关于STM32中Bank、Sector、Page的理解

本文通过对比F1、F4、L4系列的手册数据，浅谈对Bank、Sector、Page相关概念的理解。
以我们常用的STM32F103C8T6为例：

它具有64K的闪存大小，属于中容量产品。
在STM32中文参考手册_V10中，是这样描述嵌入式闪存的：

中容量产品主存储块最大为16x64位，每个存储块划分为128个1K字节的页，对应的表3如下：

在手册随后的擦除和编程相关的描述中：

我们就知道了，STM32F1系列最小擦除粒度为页面（1K），最小写入粒度为半字（2byte）。

再以STM32F4系列为例，这里就不看芯片手册，直接看中文参考手册了：

最小擦除粒度为扇区（最小的16K），最小写入粒度为字节（1byte）。

再看看STM32L4系列，这里只找到了英文的参考手册：

然后是它的分区结构：

它把存储器分成了2份，所以有页擦除、bank擦除和整体擦除三种擦除方式。
最小擦除粒度为页（2Kbyte），因为具有ECC纠错，所以最小写入粒度为64bit。

其实对于bank、sector和page的了解，我觉得需要知道针对我们所使用的MCU，最小写入粒度和最小擦除粒度是什么，具体大小是多少就行了。

系列	最小擦除粒度	最小写入粒度
STM32F0	FLASH_TYPEERASE_PAGES	FLASH_TYPEPROGRAM_WORD
STM32F1	FLASH_TYPEERASE_PAGES	FLASH_TYPEPROGRAM_WORD
STM32F2	FLASH_TYPEERASE_SECTORS	FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE
STM32F4	FLASH_TYPEERASE_SECTORS	FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE
STM32L4	FLASH_TYPEERASE_PAGES	FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD
STM32F7	FLASH_TYPEERASE_SECTORS	FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE