DRAM(二)

DDR Mode Register Set(MRS)

burst Length:连续读出字节数

burst Type: Sequential (memory device 中bank1 中的地址为0x00,0x01,依次排列)；InterLeave(交错模式，bank1的地址为0x00,bank2的地址为0x01)。

CAS Latency:,如图所示为CAS延时。memoryDevice 中的延时需要和控制器中的延时相等。

WR：从写入数据，到预充电的时钟周期。

读时序：

RL = AL+CL

寄存器延时配置（BANKCON2）

RAS：Active命令到Precharge命令的最小时间。

ARFC：指令刷新时间。
CAS:CAS Latency Control。read/write经过CAS之后有效。

RCD:active命令经过RCD延时之后才能发送read/write命令。
RP:Precharge命令到发送Active命令时间间隔。