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回顾：晶体管工艺中某中间流程
SiO2薄膜
室温下Si一旦暴露在空气中，就会在表面形成几个原子层厚的SiO2薄膜，厚度
约15~20Å，然后逐渐增长至40Å左右停止
SiO2能紧紧地依附在Si衬底表面上，具有良好的化学稳定性和电绝缘性。
SiO2薄膜相当致密，室温下能阻止更多的氧气或者水分子通过它继续对Si进行
氧化，并且对掺杂杂质具有掩蔽能力。
SiO2是集成电路工艺中采用最多的介质薄膜
SiO2结构
SiO2薄膜的物化性质
SiO2薄膜在集成电路中的功能
作为杂质扩散的掩膜
作为芯片的钝化和保护膜，提高半导体的稳定性和可靠性
作为集成电路的隔离介质和绝缘介质
作为元器件的组成部分
硅的热氧化工艺：定义
热氧化制备二氧化硅工艺就是在高温（900~1200℃）和氧化物质（氧气或水汽）
存在的条件下，在清洁的硅片表面上生长出所需厚度的二氧化硅。
（1）干氧氧化
（2）水汽氧化
（3）湿氧氧化
硅的热氧化工艺：干氧氧化
干氧氧化以干燥纯净的氧气作为氧化气氛。在高温下，当氧气与硅片接触时 氧分子与其表面的Si原子反应生成SiO2层，反应式为：
Si(s)+O2(g)→SiO2(s)
干氧氧化特点：氧化层致密，均匀性和重复性好，掩蔽能力强；表面是非极 性的硅氧烷结构，所以与光刻胶粘附良好，不易浮胶。但生长速度慢、易龟裂
而不适合于厚氧化层的生长。
硅的热氧化工艺：水汽氧化
水汽氧化以高纯度水蒸气或直接通入氢气与氧气为氧化气氛，在高温下，由 硅片表面的硅原子和水分子反应生成SiO2，反应式为：
Si(s)+2H2O(g)→SiO2(s)+2H2(g）
水汽氧化特点：氧化速度快，但氧化层质量较差，结构疏松，薄膜致密性差， 针孔密度大；氧化层表面是硅烷醇（Si-OH），易吸附水，表面与光刻胶粘附性差，光刻困难。涂光刻胶前需经过吹干O2或N2热处理，将Si-OH分解成Si-O烷结构，并排除水分。
硅的热氧化工艺：湿氧氧化
湿氧氧化是让氧气通入反应室之前先通过加热的高纯去离子水，使氧气中携 带一定量的水汽。所以湿氧氧化兼有干氧氧化和水汽氧化两种氧化作用氧化速 度和氧化层质量介于两者之间。
Si(s)+O2(g)→SiO2(s)
Si(s)+2H2O(g)→SiO2(s)+2H2(g）
在实际集成电路制造中，热氧化工艺多采用干、湿氧交替的方法进行。这种方
法是为了获得表面致密、针孔密度小、表面干燥、适合光刻的氧化膜，同时又 能提高氧化速度。
硅的热氧化工艺：干氧氧化与水汽氧化速度对比
硅的热氧化工艺：工艺流程
流程：洗片→升温→生长→取片
将准备氧化的硅片清洗干净，摆在石英舟上，放在炉口烘干
对高温氧化炉进行加热，温度一般控制在900~1200℃，具 体温度视具体工艺而定。
氧化炉恒温后，通入氧化用气体，约10min将空气排出，然后缓 慢地将装有硅片的石英舟推入恒温区，在生长气体氛围下热氧化。
热氧化完成后缓慢地将装有硅片的石英舟拖出，然后关气，停炉。
热氧化机理
在热氧化过程中，氧离子或水分子能够在已生长的SiO2中扩散进入SiO2/Si界面， 与Si原子反应生成新的SiO2网络结构，使SiO2膜不断增厚。氧化反应在SiO2/Si界面处进行，而不发生在SiO2层的外表层。
生长1μm厚的二氧化硅，约消耗0.44μm厚的硅。
硅的Deal-GroVe热氧化模型
Deal-GroVe模型将热氧化过程分为四个步骤：
（1）氧化剂输运
（2）固相扩散
3）化学反应
（4）反应的副产物离开界面
模型适用范围：
1）氧化温度在100~1300℃；
2）局部压强在0.1~25atm；
3）氧化层厚度为30~2000nm的水汽和干氧氧化。
热氧化速度
影响氧化速度的因素
氧化速度主要由氧化剂在二氧化硅层中扩散速度以及在SiO2/Si界面的化学反应速度决定，
而扩散速度或化学反应速度与温度、氧化剂分压、硅衬底晶向以及掺杂情况等因素有关。
影响氧化速度的因素：温度
氧化剂在二氧化硅中的扩散，以及在SiO2/Si界面的化学反应速度均是温度的函数。
温度越高，氧化速度越快。
影响氧化速度的因素：氧化剂分压
氧化剂分压越高，氧化速度越快
影响氧化速度的因素：硅衬底晶向
不同晶向的原子密度和氧化反应活化能不同，对化学反应速度常数由直接影响。
[111]晶向硅比[100]晶向的硅氧化速度更快。
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