GaN VCSEL：工艺革新引领精准波长控制新纪元

日本工程师们凭借精湛的技艺，开创了一种革命性的生产工艺，让VCSEL的制造达到了前所未有的高效与精准。这一成果由名城大学与国家先进工业科学技术研究所的精英们联手铸就，将氮化镓基VCSELs的商业化进程推向了新的高峰。它们将有望成为自适应前照灯、视网膜扫描显示器以及医疗护理和可见光通信系统的璀璨明星。

这支卓越团队所打造的激光器，其发射波长精准定格在417.7nm，与目标值仅相差微不足道的0.3nm。更令人瞩目的是，它们所展现出的壁插效率峰值已超越20%的界限，这对于氮化镓垂直腔面发射激光器而言，无疑是一项令人叹为观止的成就。长远来看，这一突破性的效率提升，或许将开启氮化镓基VCSELs的全新篇章。

竹内哲也，作为名城大学团队的发言人，在接受采访时难掩激动之情。他坦言，在氮化镓基垂直腔面发射激光器领域，能够达到20%以上的效率，实属罕见。而他和他的团队，正是这一奇迹的缔造者。

Takeuchi及其同事们多年来一直致力于氮化镓基VCSEL生产流程的改进，终于迎来了这一历史性的胜利。这类激光器独特的结构，包括由交替的AlInN和GaN层形成的电介质顶部镜和底部镜，不仅简化了制造过程，更在性能上实现了质的飞跃。然而，高质量镜子的生长并非易事，需要克服重重困难。

为了提高反射镜的质量，Takeuchi团队采取了一系列创新措施。他们首先运用热氢工艺对AlInN表面进行精心清洁，随后又引入了反射率光谱的原位测量技术，以实现对腔体厚度的精准控制。这一改进的成功实施，极大地提升了器件的性能稳定性。

在此基础上，团队进一步利用垂直腔测试结构对ITO层和N2O5间隔层的厚度进行精细校准。尽管受到设备条件的限制，他们依然通过巧妙的方法达到了预期的效果。这种特殊方法的应用，不仅体现了工程师们的智慧与勇气，更为氮化镓基VCSELs的未来发展奠定了坚实基础。

如今，这支团队已经将这一突破性工艺应用于具有不同尺寸的VCSEL产品组合中。无论是直径为5毫米、8毫米还是更大的器件，都能展现出优异的性能表现。其中，直径为8μm的变体更是展现出了强大的发射能力，峰值功率高达13.1mW，是团队之前最佳结果的三倍之多。

对于壁插效率的提升，团队也取得了显著进展。直径为5mm的设计在驱动电流为8.44mA时，产生了接近10mW的输出功率，效率峰值更是达到了惊人的21.3%。这一成果不仅刷新了氮化镓基VCSELs的效率记录，更为其未来的商业化应用提供了有力支撑。

展望未来，竹内哲也信心满满地表示，封装技术的进一步改进将有望进一步提升器件性能。他和他的同事们正致力于将壁插效率提升至40%左右的更高水平，以推动氮化镓基VCSELs在更多领域实现广泛应用。

5纳米高的台面设计，如同精巧的舞台布景，确保横向电流和光学限制得以完美实现。这一创新设计不仅提升了器件的性能稳定性，更为氮化镓基VCSELs的未来发展描绘出了一幅充满无限可能的蓝图。
 

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