晶振匹配电容的选择

无源晶振有一个参数叫做负载电容(Load capacitance),负载电容是指在电路中跨接晶振两端的总的外界有效电容。负载电容是工作条件,即电路设计时要满足负载电容等于或接近晶振数据

负载电容计算公式

CL=[Cd*Cg/(Cd+Cg)]+Cic+△C

   

C_{L}:LOAD CAPACITANCE 负载电容(Datasheet)

C_{D}:输出管脚到地的总电容

C_{G}:输入管脚到地的总电容

C_{IC}:芯片管脚寄生电容(3pF~5pF 4pF)

\Delta C:PCB走线电容(0.2pF~5pF 0.5pF)

    Cd,Cg:分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,一般情况下 Cd == Cg,但 Cd != Cg 也是可以的,Cd、Cg称作匹配电容或外接电容,其作用就是调节负载电容使其与晶振的要求相一致,需要注意的是Cd、Cg串联后的总电容值(Cd*Cg/(Cd+Cg))才是有效的负载电容部分,假设Cd==Cg==30pF,那么Cd、Cg对负载电容的贡献是15pF。
    Cic:芯片引脚分布电容以及芯片内部电容(部分芯片为了在PCB上省掉Cd、Cg,会在芯片内部集成电容)。
    △C:PCB走线分布电容,经验值为3至5pf。

一般:

C_{G}=C_{D}=2\ast C_{L}-9pF

另如:

CL = C1*C2 / (C1+C2) + CS

CS为电路板的寄生电容,一般取 3~5pF,取C1 = C2,那么公式可以简化成如下:

CL = C1 / 2 + CS

C1=C2 = CL*2-CS

Cmin= (CL*2)-  3  

Cmax=(CL*2)-5

 

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