传感器与测试技术---实验一-电阻应变传感器实验

一、应变片单臂电桥性能实验

实验1-1  应变片单臂电桥性能实验

(一)实验目的:了解电阻应变片的工作原理与应用并掌握应变片测量电路。
(二)基本原理:电阻应变式传感器是在弹性元件上通过特定工艺粘贴电阻应变片来组成。一种利用电阻材料的应变效应将工程结构件的内部变形转换为电阻变化的传感器。此类传感器主要是通过一定的机械装置将被测量转化成弹性元件的变形,然后由电阻应变片将弹性元件的变形转换成电阻的变化,再通过测量电路将电阻的变化转换成电压或电流变化信号输出。它可用于能转化成变形的各种非电物理量的检测,如力、压力、加速度、力矩、重量等,在机械加工、计量、建筑测量等行业应用十分广泛。

1、应变片的电阻应变效应
  所谓电阻应变效应是指具有规则外形的金属导体或半导体材料在外力作用下产生应变而其电阻值也会产生相应地改变,这一物理现象称为“电阻应变效应”。以圆柱形导体为例:设其长为:L、半径为r、材料的电阻率为ρ时,根据电阻的定义式得

当导体因某种原因产生应变时,其长度L、截面积A和电阻率ρ的变化为dL、dA、dρ相应的电阻变化为dR。对式(1—1)全微分得电阻变化率 dR/R为:

(1—2)式中:dL/L为导体的轴向应变量εL;dr/r为导体的横向应变量εr 。

                                                       εL= - μεr                                                (1—3)
式中:μ为材料的泊松比,大多数金属材料的泊松比为0.3~0.5左右;负号表示两者的变化方向相反。将式(1—3)代入式(1—2)得:

式(1—4)说明电阻应变效应主要取决于它的几何应变(几何效应)和本身特有的导电性能(压阻效应)。
2、应变灵敏度
它是指电阻应变片在单位应变作用下所产生的电阻的相对变化量。
(1)、金属导体的应变灵敏度K:主要取决于其几何效应;可取

金属导体在受到应变作用时将产生电阻的变化,拉伸时电阻增大,压缩时电阻减小,且与其轴向应变成正比。金属导体的电阻应变灵敏度一般在2左右。
(2)、半导体的应变灵敏度:主要取决于其压阻效应;dR/R<≈dρ⁄ρ。半导体材料之所以具有较大的电阻变化率,是因为它有远比金属导体显著得多的压阻效应。在半导体受力变形时会暂时改变晶体结构的对称性,因而改变了半导体的导电机理,使得它的电阻率发生变化,这种物理现象称之为半导体的压阻效应 。同样是拉伸变形,不同材质的半导体将得到完全相反的电阻变化效果。

3、贴片式应变片应用

在贴片式工艺的传感器上普遍应用金属箔式应变片,贴片式半导体应变片(温漂、稳定性、线性度不好而且易损坏)很少应用。一般半导体应变采用N型单晶硅为传感器的弹性元件,在它上面直接蒸镀扩散出半导体电阻应变薄膜(扩散出敏感栅),制成扩散型压阻式(压阻效应)传感器。
4、箔式应变片的基本结构

金属箔式应变片是在用苯酚、环氧树脂等绝缘材料的基板上,粘贴直径为0.025mm左右的金属丝或金属箔制成

图1—1应变片结构图

5、测量电路
(a)单臂                                                     (b)半桥                                      (c)全桥

图1—2   应变片测量电路

a)、单臂

Uo=U①-U③

=〔(R1+△R1)/(R1+△R1+R5)-R7/(R7+R6)〕E

={〔(R7+R6)(R1+△R1)-R7(R5+R1+△R1)〕/〔(R5+R1+△R1)(R7+R6)〕}E

设R1=R5=R6=R7,且△R1/R1=ΔR/R<<1,ΔR/R=Kε,K为灵敏度系数。

则Uo≈(1/4)(△R1/R1)E=(1/4)(△R/R)E=(1/4)KεE

(b)、双臂(半桥)

同理:Uo≈(1/2)(△R/R)E=(1/2)KεE

(C)、全桥

同理:Uo≈(△R/R)E=KεE

(三)需用器件与单元:主机箱中的±2V~±10V(步进可调)直流稳压电源、±15V直流稳压电源、电压表;应变式传感器实验模板、托盘、砝码; 4

位数显万用表(自备)。

(四)实验步骤:

1、将托盘安装到传感器上,如图1—3所示

图1—3   传感器托盘安装示意图

2、测量应变片的阻值:当传感器的托盘上无重物时,分别测量应变片R1、R2、R3、R4

的阻值。在传感器的托盘上放置10只砝码后再分别测量R1、R2、R3、R4的阻值变化,分析应变片的受力情况(受拉的应变片:阻值变大,受压的应变片:阻值变小。)。

图1—4测量应变片的阻值示意图

3、实验模板中的差动放大器调零:按图1—5示意接线,将主机箱上的电压表量程切换

开关切换到2V档,检查接线无误后合上主机箱电源开关;调节放大器的增益电位器RW3合适位置(先顺时针轻轻转到底,再逆时针回转1圈)后,再调节实验模板放大器的调零电位器RW4,使电压表显示为零。

图1—5差动放在器调零接线示意图

4、应变片单臂电桥实验:关闭主机箱电源,按图1—7示意图接线,将±2V~±10V可调电源调节到±4V档。检查接线无误后合上主机箱电源开关,调节实验模板上的桥路平衡电位器RW1,使主机箱电压表显示为零;在传感器的托盘上依次增加放置一只20g砝码(尽量靠近托盘的中心点放置),读取相应的数显表电压值,记下实验数据填入表1。

图1—6应变片单臂电桥实验接线示意图

二、应变片半桥性能实验

实验1-2  应变片半桥性能实验

(一)实验目的:了解应变片半桥(双臂)工作特点及性能。
(二)基本原理:应变片基本原理参阅实验一。应变片半桥特性实验原理如图2—1所示。不同应力方向的两片应变片接入电桥作为邻边,输出灵敏度提高,非线性得到改善。其桥路输出电压Uo≈(1/2)(△R/R)E=(1/2)KεE 。

三、应变片全桥性能实验

实验1-3  应变片全桥性能实验

(一)实验目的:了解应变片全桥工作特点及性能。
(二)基本原理:应变片基本原理参阅实验一。应变片全桥特性实验原理如图3—1所示。应变片全桥测量电路中,将应力方向相同的两应变片接入电桥对边,相反的应变片接入电桥邻边。当应变片初始阻值:R1=R2=R3=R4,其变化值ΔR1=ΔR2=ΔR3=ΔR4时,其桥路输出电压Uo≈(△R/R)E=KεE。其输出灵敏度比半桥又提高了一倍,非线性得到改善。

四、实验数据记录:

表1  应变片电桥性能实验数据

重量(g)

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

单臂电桥电压(mV)

0

7

14

20

27

33

39

46

52

58

64

半桥电路电压(mV)

0

13

26

38

51

63

76

88

101

113

126

全桥电路电压(mV)

0

24

48

72

96

121

145

170

194

219

247

根据数据作出曲线并计算系统灵敏度S=ΔV/ΔW(ΔV输出电压变化量,ΔW重量变化量)和非线性误差δ,δ=Δm/yFS ×100%式中Δm为输出值(多次测量时为平均值)与拟合直线的最大偏差:yFS满量程输出平均值,此处为200g。

(一)单臂电桥:

非线性误差δδ=Δm/yFS ×100%=0.6545/200=0.32725%

灵敏度SS=ΔV/ΔW=0.3191

拟合曲线方程:y=0.3191x+0.8182

图1-8  应变片单臂电桥曲线及拟合直线

(二)半桥:

非线性误差δδ=Δm/yFS ×100%=0.4545/200=0.2273%

灵敏度SS=ΔV/ΔW=0.6273

拟合曲线方程:y=0.6273x+0.4545

图1-9  应变片半桥曲线及拟合直线

(三)全桥:

非线性误差δδ=Δm/yFS ×100%=0.6545/200=0.32725%

灵敏度SS=ΔV/ΔW=1.2264

拟合曲线方程:y=1.2264x-1.1818

图1-10  应变片全桥曲线及拟合直线

五、思考题:

测量中,当两组对边(R1、R3为对边)电阻值R相同时,即R1=R3,R2=R4,而R1≠R2时,是否可以组成全桥:(1)可以(2)不可以。

答:可以!全桥测量和半桥测量对各个电阻值没有严格的要求,把电阻值设为等值,只是为了测量方便,运算处理简单而已。

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