什么是低电平有效

关于低电平有效是什么概念:

低电平有效的意思是:在引脚上施加低电平的时候,这个功能触发了(当然要把引脚功能选择为对应的功能。) 
给个例子:例如74ls373的LE信号是高电平有效,加在LE上为高电平时,就可以把数据锁存,加低电平时就没有反应了。就是高电平的时候,锁存功能有效。

简单的说,低电平有效,就是施加低电平的时候,对应功能被触发(有效)。
<think>好的,我现在需要回答用户关于BHE信号是否低电平有效的问题。用户之前已经询问过8086存储器组织和BHE的作用,现在他进一步确认BHE是否为低电平有效。 首先,我需要回忆之前给出的回答。在之前的回复中,我确实提到BHE是低电平有效,但用户可能想更直接地确认这一点。我应该先明确回答“是的”,然后详细解释为什么它是低电平有效以及这种设计的理由。 接下来,我需要考虑用户可能的背景。用户可能在学习微机原理或计算机组成,特别是8086架构。他们可能对信号的有效电平不太清楚,或者需要确认课本中的知识点是否正确。因此,我需要用简明扼要的语言解释,避免过于技术化,同时确保准确性。 然后,我应该解释BHE信号的作用,特别是它如何与A0地址线配合选择存储体。需要说明低电平有效意味着当BHE为0时,高字节存储体(奇地址)被激活。同时,结合A0的状态,确定是进行字节还是字访问。 另外,我应该举例子来说明不同BHE和A0组合下的情况,比如当BHE=0且A0=0时,进行16位字访问,两个存储体都被选中。这可以帮助用户更直观地理解信号如何工作。 还要考虑用户可能的疑问,比如为什么使用低电平有效而不是高电平。这时候需要解释数字电路中低电平有效常见的原因,如抗干扰能力、节省功耗等,但可能用户不需要这么深入,所以可以简单带过,或者根据情况决定是否提及。 需要检查是否有任何可能的错误。例如,确认BHE确实是低电平有效,这在Intel 8086的数据手册中有明确说明。确保引用的组合表正确无误,特别是无效组合的情况是否正确,比如BHE=1和A0=1时确实无操作。 最后,总结BHE信号的重要性,强调其在8086存储器访问中的关键作用,以及正确理解其有效电平对系统设计的影响。这样用户不仅得到答案,还能理解其背后的原理和应用。</think>是的,**BHE信号是低电平有效**的。这是8086微处理器存储器访问机制的关键设计特征,具体作用原理如下: --- ### **BHE信号特性详解** 1. **电平有效性** - **低电平有效**(Active Low):当BHE引脚输出**低电平(逻辑0)**时,表示允许访问**高字节存储体**(奇地址存储体) - 高电平(逻辑1)时,高字节存储体处于禁用状态 2. **物理实现** - 通过**开漏输出电路**实现 - 典型连接方式需外接**上拉电阻** --- ### **BHE与A0的协同工作机制** | BHE | A0 | 操作说明 | 有效存储体 | |-----|-----|-----------------------------|------------------| | 0 | 0 | 同时选中高低字节存储体 → **16位字操作** | D15-D0(偶地址) | | 0 | 1 | 仅选中高字节存储体 → **奇地址字节操作** | D15-D8 | | 1 | 0 | 仅选中低字节存储体 → **偶地址字节操作** | D7-D0 | | 1 | 1 | 无操作(非法组合) | —— | --- ### **低电平有效的设计优势** 1. **抗干扰能力** - 低电平信号对地阻抗低,抗噪声能力更强 - 特别适用于总线这种易受干扰的环境 2. **多设备协调** - 便于实现**线与逻辑**(多个设备共享总线时,任一设备拉低电平即可控制总线) 3. **功耗优化** - 静态时总线保持高电平,降低漏电流 --- ### **典型应用场景** **示例1:读取奇地址字节(0001H)** ```verilog BHE = 0 // 激活高字节存储体 A0 = 1 // 指定奇地址 // 数据通过D15-D8传输 ``` **示例2:字操作优化建议** ```nasm MOV AX, [2000H] ; 建议将字数据存放在偶地址(A0=0) ; 此时BHE=0且A0=0,单周期完成16位传输 ``` --- ### **硬件设计注意** 1. **信号同步** - 需配合ALE(地址锁存允许)信号使用,在T1时钟周期锁存地址 2. **时序匹配** - BHE信号的有效时间需覆盖整个总线周期(约4个时钟周期) --- 通过这种低电平有效的设计,8086实现了对1MB存储空间的高效访问,同时兼容8位外设,体现了早期x86架构的精妙工程平衡。
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