5N+ releases GaN patents

600V-1200V硅上垂直GaN功率器件开发的关键专利组合
总部位于蒙特利尔的特种半导体和材料生产商5N Plus正在启动其硅上GaN专利组合的商业化权利。
该公司表示，这些关键专利可以使高功率电子（HPE）、电动汽车和人工智能服务器行业的公司能够快速开发新型垂直硅上GaN功率器件的原型，并率先将其商业化。
如今，横向GaN主要用于低电压（＜400V）应用，如充电器，但硅上新型垂直GaN有可能取代SiC，SiC是当前中高压应用（即运行650V的电动汽车逆变器）的首选材料。
5N+总裁兼首席执行官Gervais Jacques表示：“通过最近的学术演示，我们的54项专利现在已被证明比当前的替代方案更高性能和更高效。因此，我们的专利组合具有独特的地位，可以使行业领先的HPE和电动汽车公司快速开发并商业化，率先推出垂直硅上GaN功率器件，这将彻底改变高压半导体应用。”。
5N+拥有的54项已授予专利的商业权利包括强制使用大直径厚硅衬底（超过1毫米），并结合掩模层过滤位错。在垂直GaN-on-Si器件中增加大直径硅衬底的厚度能够在不增加芯片尺寸的情况下增加电压容量。该专利中还包括一旦GaN生长完成就移除衬底以形成背面接触的能力。
此外，该公司持有用于射频应用的横向硅上GaN专利，将实现下一代5G和6G无线通信组件。5N+通过其全资子公司AZUR SPACE Solar Power GmbH（一家多结太阳能电池技术制造商）持有这些专利。