晶振匹配电容的选择

无源晶振有一个参数叫做负载电容（Load capacitance），负载电容是指在电路中跨接晶振两端的总的外界有效电容。负载电容是工作条件，即电路设计时要满足负载电容等于或接近晶振数据

负载电容计算公式

CL=[Cd*Cg/(Cd+Cg)]+Cic+△C

   

：LOAD CAPACITANCE 负载电容（Datasheet）

：输出管脚到地的总电容

：输入管脚到地的总电容

：芯片管脚寄生电容（3pF~5pF 4pF）

：PCB走线电容（0.2pF~5pF 0.5pF）

    Cd，Cg：分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般情况下 Cd == Cg，但 Cd ！= Cg 也是可以的，Cd、Cg称作匹配电容或外接电容，其作用就是调节负载电容使其与晶振的要求相一致，需要注意的是Cd、Cg串联后的总电容值（Cd*Cg/(Cd+Cg)）才是有效的负载电容部分，假设Cd==Cg==30pF，那么Cd、Cg对负载电容的贡献是15pF。
    Cic：芯片引脚分布电容以及芯片内部电容（部分芯片为了在PCB上省掉Cd、Cg，会在芯片内部集成电容）。
    △C：PCB走线分布电容，经验值为3至5pf。

一般：

另如：

CL = C1*C2 / (C1+C2) + CS

CS为电路板的寄生电容，一般取 3~5pF，取C1 = C2，那么公式可以简化成如下：

CL = C1 / 2 + CS

C1=C2 = CL*2-CS

Cmin= (CL*2)-  3  

Cmax=(CL*2）-5