电子技术期末复习

最新推荐文章于 2023-12-10 18:12:33 发布

蚩尤煜

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分类专栏：杂乱文章标签：模拟

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模电复习

基本概念

常见的半导体材料硅(Si)和锗(Ge)均为四价元素
通过人为地掺入特定的杂质元素使半导体的导电性具有可控性；并且在光照和热辐射的条件下，其导电性还有明显的变化。
本征半导体：将纯净的半导体经过一定的工艺过程制成的单晶体
本征半导体中有两种载流子：空穴、自由电子，均参与导电
本征半导体中，自由电子与空穴是成对出现的，数目相等
本征半导体中的电流是两个电流（电子电流、空穴电流）之和
本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象
复合：自由电子在运动的过程中与空穴相遇并填补空穴，使两者同时消失
杂质半导体：在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，便可得到杂质半导体。按掺入的杂质元素不同，可分为N型半导体和P型半导体
N型半导体：在纯净的半导体中掺入五价元素（如磷）。多子（多数载流子）为自由电子，少子（少数载流子）为空穴，杂质原子提供电子，称之为施主原子。
P型半导体：在纯净的半导体中掺入三价元素（如硼）。多子为空穴，少子为自由电子，杂质原子中的空位吸收电子，称之为受主原子。
杂质半导体中，多子的浓度等于所掺入杂质原子的浓度，受温度影响小；少子是本征激发形成的，浓度很低，但对温度非常敏感
PN结具有单向导电性。

由于浓度差而产生的运动称为扩散运动
电场力作用下，载流子的运动称为漂移运动

PN结外加正向电压时处于导通状态
PN结外加反向电压时处于截止状态

相比锗材料，硅材料的单向导电性更好
硅材料二极管的导通电压为0.6-0.8V，锗材料的为0.1-0.3V
稳压二极管

稳压二极管的主要参数有：稳定电压、稳定电流、额定功耗、动态电阻、温度系数、反向漏电流

工作在反向击穿状态（齐纳击穿状态）——此状态电流会在大范围变化，但电压会稳定在一个值
晶体三极管

作用：通过小电流Ib控制大电流Ie

内部特征：位于中间的P区称为基区，它很薄且杂质浓度很低；位于上层的N区是发射区，掺杂浓度很高；位于下层的N区是集电区，面积很大

放大状态的外部条件：发射结正偏且集电结反偏

电流分配关系：

特征曲线有三个区：截止区、放大区和饱和区

由电压判断极：
NPN型放大时： $\large U_C>U_B>U_E$ ， $\large U_B-U_E=0.7V$ 时，材料为硅； $\large U_B-U_E=0.3V$ 时，材料为锗
PNP型放大时： $\large U_E>U_B>U_C$ ， $\large U_B-U_C=0.7V$ 时，材料为硅； $\large U_B-U_C=0.3V$ 时，材料为锗
结型场效应管

作用：通过改变电压Ugs控制漏极电流Id

漏极特性：可变电阻区、恒流区、击穿区

直流参数：夹断电压、漏极饱和电流、直流输入电阻
极限参数：漏源击穿电压
MOS管

增强型

Id电流是被放大的，研究时关注Id
工作在恒流区时： $\large I_d=g_m \cdot V_{GS}$

Id受两个电压Ugs和Uds的影响

输出特性：

三个区：可变电阻区、恒流区、夹断区

耗尽型

N沟道型：在制造MOS管时，在二氧化硅绝缘层中掺入大量正离子，即使在Ugs=0时也存在反型层

直流参数：开启电压、饱和漏极电流、直流输入电阻
N沟道型的场效应管的输出特性曲线都在第一象限
场效应管与晶体管比较：

一、场效应管用栅–源电压Ucs控制漏极电流ip，栅极基本不取电流。而晶体管工作时基极总要索取一定的电流。因此，要求输人电阻高的电路应选用场效应管；而若信号源可以提供一定的电流，则可选用晶体管。
二、场效应管只有多子参与导电。晶体管内既有多子又有少子参与导电，而少子数目受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。所以在环境条件变化很大的情况下应选用场效应管。
三、场效应管的噪声系数很小，所以低噪声放大器的输入级及要求信噪比较高的电路应选用场效应管。当然也可选用特制的低噪声晶体管。
四、场效应管的漏极与源极可以互换使用，互换后特性变化不大。而晶体管的发射极与集电极互换后特性差异很大，因此只在特殊需要时才互换。
五、场效应管比晶体管的种类多，特别是耗尽型MOS管，栅–源电压ucs可正、可负、可零，均能控制漏极电流。因而在组成电路时场效应管比晶体管更灵活。
六、场效应管集成工艺更简单，且具有耗电省、工作电源电压范围宽等优点，因此场效应管越来越多地应用于大规模和超大规模集成电路中。

放大电路的基本原理

放大的基本要求：不失真
放大倍数：输出量与输入量之比
$\large A_{uu}=\frac{U_o}{U_i}$
等效电路法只能分析直流的电路，图解法则交、直流可以分析
失真分析：
三种组态的区别：

数电复习

以高、低电平表示两种不同的逻辑状态1、0
三态电路可提供三种不同的输出值：逻辑“0”，逻辑“1”和高阻态。高阻态主要用来将逻辑门同系统的其他部分加以隔离。
高阻态指的是电路的一种输出状态，既不是高电平也不是低电平，如果高阻态再输入下一级电路的话，对下级电路无任何影响，和没接一样，如果用万用表测的话有可能是高电平也有可能是低电平，随它后面接的东西定。
格雷码是无权码
当S' = 0时，编码器处于工作状态
3-8译码器又称为最小项译码器
当 $\large \\S_1=1\\ S_2'+S_3'=0$ 时，译码器处于工作状态
七段显示译码器：
LT' —— 灯测试输入；为0时，七段同时亮起，可以检查该数码管各段能否正常发光
RBI' —— 灭零输入；为0时能把不希望显示的零（即前导零和小数点后多余的零）熄灭
BI'/RBO' —— 灭灯输入/灭灯输出；这是一个双功能的输出/输入端，BI' = 0时，数码管各段同时熄灭，BRO' = 0时表示译码器已经将本来应该显示的零熄灭了（有输入、LT'=0，RBI'=0)
数据选择器：
输出为： $\large Y=\sum_{i=0}^{n}(m_i)D_i$ （n = “几选1”的几）
竞争-冒险

视频解释

~~书本解释：~~

注意：有竞争现象不一定有冒险

消除的方法：接入滤波电容、接入选通脉冲、修改逻辑设计
触发器：能够存储1位二值信号的基本单元电路统称为触发器
两个基本特点：1.具有两个能自行保持的稳定状态。2.在触发信号的操作下，根据不同的输入信号可以置成1或0状态。
电平触发方式的动作特点：
1.只有在CLK为有效电平时，触发器才能接受输入信号
2.当CLK从1回到0时，触发器保存的是CLK回到0以前瞬间的状态（抗干扰性低）
脉冲触发的触发器
在电平触发SR触发器基础上结构改变的目的：
D触发器 —— 为了能单端输入信号
SR主从触发器 —— 希望在每个CLK周期里输出端的状态只能改变一次
主从JK触发器 —— 在SR主从触发器基础上，使S = R = 1时，触发器的次态能确定（有效电平期间，如果J、K有多次变化，在下降沿时的变化按有效电平期间第一次变化为准）
边沿触发的触发器
目的：提高触发器的可靠性，增强抗干扰能力，希望触发器的次态仅仅取决于CLK信号下降沿（或上升沿）到达时刻输入信号的状态
触发器的特性方程
SR触发器： $\large \begin{cases} & Q^*=S+R'Q \\ & SR=0 \end{cases}$
JK触发器： $\large Q^*=JQ'+K'Q$
T触发器：
D触发器： $\large Q^*=D$
时序逻辑电路
任意时刻的输出信号不仅取决于当时的输入信号，还取决于电路原来的状态
同步时序电路：所有触发器状态的变化都是在同一时钟信号操作下同时发生的
异步时序电路：触发器状态的变化不是同时发生的
米利型电路：输出信号取决于存储电路的状态和输入变量
穆尔型电路：输出信号仅取决于存储电路的状态
输出方程：整个电路的输出的方程
驱动方程：存储电路的输入方程
状态方程：存储电路的次态输出方程