恒流电路,当NET1为高电平是,Q1导通,Q2基极为高电平,Q2此时导通,拉低Q1的基极,Q1截止,负载失电,同时,Q2的基极的电压接近0V,Q2截止。Q1的基极重新被释放,从而又可以重新导通了,如此一直循环下去,而R3负载是通过Q1和R2串联的,故电流基本一致,即便VCC电压有变化,也不会影响到R3的电流!

所以R2的电流约等于R3的电流,负载电流=0.7V/R2。

优缺点:压降大,功耗高!稳定性比稳压二极管+三极管的方案好,要求不高的场合可用!

运放+MOS管,如下图3所示:

图3

图3中由运放和MOS管组成的恒流电路,主要利用运放的“虚短”特性来实现,如果小伙伴不清楚运放的“墟短”的概念的可以戳这里:

运放,一分钟快速上手(一)

由于运放“虚短”的特性,故运放的-端电压Ub和+端电压Ua是几乎一致的,R2两端的电压等于运放的-端电压Ua,所以即使VCC的电压有变化,也不会影响流过R2的电流。

而R1负载和R2是通过Q1串联起来的,所以在MOS管Q1导通后,流过R2的电流和流过R1的电流是一样的。

所以R2的电流约等于R1的电流,负载电流=Ua/R2。

优缺点:相比于前面的两个方案,运放+MOS的方案稳定性更高!输入阻抗高和输出阻抗低,精度高,MOS管的损耗小,发热量低,但成本稍高!

总结:在实际项目中很多都是采用运放+MOS管的方案,当然也有采用运放+三极管的方案,但是三极管的精度比MOS管差,压降高,损耗大,发热量也大。

注意:在使用运放+MOS管的方案是,需要注意的是NET1电压最好使用基准源来提供,如果使用的场合要求较高,采样电阻可以使用高精度的和温漂小的电阻。

好了,这章就先写到这吧!

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<think>好的,用户现在需要一份激光二极管恒流驱动的电路图。之前他们询问了LMG1020和LMG1025的对比,现在转向具体的电路设计,可能是在选型之后需要进行实际应用的设计。首先,我需要确认用户的具体需求,比如他们使用的激光二极管参数,比如电流大小、电压范围,是否需要调制功能,或者是否有特定的应用场景,比如医疗设备、激光雷达还是工业切割。不过用户可能没有提供这些细节,所以我需要做一个通用的设计,同时也要考虑到常见的要求。 用户之前提到过LMG1020和LMG1025,这两款都是高速低侧驱动器,适合脉冲驱动,但恒流驱动可能需要不同的方案。恒流驱动通常需要稳定的电流输出,避免激光二极管受到电流波动的影响,从而保证其寿命和性能。因此,电路可能需要使用运算放大器、MOSFET和反馈电阻来实现闭环控制。 接下来,我需要回忆常见的恒流驱动电路结构。通常,恒流源可以通过运放、参考电压、采样电阻和调整元件(如MOSFET或晶体管)构成。运放会比较采样电阻上的电压与参考电压,调整MOSFET的导通程度以维持恒定电流。 另外,需要考虑激光二极管的保护措施,比如过流保护、温度补偿,或者软启动功能,防止开启时的电流冲击。用户可能在工业或医疗应用中使用,这些环境对可靠性的要求较高,所以保护电路也很重要。 同时,用户可能对电路的效率、尺寸和成本有要求。如果应用在便携设备中,可能需要低功耗和小型化设计;而工业应用可能更注重稳定性和散热。因此,在选择元件时,需要平衡这些因素。 另外,用户之前的问题是关于高速驱动器的,但现在转向恒流驱动,可能存在一定的混淆。高速驱动器如LMG1020/1025更适合脉冲调制,而恒流驱动更注重稳定性。因此,我需要明确说明这两种应用的不同,并给出适合恒流驱动的方案,可能涉及线性调节或开关调节,但线性方案更简单,而开关方式效率更高但复杂。 最后,需要总结电路的关键部分,并提醒用户根据实际参数调整元件值,比如采样电阻的计算,MOSFET的选择,以及是否需要额外的保护电路。可能还需要建议他们参考具体激光二极管的数据手册,以确保兼容性和安全性。</think>是一个基于运算放大器和MOSFET的 **激光二极管恒流驱动电路图** 及关键设计说明,适用于需要稳定电流输出的场景(如医疗、通信、工业激光器): -- ### **一、基础电路图(简化版)** ``` +Vcc (12-24V) | │ R1 (限流电阻) │ │ ┌───────────┐ ├───────┤ MOSFET │ │ │ (N沟道) │ │ └─────┬─────┘ │ │ │ ├───── Laser Diode (LD) │ │ │ R_sense (电流采样电阻) │ │ └───────────────┘ │ │ GND │ ▼ 运算放大器 (OPAMP,如OPA2188) │ ▲ │ │ 参考电压源(Vref)─┘ │ └───反馈路径 ``` --- ### **二、核心元件功能** 1. **运算放大器 (OPAMP)** - 作为误差放大器,对比 **参考电压 (Vref)** 和 **采样电阻 (R_sense) 的压降**,输出控制信号驱动MOSFET栅极。 2. **MOSFET (N沟道)** - 作为电流调节开关,受OPAMP控制调整导通阻抗,维持激光二极管电流恒定。 3. **采样电阻 (R_sense)** - 关键参数:阻值决定恒流值,需满足 **I_LD = Vref / R_sense**。 - 选型要求:低温度漂移(如0.1%精密电阻)、功率耐受能力(功率 ≥ I²×R)。 4. **参考电压源 (Vref)** - 可选方案: - 精密电压基准芯片(如 **TL431**,提供2.5V基准)。 - 电阻分压+滤波电容(低成本,但精度较低)。 -- ### **三、完整电路设计示例** ```plaintext +Vcc (输入电源) │ ├─┬─ R1 (限流保护,如10Ω) │ └─┬─ C1 (退耦电容,10μF) │ └─┬─ C2 (高频滤波,0.1μF) │ │ ┌───────────────────────┐ │ │ │ │ ▼ │ │ MOSFET (如IRF540N) │ │ │ │ │ ├─────── Laser Diode (LD) 阳极 │ │ │ │ │ └───── R_sense (如0.5Ω/2W) │ │ │ │ ▼ ▼ │ GND GND │ └───────┬───────────────┘ │ ▼ OPAMP同相输入端 (+) ── Vref (如TL431输出2.5V) OPAMP反相输入端 (-) ── R_sense电压 OPAMP输出端 ────────── MOSFET栅极 ``` --- ### **四、关键设计公式** 1. **恒流值计算**: \[ I_{LD} = \frac{V_{ref}}{R_{sense}} \] - 例:若Vref=2.5V,R_sense=0.5Ω,则I_LD=5A。 2. **MOSFET选型要求**: - 耐压 ≥ 输入电压(Vcc)的1.5倍。 - 导通电阻(Rds_on)低(如IRF540N的Rds_on=44mΩ)。 - 功率损耗:\( P_{loss} = I_{LD}^2 \times R_{ds\_on} \)。 3. **采样电阻功率计算**: \[ P_{sense} = I_{LD}^2 \times R_{sense} \] - 例:I_LD=5A,R_sense=0.5Ω → P_sense=12.5W,需选2W以上电阻。 -- ### **五、增强功能设计** 1. **过流保护**: - 在OPAMP反馈回路中加入比较器,触发后关闭MOSFET(如使用LTC4365)。 2. **温度补偿**: - 在Vref路径串联NTC热敏电阻,补偿激光二极管温漂。 3. **软启动**: - 在OPAMP输入侧增加RC延迟电路,避免上电瞬间电流冲击。 4. **调制功能**: - 在Vref端接入PWM信号,实现激光强度调制(需OPAMP支持高频响应)。 --- ### **六、选型建议** | **元件** | **推荐型号** | **备注** | |--| | **运算放大器** | OPA2188、ADA4898-1 | 高精度、低噪声、高速响应 | | **MOSFET** | IRF540N、CSD18532Q5B | 低Rds_on、TO-220封装散热佳 | | **基准源** | TL431、REF3025 | 提供稳定Vref | | **采样电阻** | Vishay WSLP系列 | 高精度、低温漂、功率耐受 | --- ### **七、注意事项** 1. **热管理**: - MOSFET和采样电阻需加散热片,避免过热导致电流漂移。 2. **噪声抑制**: - 在Vref和OPAMP电源端并联0.1μF陶瓷电容,降低高频干扰。 3. **布局优化**: - 采样电阻到OPAMP的走线尽量短,避免引入额外阻抗。 4. **激光二极管保护**: - 反向并联肖特基二极管(如BAT54),防止反向电压击穿。 -- 如需根据具体参数(如电流值、调制频率、封装尺寸)优化设计,请提供激光二极管的规格书或关键参数(波长、额定电流、工作电压等)。
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