参考自TS 38.213
slot配置规则
一个slot包括上行符号,下行符号和可灵活设置的符号。
如果UE收到TDD-UL-DL-ConfigurationCommon参数,则按照此参数设置每个slot的格式。
这个参数包括:
- 参考的子载波间隔配置
μ
r
e
f
\mu_{ref}
μref
- pattern 1
pattern 1又包括:
-slot配置周期Pms,根据参考子载波间隔的不同,P的取值不同。
-只有下行符号的slot数目dslots
-下行符号数dsym
-只有上行符号的slots数目uslots
-上行符号数usym
Pms内包括
S
=
P
∗
2
μ
r
e
f
S=P*2^{\mu_{ref}}
S=P∗2μref个采用子载波间隔为
μ
r
e
f
\mu_{ref}
μref的时隙。在这S个slots中,前面dslots只含有下行符号,后面uslots个slots只含有上行符号。在前面dslots后面的dsym个符号为下行,在uslots前面的usym个符号为上行。剩余的
(
S
−
d
s
l
o
t
s
−
u
s
l
o
t
s
)
∗
N
s
y
m
b
s
l
o
t
−
d
s
y
m
−
u
s
y
m
(S-d_{slots}-u_{slots})*N^{slot}_{symb}-d_{sym}-u_{sym}
(S−dslots−uslots)∗Nsymbslot−dsym−usym个符号可以灵活配置。
如果TDD-UL-DL-ConfigurationCommon提供了pattern1和pattern2,则UE按照pattern1设置第一部分,按照pattern2设置第二部分。
pattern2包括:
- 时隙配置周期P2ms
- 下行时隙dslots,2
- 下行符号数dsym,2
- 上行时隙数uslots,2
- 上行符号数usym,2
一个时隙配置周期P+P2包括前面 S = P ∗ 2 μ r e f S=P*2^{\mu_{ref}} S=P∗2μref个时隙和后面 S 2 = P 2 ∗ 2 μ r e f S_2=P_2*2^{\mu_{ref}} S2=P2∗2μref个时隙。
对于这S2个时隙而言,配置规则和前面相同,不再赘述。
对于 μ r e f \mu_{ref} μref,应该小于等于UE配置的任何一个DL BWP或者UL BWP的 μ \mu μ。
如果存在另一个参数TDD-UL-DL-ConfigDedicated,则按照这个参数设置TDD-UL-DL-ConfigurationCommon指定的slot中灵活配置的符号。
TDD-UL-DL-ConfigDedicated包括: - 一个时隙配置集
- 对于集合中的每一种时隙配置包括
· 时隙索引
·每个时隙的符号集合,用参数symbols表示,可以配置为全下行、全上行、灵活配置等。
上述时隙配置对UE配置的每个BWP都是相同的。
slot format确定
DCI format 2_0中的SFI-index值指示从UE检测到DCI format 2_0这个时隙开始的每一个时隙的格式,针对对每个DL BWP或者UL BWP都相同。可以配置的时隙数要大于等于DCI format 2_0的一个PDCCH检测周期。每一种format索引对应一种format格式,对于normal CP来说,如下表所示。