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第8章 光电式传感器
8.1 概述
8.2 常用光源及特性
8.3 外光电效应传感器
8.4 内光电效应传感器
8.5 光电耦合器件
8.6 旋转式光电编码器
8.7 光栅传感器
8.8 位置敏感探测器
8.9 光电图像传感器件
8.1 概述
光本质上是一种电磁波。从电磁波谱分布图上看，光波（包括紫外、可见、红外）只是电磁波很小的一部分。但仍然具有反射、折射、散射、衍射、干涉和吸收等性质。由光的粒子说可知，光是以光速运动着的粒子(光子)流，一种频率ν的光由能量相同的光子所组成，每个光子的能量为：
式中 h——普郎克常数，h=6.626×10－34J·s 可见，光的频率愈高(即波长愈短)，光子的能量愈大。
光电传感器是将光能转换为电能，实现光信息向电信息转换的一种传感器件。
它可用于检测直接引起光量变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等；
也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量，如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度，以及物体的形状、工作状态的识别等。
光电传感器件一般响应快、结构简单、 使用方便， 而且有较高的可靠性， 因此在自动检测、计算机和控制系统中，得到广泛应用。
光电传感系统通常由光源、探测器，检测电路等三部分组成。
实际应用中光电探测器往往必须与光源结合考虑。因此首先介绍一下常用光源情况。
8.2 常用光源及特性
光源种类多样，大致可以分为自然光源和人造光源。
由自然过程产生的辐射源（如太阳、月亮、星光等）为自然光源。自然光源可以为光电探测器提供照明光源或者形成干扰。
为了消除自然光源照明不足，可以应用各种人造光源。
1.白炽光源
白炽光源中最常用的是钨丝灯。钨丝白炽灯是在电流作用下维持钨丝温度发生热辐射体发光。
它产生的光谱线较丰富，一般包含可见光与红外光，使用时，常加用滤色片来获得不同窄带频率的光。
钨丝白炽灯有各种规格，一般都具有结构简单、造价低廉的特点，因此应用普遍。
在灯泡中充入卤素形成的卤钨灯，亮度较高、发光效率高、形体小、成本低，性能较好，常作大型照明设备光源，也在光电传感技术中有较多应用。
2.气体放电光源
气体放电光源是通过高压使气体电离产生的很强的光辐射。
因为其不发热，也被称做冷光源。其辐射光谱为线光谱或带光谱。
具体线光谱和带光谱的结构与放电气体成分有关。如钠灯只发射589.0nm和589.6nm的双黄光，氙灯发出的则往往为带状光谱。
每种光源如氙灯也包含很多类型，其辐射光谱的能量分布是不同的，要根据实际的需要选择。
3.半导体发光光源
发光二极管（LED）是一种电致发光的半导体器件，它与钨丝白炽灯相比具有体积小、重量轻、电压低、功耗低、寿命长、响应快、便于与集成电路相匹配等优点，因此得到广泛应用。
目前有各种单色性较好的单色LED，也有高效大功率白光LED。
在光电传感应用中往往从光谱特性、伏安特性、发光特性、发散特性等角度对所用LED型号进行选择。
（1）光谱特性
光电传感技术中常用光谱分布曲线表示光源光谱特性。光谱分布曲线就是描述发光的相对强度(或能量)随波长(或频率)变化的曲线。
光源发光光谱的形成是由材料的种类、性质以及发光中心的结构决定的 .
和
的发射光谱
（2）伏安特性
发光二极管伏安特性与普通二极管大致相同，当所加正向电压超过开启电压时电流急剧上升。
开启电压取决于器件制作材料的禁带宽度
（3）发光特性
发光特性有两个方面：
一是发光强度随正向激励电流的变化规律。如图8.2.3所示为不同类型LED的发光特性。
二是发光强度随偏离轴向角度的变化规律，也被称做发光强度的角度分布曲线。
（4）常用驱动电路
使用二极管时一般必须加电阻限流，图给出基本直流和交流驱动电路。
4.激光（Laser）器
激光器是一种新型的发光器件，它和普通光源有显著的差别。
激光具有以下特点：
(1)方向性强（准直性好）
光束的发散度极小，大约只有0.001弧度，接近平行。
1962年，人类第一次使用激光照射月球，地球离月球的距离约38万公里，但激光在月球表面的光斑不到两公里。
(2)单色性好。
激光器输出的光，波长分布范围非常窄，因此颜色极纯。
以输出红光的氦氖激光器为例，其光的波长分布范围可以窄到2*10-9米，是氪灯发射的红光波长分布范围的万分之二。
(3)亮度高。
在激光发明前，人工光源中高压脉冲氙灯的亮度最高，与太阳的亮度不相上下，而红宝石激光器的激光亮度，能超过氙灯的几百亿倍。
光源的这些特点，它的出现成为光学中划时代的标志。
目前常用的激光器主要有:气体激光器（He-Ne、CO2、Ar+ 激光器等）、固体激光器（红宝石激光器、玻璃激光器、Nd:YAG激光器）、液体激光器（染料激光器）和半导体激光器（GaAlAs、InGaAs）等。
其中半导体激光器的体积小、重量轻、寿命长、效率高、结构简单而坚固，特别适用于光通信、光电测试、自动控制等技术领域，是目前最有前途、发展最快的激光器。
半导体激光器，也叫激光二极管。
其本质上就是一个半导体二极管，按照 PN结材料是否相同，可把激光二极管分为同质结、单异质结、双异质结和量子阱激光二极管。
激光二极管内包括两个部分：
第一部分是激光发射部分(可用LD表示)，它的作用是发射激光，如图中电极(1)；
第二部分是激光接收部分(可用PD表示)，它的作用是接收、监测LD发出的激光 。
半导体激光二极管的常用参数有：
（1）波长：即激光管工作出光波长。
（2）阈值电流：即激光管开始产生激光振荡的电流，对一般小功率激光管而言，其值约在数十毫安，具有应变多量子阱结构的激光管阈值电流可低至10mA以下。
（3）工作电流：即激光管达到额定输出功率时的驱动电流，此值对于设计调试激光驱动电路较重要。
（4）垂直发散角：激光二极管的发光带在垂直PN结方向张开的角度，一般在15°～40°左右。
（5）水平发散角：激光二极管的发光带在与PN结平行方向所张开的角度，一般在6°～10°左右。
（6）监控电流：即激光管在额定输出功率时，在PD管上流过的电流。
激光二极管对过电流、过电压以及静电干扰极为敏感。因此，在使用时要特别注意不要使其工作参数超过其最大允许值，可采用的方法如下：
(1)用直流恒流源驱动激光二极管。
(2)在激光二极管电路上串联限流电阻器，并联旁路电容器。
(3)由于激光二极管温度升高将增大流过它的电流值，因此，必须采用必要的散热措施，以保证器件工作在一定的温度范围之内。
4)为了避免激光二极管因承受过大的反向电压而造成击穿损坏，可在其两端反并联上快速硅二极管。
5.光源特性
光源的辐射特性(例如白炽灯辐射为非相干的朗伯光源，激光器是相干光源)、光谱特性(辐射的中心波长λ和谱宽Δλ)、光电转换特性(光源的电偏置与光源幅射的光学特性之间的关系)以及光源的环境特性(热系数、长时间漂移和老化等)是光源的重要参量，在选择时是要考虑的方面。
8.3 外光电效应传感器
光电探测器件工作的物理基础是光电效应。
在光线作用下，物体的电导性能改变的现象称为内光电效应。如光敏电阻等就属于这类光电器件。
在光线作用下，能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。如光电管、光电倍增管就属于这类光电器件。
8.3.1 光电管
1、结构与原理
光电管的典型结构是在真空玻璃管内装入两个电极－光阴极与光阳极，最简单的光阴极 是在玻璃泡内涂上阴极材料构成，阳极为置于光电管中心的金属丝。
根据爱因斯坦假设：一个电子只能接受一个光子的能量。因此要使一个电子从物体表面逸出，必须使光子能量ε大于该物体的表面逸出功A。
各种不同的材料具有不同的逸出功A，因此对某特定材料而言，将有一个频率限νo(或波长限λo)，称为“红限”。
当入射光的频率低于νo时(或波长大于λo)，不论入射光有多强，也不能激发电子；
当入射频率高于νo时，不管它多么微弱也会使被照射的物体激发电子，光越强则激发出的电子数目越多。红限波长可用下式求得：
2.光电管典型特性参数
当一定频率和一定辐照度的光照射到光电管的阴极时，发生光电效应。
如果这时再给光电管的两极间加上正向电压，使光电子在电场中被加速，那么光电子就顺利的达到阳极，在连接光电管两极的电路中产生光电流I。
在一定光照条件下，当正向电压增加到一定数值时，光电流就不再增加或增加很少，这说明几乎所有的光电子都达到了光电管的阳极而使光电流达到了饱和。这个饱和值称为饱和光电流IH。
使光电流刚好达到IH时的正向电压Ub称为饱和电压。
当正向电压为零时，在光的照射下仍会有少数光电子达到阳极，因此正向电压为零时的光电流不为零。
要使光电流为零，必须加反向电压阻止光电子跑向阳极。
使光电流刚好为零时的反向电压Ua称为截止电压。
当没有受到光照时产生的电流叫做暗电流。
当入射光的频率和辐照度一定时，光电流I与光电管两极间电压U的关系称为光电管的伏安特性。
3.光电管分类
光电管分为真空光电管和充气光电管两类。
真空光电管按受照方式可分为侧窗式和端窗式。
端窗式包括弱流和强流两种。
强流光电管具有平行平板结构。
光电管内添加惰性气体如氖气就形成充气光电管，在光电阴极被光照射产生光电子后，在被阳极吸收过程中，碰撞气体分子，使其电离，可以得到更多的正离子和自由电子，可以提高灵敏度。
8.3.2 光电倍增管
1.构造和原理
光电倍增管由真空管壳内的光电阴极、阳极以及位于其间的若干个倍增极构成
工作时在各电极之间加上规定的电压。
当光或辐射照射阴极时，阴极发射光电子，光电子在电场的作用下逐级轰击次级发射倍增极，在末级倍增极形成数量为光电子的百万倍以上的次级电子
众多的次级电子最后为阳极收集，在阳极电路中产生可观的输出电流
2.光电倍增管的类型
光电倍增管按其接收入射光的方式一般可分成端窗型和侧窗型两大类。侧窗型光电倍增管是从玻璃壳的侧面接收入射光，端窗型光电倍增管则从玻璃壳的顶部接收射光。
3. 特性参数
（1）光谱响应
光电倍增管由阴极吸收入射光子的能量并将其转换为电子，其转换效率（阴极灵敏度）随入射光的波长而变。
这种光阴极灵敏度与入射光波长之间的关系叫做光谱响应特性。图8.3.6给出了双碱光电倍增管的典型光谱响应曲线。
（2）阴极光照灵敏度
阴极光照灵敏度，是指使用钨灯产生的2856K色温光测试的每单位通量入射光产生的阴极光电子电流
（3）电流放大（增益）
光阴极发射出来的光电子被电场加速后撞击到第一倍增极上将产生二次电子发射，以便产生多于光电子数目的电子流。。。阳极灵敏度与阴极灵敏度的比值，即为光电倍增管的增益。
（4）阳极暗电流
光电倍增管在完全黑暗的环境下仍有微小的电流输出。这个微小的电流叫做阳极暗电流。
（5）磁场影响
大多数光电倍增管会受到磁场的影响，磁场会使光电倍增管中的发射电子脱离预定轨道而造成增益损失。
（6）温度特点
降低光电倍增管的使用环境温度可以减少热电子发射，从而降低暗电流。
4.基本应用电路
光电倍增管在工作时输出的电流信号一般小于 0. 1mA，单光子计数时信号更微弱约为十几μA ；
8.4 内光电效应传感器
内光电效应按其工作原理可分为两种：
光电导效应和光生伏特效应。
半导体受到光照时会产生光生电子－空穴对，使导电性能增强，光线愈强，阻值愈低。这种光照后电阻率变化的现象称为光电导效应。
基于这种效应的光电器件有光敏电阻。
8.4.1 光电导器件--光敏电阻
利用具有光电导效应的半导体材料做成的光电探测器称为光电导器件，通常叫做光敏电阻。
可见光波段和大气透过的几个窗口：即近红外、中红外和远红外波段。
１.光敏电阻的结构与工作原理
光敏电阻又称光导管，它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。
光敏电阻没有极性， 纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。无光照时，光敏电阻值（暗电阻）很大，电路中电流（暗电流）很小。
当光敏电阻受到一定波长范围的光照时，它的阻值（亮电阻）急剧减少，电路中电流迅速增大。
一般希望暗电阻越大越好，亮电阻越小越好，此时光敏电阻的灵敏度高。
实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧级，亮电阻在几千欧以下。
２． 光敏电阻的主要参数 （
１）暗电阻。光敏电阻在不受光时的阻值称为暗电阻，此时流过的电流称为暗电流。
（２）亮电阻。光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻，此时流过的电流称为亮电流。
（３）光电流。亮电流与暗电流之差称为光电流。
３． 光敏电阻的基本特性
（1）伏安特性 在一定照度下，流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系称为光敏电阻的伏安特性。
（2） 光谱特性 光敏电阻的相对光敏灵度与入射波长的关系称为光谱特性，亦称为光谱响应。
（3） 温度特性
温度变化影响光敏电阻的光谱响应。 光敏电阻的灵敏度和暗电阻都要改变，尤其是响应于红外区的硫化铅光敏电阻受温度影响更大。
4. 光敏电阻在火焰探测报警器中应用
8.4.2 光伏探测器
光生伏特效应：当光照射在PN结上时，电子吸收光子后能量大于半导体材料禁带宽度，激发电子和空穴对，在PN结内在电场作用下，空穴向P区移动，电子向N区移动，于是产生电压，称为光生伏特效应。
用光生伏特效应制造出来的光敏器件称为光伏探测器。
可用来制造光伏器件的材料很多，如有硅、硒、锗等光伏器件。
其中硅光伏器件具有暗电流小、噪声低、受温度的影响较小、制造工艺简单等特点，所以它已经成为目前应用最广泛的光伏器件：如硅、硅光电二极管、硅雪崩光电二极管、硅光电三极管及硅光电场效应管等等。
一、光敏二极管和光敏晶体管
１．结构原理
光敏二极管的结构与一般二极管相似。它装在透明玻璃外壳中，其PN结装在管的顶部，可以直接受到光照射。
在没有光照射时，反向电阻很大，反向电流很小，这个小反向电流称为暗电流。
当光照射在PN结上时，光子打在PN结附近，使PN结附近产生光生电子和光生空穴对。
它们在PN结处的内电场作用下作定向运动，形成光电流。
光的照度越大，光电流越大。 因此光敏二极管在不受光照射时，处于截止状态，受光照射时，处于导通状态。
光敏晶体管与一般晶体管很相似，具有两个PN结，只是它的发射极一边做得很大， 以扩大光的照射面积。
大多数光敏晶体管的基极无引出线，当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时，集电结就是反向偏压；当光照射在集电结上时，就会在结附近产生电子-空穴对，从而形成光电流， 相当于三极管的基极电流。
２． 基本特性
（１） 光谱特性光敏二极管和晶体管的光谱特性曲线如图8 - 8所示。从曲线可以看出, 硅的峰值波长约为0.9 μm, 锗的峰值波长约为1.5μm, 此时灵敏度最大, 而当入射光的波长增加或缩短时, 相对灵敏度也下降。一般来讲, 锗管的暗电流较大, 因此性能较差, 故在可见光或探测赤热状态物体时, 一般都用硅管。 但对红外光进行探测时, 锗管较为适宜。
（２） 伏安特性
图8 - 9为硅光敏管在不同照度下的伏安特性曲线。从图中可见, 光敏晶体管的光电流比相同管型的二极管大上百倍。
（３） 温度特性光敏晶体管的温度特性是指其暗电流及光电流与温度的关系。光敏晶体管的温度特性曲线如图8 - 10所示。 从特性曲线可以看出, 温度变化对光电流影响很小, 而对暗电流影响很大, 所以在电子线路中应该对暗电流进行温度补偿, 否则将会导致输出误差。
表8-2列出几种硅光电二极管的特性参数。
3.特殊光电二极管
（1）P1N型光电二极管
PIN型硅光电二极管不仅响应速度快，而且由于其PN结势垒区可以扩展到整个I型层，因而对红外波长也有较好的响应。
（2）雪崩型硅光电二极管（APD)
雪崩型硅光电二极管是一种具有内增益的半导体光敏器件。处于反向偏置的PN结，其势垒区内有很强的电场。
光生载流子在运动过程中，碰撞其他原子而产生大量新的电子一空穴对。
这些电子一空穴对在运动过程中获得足够大的动能，又碰撞出大量新的二次电子一空穴对。这样像雪崩一样迅速地碰撞出大量电子和空穴，形成强大的电流，形成倍增效应。雪崩光电二极管具有电流增益大，灵敏度高，频率响应快，不需要后续庞大的放大电路等待点。因此它在微弱辐射信号的探测方面被广泛地应用。
二、光电池
光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。
１．结构原理
光电池的工作原理是基于“光生伏特效应”（ 图8.4.11）。 它实质上是一个大面积的PN结，当光照射到PN结的一个面，例如p型面时，若光子能量大于半导体材料的禁带宽度.
２．基本特性
光电池的基本特性有以下几种：
（１） 光谱特性
光电池对不同波长的光的灵敏度是不同的。不同材料的光电池，光谱响应峰值所对应的入射光波长是不同的，硅光电池在0.8μm附近，硒光电池在0.5 μm附近。
（２）光照特性
光电池在不同光照度下，光电流和光生电动势是不同的，它们之间的关系就是光照特性。
(3) 温度特性
光电池的温度特性是描述光电池的开路电压和短路电流随温度变化的情况。由于它关系到应用光电池的仪器或设备的温度漂移， 影响到测量精度或控制精度等重要指标， 因此温度特性是光电池的重要特性之一。
3. 光电池在光电式纬线探测器中应用
光电式纬线探测器是应用于喷气织机上，判断纬线是否断线的一种探测器。图8.4.14为光电式纬线探测器原理电路图。
8.5 光电耦合器件
光电耦合器件是由发光元件（如发光二极管）和光电接收元件合并使用，以光作为媒介传递信号的光电器件。
光电耦合器中的发光元件通常是半导体的发光二极管，光电接收元件有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管或光可控硅等。
1．光电耦合器
光电耦合器的发光和接收元件都封装在一个外壳内， 一般有金属封装和塑料封装两种。
光电耦合器实际上是一个电量隔离转换器，它具有抗干扰性能和单向信号传输功能， 广泛应用在电路隔离、电平转换、噪声抑制、无触点开关及固态继电器等场合。
2. 光电开关
光电开关是一种利用感光元件对变化的入射光加以接收， 并进行光电转换， 同时加以某种形式的放大和控制，从而获得最终的控制输出”开”、”关”信号的器件。
3. 光电耦合器在脉冲点火控制器中应用
8.6 旋转式光电编码器
编码器是一种通过编码进行测量的元件，它直接把被测转角或直线位移转换成相应的代码，指示其位置。从结构上讲，编码器有接触式、电磁式和光电式和电容式等类型。这里只讨论旋转式光电编码器。
旋转式光电编码器，是一种通过光电转换将输出轴上的机械几何位移量转换成脉冲或数字量的传感器。旋转式光电编码器由码盘和光电检测装置组成。码盘是在一定直径的圆板上按照一定规则开通若干个长方形孔。
通若干个长方形孔。由于光电码盘与电动机同轴，电动机旋转时，码盘与电动机同速旋转，经发光二极管等电子元件组成的检测装置检测输出相应信号 .
1. 绝对式编码器
绝对式编码器是利用自然二进制、格雷码等编码方式进行光电转换的。在它的圆形码盘上沿径向有若干同心码道，每条道上由透光和不透光的扇形区相间组成，码盘上的码道数就是它的二进制数码的位数。
图8.6.2表示的是一个4位二进制循环码的光电编码盘，该编码盘由透明与不透明区域构成。
2. 增量编码器
增量式编码器与绝对式编码器不同之处在于圆盘的线条图形，其码盘比绝对编码器码盘要简单得多且分辨率更高。一般只需要三条码道，这里的码道实际上已不具有绝对编码器码道的意义，而是产生计数脉冲。
3.用光电编码器测量方向盘旋转角度
对汽车方向盘旋转角度的测量可选用增量式光电编码器作为传感器。考虑到汽车方向盘转动是双向的，既可顺时针旋转，也可逆时针旋转，需要对编码器的输出信号鉴相后才能计数。
8.7 光栅传感器
光栅是利用光的透射、衍射现象制成的光电检测元件。常见的光栅从形状上可分为圆光栅和长光栅。圆光栅用于角位移的检测，长光栅用于直线位移的检测。光栅的检测精度较高，可达1um以上。
1.光栅传感器的构造
光栅传感器一般由光源，透镜，光栅尺，光敏元件，驱动电路组成.
光敏元件（常选用光电池和光敏三极管）将透过光栅尺的光强信号转换为电信号，驱动线路实现对光敏元件输出信号进行功率和电压放大 .
光栅尺是光栅传感器的主要部件，主要由标尺光栅和指示光栅两部分组成。光栅是用真空镀膜的方法光刻上均匀密集线纹的透明玻璃片或长条形金属镜面。
按光路分，光栅传感器可分为分光式、反射式和镜像式读数头三种。
2.光栅工作原理
常见的光栅都是根据莫尔条纹的形成原理进行工作的
当指示光栅和标尺光栅的线纹相交一个微小的夹角时, 由于挡光效应（对线纹密度≤50条/mm的光栅）或光的衍射作用（对线纹密度≥100条/mm的光栅）, 在与光栅线纹大致垂直的方向上, 产生出亮暗相间的条纹, 这些条纹称为“莫尔条纹”.
莫尔条纹具有以下性质：
(1) 当用平行光束照射光栅时，透过莫尔条纹的光强度分布近似于余弦函数。
(2) 若用d莫尔条纹的宽度，w表示光栅的栅距，表示两光栅尺线纹的夹角，则它们之间的几何关系为
当角很小时，上式可近似写成
无需复杂的光学系统和电子系统，利用光的干涉现象，就能把光栅的栅距转换成放大
(3) 由于莫尔条纹是由若干条光栅线纹共同干涉形成的，所以莫尔条纹对光栅个别线纹之间的栅距误差具有平均效应，能消除光栅栅距不均匀所造成的影响。
(4) 莫尔条纹的移动与两光栅尺之间的相对移动相对应。
（1）位移大小的检测 （2）位移方向的检测 （3）速度的检测
8.8 位置敏感探测器
位置敏感探测器(Position Sensitive Detector，PSD)是一种新型的光电器件，可将光敏面上的光点位置转化为电信号，实现器件对入射光位置的敏感。
1.一维PSD 的结构和工作原理
PSD由三层构成， 最上一层是P 层，下层是N 层，中间插入一较厚的高阻I 层。I 层耗尽区宽，结电容小，光生载流子几乎全部都在I 层耗尽区中产生，没有扩散分量的光电流， 因此响应速度比普通PN结光电二极管要快得多。
电极输出的光电流反比于入射光斑位置到各自电极之间的距离，光电流 和可以用下面方式表示（假设坐标原点选在PSD 中心时）：
实际应用中，由于光源光功率的波动及光源与PSD 间距离的变化，并不是一个恒定值，为了消除 的影响， 通常把输出电流的差与和相除作为位置检测信号， 即当坐标原点选在PSD 中心时：
所以，只要检测出I1和I2的大小， 即可以算出光点所在的位置。
2.二维方形PSD 器件结构原理
根据器件结构，二维PSD 有四边形结构、双面结构和枕形结构等几种。
3. PSD 器件非线性
实验发现，PSD 器件存在着电流对位置响应的非线性。这也是PSD的主要不足之处。它的线性度主要取决于在制造过程中表面扩散层和底层材料电阻率的均匀性，以及有效的感光面积等多种因素，而且非线性并没有准确的公式作为依据。
8.9 光电图像传感器件
能够将二维光强分布的光学图像转换为一维时序电信号的传感器称为图像传感器。目前常用的光电图像传感器件主要有电荷耦合图像传感器（CCD）和金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器件。
8.9.1 电荷耦合图像传感器
电荷耦合器件（Charge Couple Device，简称CCD）是一种大规模MOS（金属-氧化物-半导体）结构集成电路器件。
它的特点是以电荷作为信号，其图像传感的过程即电荷的产生、存储、转移和检测的过程。CCD光电图像传感器自1970年问世以来，由于其独特的性能而发展迅速，广泛应用于自动控制和自动测量，尤其适用于图像识别技术。
构成CCD的基本单元是MOS结构。
栅极G施加正向偏压UG前，P型半导体的分布是均匀的（a图)。
加栅极电压UG， UG <Uth，空穴被排斥，产生耗尽区（b图）
UG继续增加，耗尽区进一步延伸。
当UG > Uth时，半导体与绝缘体界面上的电势如此之高，以致于将半导体内部少数载流子吸引到表面，形成薄层的反型层。
当栅极电压由零突然变到高于阈值电压，轻掺杂半导体中少数载流子很少，不能立即形成反向层，此时耗尽区将进一步延伸，栅极和衬底间的电压主要降落在耗尽区上。
当耗尽层获得一些少数载流子，则耗尽层将收缩,氧化层电压增加，而耗尽层电压降低,从而储存电荷。
由于电子在那里势能较低, 形成了电子的势阱, 成为蓄积电荷的场所。
CCD的最基本结构是一系列彼此非常靠近的MOS电容器, 这些电容器用同一半导体衬底制成, 衬底上面履盖一层氧化层, 并在其上制作许多金属电极, 各电极按三相（也有二相和四相）配线方式连接.
以P衬底半导体材料为例，当光信号照射到CCD硅片表面时，在加有电压的栅极附近的半导体体内产生电子-空穴对，其多数载流子（空穴）被排斥进入衬底，而少数载流子（电子）则被收集在势阱中，形成信号电荷存储起来。存储电荷的多少正比于照射的光强。
CCD的信号是电荷, 那么信号电荷是怎样产生的呢？
CCD的信号电荷产生有两种方式: 光信号注入和电信号注入。 CCD用作固态图像传感器时, 接收的是光信号, 即光信号注入法。当光信号照射到CCD硅片表面时, 在栅极附近的半导体体内产生电子-空穴对, 其多数载流子（空穴）被排斥进入衬底, 而少数载流子（电子）则被收集在势阱中, 形成信号电荷, 并存储起来。存储电荷的多少正比于照射的光强。
所谓电信号注入， 就是CCD通过输入结构对信号电压或电流进行采样, 将信号电压或电流转换为信号电荷。
为了将CCD中的信号电荷变换为电流或电压输出，以检测信号电荷的大小。CCD要有一个输出结构。电荷输出结构有多种形式，如电流输出结构、浮置扩散输出结构、浮置栅输出结构等。
通过上述的CCD工作原理可看出, CCD器件具有存储、 转移电荷和逐一读出信号电荷的功能。因此CCD器件是固体自扫描半导体摄像器件, 有效地应用于图像传感器。
２． CCD的应用（CCD固态图像传感器）
电荷耦合器件用于固态图像传感器中, 作为摄像或像敏的器件。
CCD固态图像传感器由感光部分和移位寄存器组成。 感光部分是指在同一半导体衬底上布设的若干光敏单元组成的阵列元件, 光敏单元简称“像素”。 固态图像传感器利用光敏单元的光电转换功能将投射到光敏单元上的光学图像转换成电信号“图像”, 即将光强的空间分布转换为与光强成比例的、大小不等的电荷包空间分布, 然后利用移位寄存器的移位功能将电信号“图像”转送, 经输出放大器输出。
根据光敏元件排列形式的不同, 可分为线型和面型两种。
（1） 线型CCD图像传感器线型CCD图像传感器结构如图8 - 21 所示。光敏元件作为光敏像素位于传感器中央, 两侧设置CCD移位寄存器, 在它们之间设有转移控制栅。
在每一个光敏元件上都有一个梳状公共电极, 在光积分周期里, 光敏电极电压为高电平,光电荷与光照强度和光积分时间成正比, 光电荷存储于光敏像敏单元的势阱中。 当转移脉冲到来时, 光敏单元按其所处位置的奇偶性, 分别把信号电荷向两侧移位寄存器转送。同时, 在CCD移位寄存器上加上时钟脉冲, 将信号电荷从CCD中转移, 由输出端一行行地输出。 线型CCD图像传感器可以直接接收一维光信息, 不能直接将二维图像转变为视频信号输出, 为了得到整个二维图像的视频信号, 就必须用扫描的方法来实现。
线型CCD图像传感器主要用于测试、 传真和光学文字识别技术等方面。
（2） 面型CCD图像传感器按一定的方式将一维线型光敏单元及移位寄存器排列成二维阵列, 即可以构成面型CCD图像传感器。 面型CCD图像传感器有三种基本类型: 线转移、帧转移和隔列转移。 线转移面型CCD的结构图。
它由行扫描发生器、 感光区和输出寄存器组成。行扫描发生器将光敏元件内的信息转移到水平（行）方向上, 驱动脉冲将信号电荷一位位地按箭头方向转移, 并移入输出寄存器, 输出寄存器亦在驱动脉冲的作用下使信号电荷经输出端输出。这种转移方式具有有效光敏面积大、转移速度快、 转移效率高等特点, 但电路比较复杂, 易引起图像模糊。
图8 - 22（b）为帧转移面型CCD的结构图。 它由光敏区（感光区）、 存储区和水平读出寄存器三部分构成。 图像成像到光敏区, 当光敏区的某一相电极（如P）加有适当的偏压时, 光生电荷将被收集到这些光敏单元的势阱里, 光学图像变成电荷包图像。 当光积分周期结束时,信号电荷迅速转移到存储区中, 经输出端输出一帧信息。当整帧视频信号自存储区移出后, 就开始下一帧信号的形成。这种面型CCD的特点是结构简单, 光敏单元密度高, 但增加了存储区。
图8 - 22（c）所示结构是用得最多的一种结构形式。
它将一列光敏单元与一列存储单元交替排列。在光积分期间, 光生电荷存储在感光区光敏单元的势阱里; 当光积分时间结束, 转移栅的电位由低变高, 电荷信号进入存储区。 随后, 在每个水平回扫周期内, 存储区中整个电荷图像一行一行地向上移到水平读出移位寄存器中, 然后移位到输出器件, 在输出端得到与光学图像对应的一行行视频信号。这种结构的感光单元面积减小, 图像清晰, 但单元设计复杂。面型CCD图像传感器主要用于摄像机及测试技术。
２． CCD图像传感器分类和应用
CCD图像传感器按光谱范围可分为可见光CCD、红外CCD、X光CCD和紫外CCD。可见光CCD又可分为黑白CCD、彩色CCD等。具体使用时应该按照需要选择合适光谱范围的CCD图像传感器。
（1）线阵CCD图像传感器
从结构上分，线阵CCD可分为双沟道传输与单沟道传输两种。
（2） 面阵CCD图像传感器
线阵CCD图像传感器可以直接接收一维光信息，但不能直接将二维图像转变为视频信号输出。而面阵CCD图像传感器可以直接将二维图像转变为视频信号输出。
例题1：一个21码到道的循环码盘，其最小分辨角度是多少？若最小分辨角度对应弧长是0.001mm，码盘直径是多少？
例题2 若某光栅的栅线密度为50线/mm，主光栅与指示光栅夹角为0.01rad，求： 1）其形成的莫尔条纹的间距？ 2）若采用4个光敏二极管接收莫尔条纹信号，光敏二极管响应时间10-6S，问此时允许最快运动速度？
习题
1、14道码盘的分辨率是多少？
2、某光栅的栅线密度为100线/mm，要使形成的莫尔条纹宽度10mm，求栅线夹角是多少？
3、什么是内光电效应，什么是外光电效应？
4、根据光电管的伏安特性曲线，叙述光电管工作原理。
5、光电编码器的工作原理。
6、什么事莫尔条纹？其性质？
7、CCD传感器的含义是什么？
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