nand flash 的初始化和复位操作

1、nand flash的初始化操作

（1.1）nand flash的初始化操作流程

（1.1.1）设初始化 置管脚

（1.1.2）初始化NFCONF寄存器

（1.1.3）初始化NFCONT寄存器

（1.2）初始化NFCONF寄存器分析

（1.2.1）在2440手册中，分析nand flash 控制器的命令/地址时序图，里面只涉及三个参数TACLS，TWRPH0，TWRPH1

/* HCLK=100MHz，也就是10ns
* TACLS:  发出CLE/ALE之后多长时间才发出nWE信号, 从NAND手册可知CLE/ALE与nWE可以同时发出,所以TACLS=0
* TWRPH0: nWE的脉冲宽度, HCLK x ( TWRPH0 + 1 ), 从NAND手册可知它要>=12ns, 所以TWRPH0>=1
* TWRPH1: nWE变为高电平后多长时间CLE/ALE才能变为低电平, 从NAND手册可知它要>=5ns, 所以TWRPH1>=0
*/

（1.2.2）nand flash 手册相应类似的时序图如下

TACLS，TWRPH0，TWRPH1对应的是tCLS-twp,twp,tCLH.这里tCLS和twp的最小值都为12ns（3.3V下），twp大于等于12ns，tCLH大于5ns

(1.2.3)参数对应的取值的表格

（1.3）初始化函数

/* 初始化NAND Flash */
void nand_init(void)
{
S3C2440_NAND * s3c2440nand = (S3C2440_NAND *)0x4e000000;


#define TACLS   0
#define TWRPH0  3
#define TWRPH1  0

//初始化NFCONF寄存器(nand flash配置寄存器)
/* 设置时序 */
        s3c2440nand->NFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4);

//初始化NFCONT寄存器（nand flash控制寄存器）
        /* 使能NAND Flash控制器, 初始化ECC, 禁止片选 */
        s3c2440nand->NFCONT = (1<<4)|(1<<1)|(1<<0);


/* 复位NAND Flash */
s3c2440_nand_reset();
    }

2、nand flash 的复位操作

（2.1）nand flash的时序图

其中tRST在nand flash手册的定义为在复位命令FFH被写入nand flash 的命令寄存器后状态引脚RnB变为高电平的时间（也就是nand flash状态变为空闲的时间）

（2.2）归纳步骤如下

选中nand flash芯片

发出FFH命令

等待nand flash变为空闲状态

取消片选

（2.3）函数编写

 void s3c2440_nand_reset(void)
{
    s3c2440_nand_select_chip();
    s3c2440_write_cmd(0xff);  // 复位命令
    s3c2440_wait_idle();
    s3c2440_nand_deselect_chip();
}