【传感器技术】期末综合实验，单臂电桥，单臂、半桥、全桥比较，差动变压器（互感式）的性能，激励频率对差动螺管式传感器的影响，霍尔传感器的直流激励特性，光纤位移传感器静态实验

已知单臂、半桥和全桥电路的∑R分别为：ΔR/R、2ΔR/R、4ΔR/R。根据戴维南定理可以得出测试电桥的输出电压近似等于0.25·E·∑R，电桥灵敏度Ku=V/ΔR/R，于是对应单臂、半桥和全桥的电压灵敏度分别为1/4E、1/2E和E。由此可知，当E和电阻相对变化一定时，电桥及电压灵敏度与各桥臂阻值的大小无关。

三、需用器件与单元：

直流稳压电源、差动放大器、电桥、F/V表、测微头、双平行梁、应变片、主、副电源。

四、实验步骤：

1、按之前的方法将差动放大器调零。

2、将直流稳压电源打到±4V档，选择最大的差放增益（顺时针到底），将R3固定电阻换为与R4工作状态相反的另一应变片即取两片受力方向不同的应变片，形成半桥，调节测微头，使梁到水平位置（目测），调节电桥W1使F/V表显示为零。

3、旋转测微头，使梁向上或向下移动，每旋动测微头一周即∆X=0.5mm记一个数值填入下表：

位移（mm）（向下）	0	0.5	1	1.5	2	2.5	3	3.5
电压（mV）	14	30	46	61	78	95	95	113
位移（mm）（向下）	4	4.5	5
电压（mV）	128	146	164

4、保持差动放大器增益不变，将R1，R2两个固定电阻换成另两片受力应变片，组桥时只要掌握相对桥臂应变片的受力方向相同，相邻桥臂应变片的受力方向相反即可，否则相互抵消没有输出。接成一个直流全桥，调节测微头使梁到水平位置，调节电桥W1同样使F/V表显示零。重复（3）过程将读出数据填入下表：

位移（mm）（向下）	0	0.5	1	1.5	2	2.5	3	3.5
电压（mV）	0	-25	-57	-90	-120	-151	-183	-216
位移（mm）（向下）	4	4.5	5
电压（mV）	-251	-287	-323

5、在同一坐标纸上描出X-V曲线，比较三种接法的灵敏度。

单臂电桥灵敏度S=13.52mv/mm

半桥灵敏度S=33.36mv/mm

全桥灵敏度S=65.36mv/mm

结论：全桥灵敏度约为半桥的2倍，约为单臂的4倍。与电压和阻值无关。

X-V曲线

实验十五差动变压器（互感式）的性能

一、实验目的：

了解差动变压器原理及工作情况。

二、基本原理：

差动变压器由衔铁、初级线圈、次级线圈和线圈骨架等组成。初级线圈作为差动变压器激励用，相当于变压器的原边，次级线圈由两个结构尺寸和参数相同的线圈反相串接而成，相当于变压器的副边，差动变压器是开磁路，工作是建立在互感基础上的。其原理及输出特性见图11A。

三、需用器件与单元：

音频振荡器、测微头、示波器、主、副电源、差动变压器、振动平台。

四、实验步骤：

1、根据图11B接线，将差动变压器、音频振荡器（必须从LV输出）、双踪示波器连接起来，组成一个测量线路。开启主、副电源，将示波器探头分别接至差动变压器的输入和输出端，调节差动变压器原边线圈音频振荡器激励信号峰-峰值为2V。

2、用手提压变压器磁芯，观察示波器第二通道波形是否能过零翻转，如不能则改变两个次级线圈的串接端。

3、转动测微头使测微头与振动平台吸合，再向上转动测微头，使振动平台往上移5mm。

4、向下旋转测微头，使振动平台产生位移。每位移0.5mm，用示波器读出差动变压器输出端峰-峰值填入下表，根据所得的数据计算灵敏度S=V/X，作出V-X关系曲线。读数过程中应注意初、次级波形的相应关系。

ΔX（mm）	5	4.5	4	3.5	3	2.5	2	1.5	1	0.5
Vop-p（mv）	664	584	530	472	404	350	284	224	160	100
ΔX（mm）	0	-0.5	-1	-1.5	-2	-2.5	-3	-3.5	-4
Vo（p-p）（mv）	50	104	160	224	280	336	384	432

灵敏度S=122.88mv/mm

V-X增益曲线

实验二十二激励频率对差动螺管式传感器的影响

一、实验目的：

说明在不同的激励频率影响下差动螺管式电感传感器的不同特性。

二、需用器件与单元：

差动变压器、电桥、音频振荡器、差动放大器、双踪示波器、测微头。

三、实验步骤：

1.按图18接线，音频振荡器幅值Vp-p=1V，差动放大器增益最大（增益旋钮顺时针到底）。

2、装上测微头，调整衔铁处于线圈中间位置，调节电桥W1W2使系统输出为最小。

3、旋转测微头，调整衔铁，使得衔铁远离中间位置。

4、改变音频振荡器频率（用V/f表或示波器显示频率），每隔0.5kHz从示波器读出Vp-p值，填入下表。

f(kHz)	0.5	1	1.5	2	2.5	3	3.5	4	4.5
Vp-p(V)	6.6	5.4	4.8	5	16.2	10.2	7.4	5.4	4.8
f(kHz)	5	5.5	6	6.5	7	7.5	8	8.5	9
Vp-p(V)	4	3.6	3.4	3	2.6	2.6	2.4	2.2	1.8

5、根据所测数据做出V-f关系曲线。

由此可以看出，差动螺管式电感传感器的灵敏度与频率特性密切相关，在某一个特定频率时，传感器最为灵敏，在其两边，灵敏度都有所下降，故测试系统中应选用这个激励频率。

实验二十七霍尔传感器的直流激励特性

一、实验目的：

了解霍尔式传感器的原理与特性。

二、基本原理：

霍尔式传感器是由两个环形磁钢组成梯度磁场和位于梯度磁场中的霍尔元件组成。当霍尔元件通过恒定电流时，霍尔元件在梯度磁场中上、下移动，输出的霍尔电势V取决于其在磁场中的位移量X，所以测得霍尔电势的大小便可获知霍尔元件的静位移。

三、实验步骤：

1、了解霍尔式传感器的结构及实验仪上的安装位置，熟悉实验面板上霍尔片的符号。霍尔片安装在实验仪的振动圆盘上，两个半圆永久磁钢固定在实验仪的顶板上，二者组合成霍尔传感器。

2、直流稳压电源置±2V档，开启主、副电源将差动放大器调零后，增益适度，关闭主电源，根据图23接线，

W1、r为电桥单元的直流电桥平衡网络。

3、装好测微头，调节测微头与振动台吸合并使霍尔片置于半圆磁钢上下正中位置（目测）。调整W1使电压表指示为零。

4、向上或向下旋动测微头，每旋动测微头一周即∆X=0.5mm记一个数值填入下表：

X(mm)

（向上）

0.5

1.5

2.5

3.5

V(V)

0.11

3.69

7.40

11.36

13.61

13.60

作出V-X曲线，指出线性范围，求出灵敏度，关闭主、副电源。

可见，本实验测出的实际上是磁场情况，磁场分布为梯度磁场，位移测量的线性度，灵敏度与磁场分布有很大关系。

线性范围：0-2mm

灵敏度：S=7.345v/mm

实验三十四差动面积式电容传感器的静态及动态特性

一、实验目的：

了解差动变面积式电容传感器的原理及特性。

二、基本原理：

电容式传感器有多种形式，本仪器中为差动变面积式。传感器由两组定片和一组动片组成。当安装于振动台上的动片上、下改变位置，与两组静片之间的重叠面积发生变化，极间电容也发生相应的变化，成为差动电容。如将上层定片与动片形成的电容定为Cx1，下层定片与动片形成的电容定为Cx2，当将Cx1和Cx2接入桥路作为相邻两臂时，桥路的输出电压与电容量的变化有关，即与振动台的位移有关。

三、需用器件与单元：

电容传感器、电压放大器、F/V表。

四、实验步骤：

1、按图接线。

2、转动测微头，使电容动片与上面一组静片覆盖面积最大，顺时针向下旋转测微头，每次0.5mm，记下此时测微头的读数及电压表的读数，直至电容动片与下面一组静片覆盖面积最大为止。

X(mm)	0	0.5	1	1.5	2	2.5	3	3.5	4
V(mV)	-10.62	-10.23	-9.31	-8.31	-7.58	-7.31	-7.21	-4.65	-6.84
X(mm)	4.5	5	5.5	6	6.5	7	7.5	8	8.5
V(mV)	-6.55	-5.54	-4.66	-3.71	-2.47	-1.13	-0.29	-0.66	2.16
X(mm)	9	9.5	10	10.5	11	11.5	12
V(mV)	3.84	5.62	7.33	9.97	12.48	13.6	13.6

计算系统灵敏度S=V/X，并作出V-X关系曲线。

系统灵敏度：S=2.733v/mm

V-X关系曲线

实验四十光纤位移传感器静态实验

一、实验目的：

了解光纤位移传感器的原理结构、性能。

二、基本原理：

反射式光纤位移传感器的工作原理如图36A所示，光纤采用Y型结构，两束多模光纤一端合并组成光纤探头，另一端分为两束，分别作为光源光纤和接收光纤，光纤只起传输信号的作用，当光发射器发出的红外光，经光源光纤照射至反射面，被反射的光经接收光纤至光电转换器将接收到的光转换为电信号。其输出的光强决定于反射体距光纤探头的距离，通过对光强的检测而得到的位移量如图36A所示。