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常压化学气相沉积（APCVD)最早的CVD工艺，常用沉积较厚的介质薄膜（如SiO2)
回顾：气相外延（VPE)
化学气相沉积：定义
化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）
将气态源材料通入反应器中，通过化学反应进行薄膜沉积的一种集成电路制造单项工艺。
化学气相沉积;特点
沉积薄膜得到的是非晶态或多晶态的薄膜，衬底不要求是单晶材料，只要具有一定的平整度，能够经受沉积温度即可。（沉积温度通常远小于外延温度）
化学气相沉积：分类
按工艺特点分类：
常压化学气相沉积
低压化学气相沉积
等离子增强化学气相沉积
金属有机物化学气相沉积
微波化学气相沉积
按温度特点分类：
低温CVD；
中温CVD；
高温CVD
CVD工艺原理
以多晶硅薄膜为例
5个基本步骤
1. 通入气体
2. SiH4气体以扩散方式穿过边界层到达衬底表面
3. SiH4与分解的Si吸附在表面
4. 化学反应
5.副产物解吸，扩散，并排出
思考：经过CVD后为什么形成的是多晶硅
1. 衬底温度低，迁移速率小，导致硅原子未能全部迁移到节点位置
2. 沉积速度快
3. 衬底不是单晶
（此三点也显示了CVD与气相外延的不同）
沉积速度与影响因素
薄膜质量控制
1. 台阶覆盖特性
2. 薄膜中的应力
本征应力：薄膜中原子或分子排布混乱引起。可由退火方法释放。
非本征应力：薄膜之外的因素引起，入薄膜与衬底的热膨胀系数不同。
3. 薄膜的致密性
主要受衬底温度以及沉积速度影响。温度越高，扩散越快，越致密；沉积速度越慢，越致密。
4. 薄膜厚度均匀性
主要由沉积速度影响。沉积速度越慢，越均匀
5. 薄膜的附着性
主要由衬底温度影响。温度越高，薄膜与衬底形成的化学键越多，附着性越强
CVD工艺方法
常压化学气相沉积（APCVD)
最早的CVD工艺，常用沉积较厚的介质薄膜（如SiO2)
优点：
• 在大气压下进行，气体分子密度较高，化学反应速率快，因此沉积速率较高
• 不需要复杂的真空系统，设备结构相对简单
缺点：
• 气体分子碰撞频繁，台阶覆盖性和均匀性较差
• 气体分子在喷头处相遇发生反应，形成的颗粒物会污染衬底
低压化学气相沉积（LPCVD)
气压在1~100Pa，主要用于沉积介质薄膜
由于有真空系统，导致扩散速度提高，因而适合大批量生产，基本取代了APCVD
优点：
• 在装载量大大增加，可大批量生产
• 气体利用率提高，节省原料
• 在低压环境下进行沉积，减少了反应副产品的产生，提高了成膜质量
缺点：
• 通常需要在较高温度下进行，能耗较高
• 需要真空系统来维持低压环境，增加了设备复杂性和成本
等离子体增强化学气相沉积（PECVD)
利用等离子体技术把电能耦合到气体中，激活并维持化学反应进行薄膜沉积的一种工艺方法。
特点：能够增强较低温度下的化学反应速率
等离子体是什么？
等离子体是由阳离子、中性粒子、自由电子等多种不同性质的粒子所组成的电中性物质，其
中阴离子（自由电子）和阳离子分别的电荷量相等，这就是物理学上所谓“等离子”
生活中你看到过哪些等离子体？
等离子体增强化学气相沉积（PECVD)
优点：
• 利用等离子体增强反应，降低了沉积温度，并在低温下提高了沉积速率
• 薄膜应力小，保形性好，更均匀
缺点：
• 增加了等离子体产生设备，成本增加
• 低温产生的副产物不能完全排除，一般含有高浓度的H
常见薄膜的沉积：SiO2薄膜沉积
用途：
• 金属沉积前的介电质层
• 多层布线中多晶硅与金属层之间
• 金属层间介电层
• 扩散和离子注入中的掩膜
• 防止杂质外扩的覆盖层
• 钝化层
• 前沟槽绝缘
• 侧壁间绝缘层
APCVD-SiO2
SiH4/N2O的混合气体能生成均匀的薄膜。
H能够以Si-H、Si-O-H、H-O-H的形式存在于薄膜中，因此以SiH4/N2O制备的PECVD-SiO2薄
膜一般很少在MOS晶体管和电路中使用，因为O-H基团对MOS结构电学特性有不良影响。
常见薄膜的沉积：氮化硅薄膜沉积
特点与用途：
• 薄膜抗钠、耐水汽能力强，薄膜硬度大，致密性好，可用于钝化膜和保护膜
• 化学稳定性好，可作为浅沟隔离工艺技术的CMP停止层
• 掩蔽能力强，可作为多种杂质的掩膜
• 介电系数高，可作为绝缘材料
• 热氧化的掩膜
常见薄膜的沉积：多晶硅薄膜沉积
多晶硅（Poly-Si）
质：
• 晶粒尺寸~100nm，晶界宽度~0.5~1 nm
• 本征多晶硅电阻率很高，通常称为半绝缘多晶硅
• 同等掺杂情况下，导电能力比单晶硅更低
• 耐高温
• 与热生长氧化层接触性能良好
• 与硅衬底兼容性好，保形覆盖性好，薄膜应力较小
用途：
• 高掺杂的多晶硅薄膜在MOS集成电路中被普遍用于栅极
和互连引线
• 多层互连工艺中，使用多层多晶硅技术
• 利用多晶硅耐高温特点，可作为扩散掩膜
• 低掺杂的多晶硅薄膜可用于制作高值负载电阻
• 作为沟槽隔离中的填充物
• 作为半绝缘薄膜
见薄膜的沉积：金属与金属化合物薄膜
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