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一、频域和时域的关系，是傅里叶最擅长的

频域和时域分析是分析信号的基本方法，是从不同的角度来描述信号的特性。信号的特性可以在时域上和频率域上得到反映。

频域和时域的关系(Gif format）Frequency vs Time

信号的基本分析方法

谈到频域和时域关系，我们先从信号的基本分析方法讲起。传统上对无线、有线通讯信号的分析方法从三个域上划分：时域、频域和调制域。调制域是分析信号频率（或相位）随时间的变化。

频域和时域以及幅度的关系

频域测量

• 宽频率范围信号搜索

• 信号杂散测试

• 信号功率参数

• 信号占用频率带宽

时域测量

• 信号变化过程

解调测量

• 信号调制参数

• 信号调制精度

解调测量是对调制信号的幅相及频率变化进行测量的一种手段，是从另一个角度分析信号，和传统的三个域（及对应的示波器、频谱仪和调制域分析仪）有所不同，解调测量的概念对应的是矢量信号分析仪。

频域和时域的关系

时域(Time domain) ：分析信号参数随时间变化过程。时域是信号在时间轴随时间变化的总体概括。在时域中，将信号的所有频率分量相加并显示。频谱分析仪针对频域。

频域(Frequency domain)：分析信号包含的频率成分。各频率分量的频率和功率参数。在频域中，复数信号（即，由一个以上频率组成的信号）被分离成它们的频率分量，并显示每个频率的电平。示波器用来看时域内容。

因为信号不仅随时间变化，还与频率、相位等信息有关，这就需要进一步分析信号的频率结构，并在频率域中对信号进行描述。动态信号从时间域变换到频率域主要通过傅立叶级数和傅立叶变换等来实现。

时域函数通过傅立叶或者拉普拉斯变换就变成了频域函数

很简单时域分析的函数是参数是t，也就是y=f(t)，频域分析时，参数是w，也就是y=F(w)两者之间可以互相转化。时域函数通过傅立叶或者拉普拉斯变换就变成了频域函数。

信号-2

为什么要频域分析信号？（方波的例子）

作为常见信号分析的方法，可使用示波器测量信号时域波形。时域分析可直观反映信号幅度；频率；相位的变化。上图中时域的测试可以明显地观测到信号1和信号2时域波形（黑色轨迹）的区别。但只通过时域的观测很难判断两个信号波形差别的原因。

什么是频域分析？

所谓频域分析，就是在频率的坐标下分析信号。完整的频域分析应该得到被测信号包含的频率成分，还有每个频率成分的幅度和相位关系。即信号功率谱和相位谱的分析。某个信号的波形发生变化，其频谱特性会发生相应变化。频域和时域分析是分析信号的基本方法，是从不同的角度来描述信号的特性。

频域分析包括：
•分析信号的频率成分。各频率分量的频率与功率参数。
•信号功率，信号带宽，带外杂散，ACPR。

时域反射测量技术 (TDR) 和时域分析的历史

时域反射测量技术 (Time domain reflectometry (TDR)) 是在 20 世纪 60 年代初引入的，采用与雷达相同的工作原理 — 把一个冲激信号送入一条被测电缆 (或其他可能不是良好导体的被测器件或设备)，当该冲激信号到达电缆末端或电缆上的某个故障点时，一部分或全部冲激信号便会被返射回测试仪表。TDR 测量方法就是把一个冲激或阶跃激励信号发送到被测器件，然后观察信号在时域内的响应。测试时，使用一台阶跃信号发生器和一台宽带示波器，把阶跃信号发生器产生的上升沿速度极快的激励信号送进被测传输线，然后用宽带示波器观察传输线上某处入射电压波形和反射电压波形，通过测量入射电压与反射电压之比，便能计算出传输线上这个阻抗不连续点处的阻抗值，而这个阻抗不连续点的位置则可以作为时间函数根据信号沿着传输线传播的速度计算出来。阻抗不连续性的性质(电容性的或电感性的) 可以根据其信号的响应特征加以识别。

虽然我们过去惯用的 TDR 示波器作为定性测试工具一直非常有用，但存在一些影响其测试精度和有效性的限制因素: a) TDR 输出的阶跃信号的上升时间—测量结果在空间上的分辨率取决于阶跃信号上升时间的快慢；b) 不是特别理想的信噪比－这是由于示波器宽带接收机的结构引起的。

随后，在 70 年代，研究表明频域与时域之间的关系可以用傅立叶变换进行描述。

与频率有关的网络反射系数经过傅立叶变换之后就可以得到随时间变化的反射系数，例如传输线上的距离。这样就有可能先在频域内测量被测器件的响应，然后用数学方法对这些频域数据进行傅立叶逆变换计算从而给出时域响应。  whaosoft aiot http://143ai.com

现在，一台高性能的矢量网络分析仪可以具有极快的计算功能，因而衍生出一些独特的测量能力。使用在频域内误差经过校正的测试数据就可以计算出被测网络对阶跃或冲激激励信号的响应，并且显示为时间函数。这样就给传统的时域反射测量技术提供了既能进行传输测试又能进行反射测试的功能，并增添了对带宽有限制的网络的测量能力。矢量网络分析仪在时域的测试可以更为精密，因为它能找出多余的网络部件的位置，从而把这些不需要的数据从被测数据去除掉。

下图显示的是无论是使用时域反射计 (TDR) 示波器还是使用矢量网络分析仪 (VNA) 都可以得到时域和频域 (S 参数) 的显示结果，使用 TDR 或 VNA 得到的测试结果可以在两种显示形式中互相转换。

二、MOS管和IGBT管区别

 在电路设计中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？

    下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！

 什么是MOS管？

    场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。

    MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。

    MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

    如上图，MOSFET种类与电路符号。

    有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。

    关于寄生二极管的作用，有两种解释：

• MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

• 防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。

    MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。

什么是IGBT？

    IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

    IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。

 IGBT的电路符号至今并未统一，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。

    同时还要注意IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不表示一定没有，除非官方资料有特别说明，否则这个二极管都是存在的。

    IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。

    判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。

    IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

MOS管和IGBT的结构特点

    MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。

 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。

    IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。

  另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。

选择MOS管还是IGBT？

    在电路中，选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管，这是工程师常遇到的问题，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：

    也可从下图看出两者使用的条件，阴影部分区域表示MOSFET和IGBT都可以选用，“？”表示当前工艺还无法达到的水平。

 总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。

    MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。

三、模拟量采集从硬件到程序，从滤波到实际值转换

在单片机系统里对模拟量的处理要比数字量稍显复杂，但是只要掌握了使用技巧，使用起来也很简单，很多朋友一开始比较纠结于单片机的底层语言，非要先弄个明白才罢休，其实大可不必，重要的是我们要先学会怎么应用。

❤现以铅酸电池电压检测及充电电流检测为例讲解模拟量的硬件和程序的设计。

如图1为28节铅酸电池的电压检测电路，1--14节组成电池组1，15--28节组成电池组2；第1节正极为BAT+，14与15节之间为BATM，第28节负极为BAT-。输入端的8个二极管的作用是钳位作用，电路计算如图所示。

图1：电池组电压检测电路

如图2为铅酸电池的充电电流检测电路，TA1为工频电流互感器，输入的4个二极管为整流二极管，电流流过R37（510Ω）形成压差△V，电路计算如图所示。

图2：电池组充电电流检测电路

如图3为单片机STM32F103CBT6，图1和图2的模拟信号输入至单片机的PA5、PA6、PA7。

图3：STM32F103CBT6单片机

由于代码较多，为便于浏览，我就把其中一部分以截图的形式展示。

如图4为单片机adc.c文件的底层配置，把PA5、PA6、PA7端口配置成模拟输入模式。

图4：配置端口模式

如图5对以上三个模拟量进行模数转换并缓存入数组ADC_ConvertedValue[3]，得到的AD值的范围是0~4096。

图5：模数转换并缓存

如图6把以上两个配置函数整合在一起，定义成模拟量的初始化函数void ADC1_Init(void)。

图6：初始化

如图7在adc.h文件里声明函数void ADC1_Init(void)，另外几个函数也在adc的c文件里定义的，后面附上源程序（非截图）。

图7：声明函数

如图8在main()主函数里调用ADC1_Init()初始化函数（要去掉void），初始化函数一定要放在while(1)的前面，表示在进入while(1)无限循环前只执行一次。Analog_Processing()为模拟量处理函数，要放在while(1)无限循环里面（该函数在下面讲）。

图8，函数调用

以下为模拟量在main.c文件里的定义。

s16 Charging_Current;     //充电电流实际值s16 Battery1_Voltage;     //电池组1电压实际值s16 Battery2_Voltage;     //电池组2电压实际值s16 Battery_Voltage;      //电池组总电压值

❤下面三个函数的定义都在adc.c文件里面定义的。

以下代码为模拟量处理函数：①对数组ADC_ConvertedValue[3]缓存值进行滤波处理；②对滤波后的AD值转换为实际值。

/******************************
模拟量处理函数
******************************/
void Analog_Processing(void)
{
//对AD值进行滤波
ADC_Charging_Current=Filter(ADC_ConvertedValue[0],ADC_Charging_Current,1,10);
ADC_Battery1_Voltage=Filter(ADC_ConvertedValue[1],ADC_Battery1_Voltage,1,10);
ADC_Battery2_Voltage=Filter(ADC_ConvertedValue[2],ADC_Battery2_Voltage,1,10);
//AD值转换为实际值
Charging_Current = Adc_To_Act(ADC_Charging_Current, 10, 4096, 0, 220);//22.0A
Battery1_Voltage = Adc_To_Act(ADC_Battery1_Voltage, 10, 4096, 0, 267);//267V
Battery2_Voltage = Adc_To_Act(ADC_Battery2_Voltage, 10, 4096, 0, 267);//267V
//两组电压相加得到总电压
Battery_Voltage = Battery1_Voltage + Battery2_Voltage;
}

以下代码为滤波函数，滤波函数有很多，采用合适的才是最实用的（该函数滤波后的值是连续变化的，有些滤波函数滤波后的值是跳变的）。

/******************************
滤波函数（base/k越大，容性越大）
该函数相当于是一个电容，通常取值k=1，base=10
******************************/
u16 Filter(u16 NewData, u16 OldData, u8 k, u8 base)
{
u16 uiResult;
if (NewData > OldData)
{
uiResult = NewData - OldData;
uiResult *= k;
uiResult += base >> 2;
uiResult /= base;
uiResult = OldData + uiResult; 
}
else if (OldData > NewData)
{
uiResult = OldData - NewData;
uiResult *= k;
uiResult += base >> 2;
uiResult /= base;
uiResult = OldData - uiResult; 
}
else
{
uiResult = NewData;
}

return(uiResult);
}

使用方法如下：NewData表示最新采用的模拟量；OldData表示滤波后的模拟量。

ADC_Battery1_Voltage=Filter(ADC_ConvertedValue[1],ADC_Battery1_Voltage,1,10);

为便于逻辑计算、控制及显示，以下代码是把AD值转换为实际值，

/******************************
AD值转换实际值函数
******************************/
s16 Adc_To_Act(s16 Adc_Value, s16 Pre_Adc_Min, s16 Pre_Adc_Max, s16 Pre_Act_Min, s16 Pre_Act_Max)
{
s32 _temp;
s32 _range;
_temp = (s32)((Adc_Value - Pre_Adc_Min) * (Pre_Act_Max - Pre_Act_Min) / (Pre_Adc_Max-Pre_Adc_Min)) + Pre_Act_Min;
_temp = Adc_Value - Pre_Adc_Min;
_range = Pre_Act_Max - Pre_Act_Min;
_temp = _temp * _range;
_range = Pre_Adc_Max - Pre_Adc_Min;
_temp = _temp + _range / 2;
_temp = _temp / _range;
_temp = _temp + Pre_Act_Min;
return(_temp);
}

使用方法如下：Adc_Value表示要转换的模拟量；Pre_Adc_Min表示模拟量AD值的最小值；Pre_Adc_Max表示模拟量AD值的最大值；Pre_Act_Min表示转换后实际值的最小值；Pre_Act_Max表示转换后实际值的最大值；（以下最大实际值220表示22.0A，是因为数码管显示需要小数表示）。 

Charging_Current = Adc_To_Act(ADC_Charging_Current, 10, 4096, 0, 220);//22.0A

❤要点：

①模拟量的采样电路，我多采用运放的差分放大电路，原因是被测电压可以和运放不用共地，且可有效抑制共模噪声，可达到较高的精确线性测量，比如以上电池组的被测电压的误差与实际相差在0.3V左右；

②电池组输入至运放的8个1M的电阻是两个为一组的，且功率至少1/4W以上，因为在高压下的电阻容易老化，为保险起见，通常一个电阻的最大压差在100V以下为宜；

③电池组分为两组检测，一是为了降低元件所承受的电压，二是为了监视两组电池电压之间是否平衡，达到保护电池目的。

③函数应功能模块化，且具备通用性质，便于移植和调用，对于很多朋友应先学会如何使用，底层代码只要会配置就完全足够了。

当然，以上提供的设计是我通常的做法，能满足大多数的常规应用。

四、Open RAN在5G设计中的美好未来

Open RAN（开放式无线接入网络）作为一种把RAN硬件和软件分离的标准化方法，将推动网络供应商的竞争和创新。它为各制造商开放了这些系统配置，以便其能够为这些网络提供服务。Open RAN为5G产品的设计和实施层面提供了更大的灵活性与更多的选择。

在传统模式中，无线接入网络组件由单一供应商高度集成和把控，限制了产品设计人员的选择。而通过采用Open RAN模式，设计者可以利用更开放且标准化的架构，从多个供应商挑选和搭配各种组件。这种灵活性让设计人员能够选择最适合的软硬件解决方案，从而提高产品性能、创新性和成本效益。

在市场上，Open RAN可以促进竞争，使设计人员和消费者都受益。通过打破传统的供应商绑定并促进互用性，Open RAN鼓励多个供应商及初创公司的参与。这种更具竞争性的局面将技术进步的成果加速推向市场。由此，设计人员能够获得更广泛的尖端技术，消费者亦可以享受到更多样化和创新的5G产品，以满足他们的特定需求。

今天，就来给大家安利一款Qorvo家的Open RAN的最新方案。

下图中所示的参考设计提供了一个完整的RF前端解决方案，针对n78频段（3.4-3.8GHz）平均输出功率8W的mMIMO 5G应用。其在一个紧凑的布局中构建了从数字前端到天线滤波器的发射及接收解决方案，可以直接实施在一个单元阵列中。
发射链采用QPA9122M作为宽带高线性度预驱动器，将QPB3810作为高效的GaN末级功率放大器模块。发射链还包括一个用于DPD监测路径的定向耦合器以及一个环行器。对于接收链路，参考设计使用QPB9362开关 -低噪声放大器。

8WmMIMO 3.4GHz RF前端参考设计框图
QPB3810作为发布的首款商用GaN模块，其集成的偏置控制器经出厂前编程，以设置Doherty功率放大器模块（PAM）的最佳偏置点。QPB3810是一款48V、平均功率8W的PAM，覆盖3.4-3.8GHz频段。偏置控制器包括一个可以在温度变化时自动调整偏置的温度传感器，和一个用于快速TDD切换的使能引脚。QPB3810采用紧凑型12mm x 8mm SMT封装，与传统分立元件解决方案相比，占板面积显著缩小；而且与Qorvo其它PAM产品类似，仅需要极少的外部电路。
Qorvo还同时发布了QPB9362这款面向TDD mMIMO架构配置的5G无线基础设施应用的接收模块。其集成了一个LNA和一个大功率开关；该开关可在系统处于发射模式时用作连接大功率负载的故障保护路径。接收模式下，QPB9362在整个工作频段上提供34.5dB的增益和1.1dB的典型噪声系数。LNA关断模式可通过模块上的发射/接收控制引脚实现。产品采用符合RoHS标准的紧凑型5mm x 3mm LGA封装。

五、三极管的奥秘,如何用小电流控制大电流

双极性晶体管（英语：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个引脚的电子元器件。

本文是讲述的是三极管的基础知识。本文涉及到三极管管的基本工作原理、特性曲线以及线性和开关操作。还涉及到了三极管基础应用电路。最后我们进行了一些实验。

三极管基础知识

讲解了NPN和PNP三极管的符号、引脚排列和工作原理。

NPN 和 PNP

三极管有两种基本类型，即NPN型和PNP型。在这两种类型中，NPN型的三极管更为常用，所以我们将主要讨论NPN型的三极管。请记住，我们关于NPN型的三极管的所有内容，实际上和PNP型的三极管基本相同，只是我们要把所有涉及到的极性都反过来。极性是指结的电压极性和流经它们的电流极性。

下面是NPN型和PNP型三极管的原理图符号：

从三极管的符号图中可以看到，三极管的三个引脚分别是：

• Collector: 集电极

• Base: 基极

• Emitter: 发射极

不论是NPN还是PNP, 有箭头的引脚是发射极，箭头总是指向N型半导体材料。NPN型和PNP型的三极管，你可以看到箭头都是指向N型半导体的。

三极管由三种半导体组成：

下面是一些常见的小信号三极管封装的引脚排列方式：

塑料封装的TO-92通常是如上图这样排列的。金属罐封装的TO-18通常也是如上图排列的，靠近伸出来的小金属片的是发射极。SOT-23封装通常是如上图排列的，集电极是单独的一个引脚。【注意】，是通常，并不是所有，具体以三极管数据手册为准。

当然，三极管还有许多其他不同的封装类型，比如 TO-220，这是一种带有金属散热片的塑料封装：

TO-3，是一种用于更高功率应用的封装，以及其他几十种不同的封装类型。所以，当你使用这些三极管时，最好能查看数据手册，以验证引脚的排列方式。

上图，从左到右：SOT-23, TO-92, TO-126, TO-3

基础知识

复习二极管

复习一下二极管的相关知识：

二极管是一种半导体器件，它有两个电极：正极（阳极）和负极（阴极）。二极管的内部是由n型半导体和p型半导体相接而成的pn结。pn结的两侧存在一个内部电场，它阻碍了电流的流动。

正向偏置是指将电源的正极连接到二极管的p型侧，负极连接到n型侧，这样就使得外部电场与内部电场方向相反，从而降低了pn结的电势差，使得电荷载流子能够跨越pn结，形成电流。

反向偏置是指将电源的正极连接到二极管的n型侧，负极连接到p型侧，这样就使得外部电场与内部电场方向相同，从而增加了pn结的电势差，使得电荷载流子难以跨越pn结，形成很小的电流。

下图是二极管的正向偏置和反向偏置的示意图：

导通和截止

下文中，我们把基极与发射极之间的 PN 结称为发射结, 基极与集电极之间的 PN 结称为集电结：

下面是理解三极管原理的三条关键信息：

1. 首先，发射结的行为就像一个二极管，它可以正向偏置，也可以反向偏置，它可以导通，也可以截止。

2. 其次，当发射结正向偏置时，允许电流在集电极和发射极之间流动。所以，如果我有足够的偏置电压来打开这个二极管，即基极-发射极的 PN 结，电流就可以从集电极流向发射极。

3. 第三，当发射结没有正向偏置，也就是是截止的时候，集电极和发射极之间 没有电流流动。例如，如果基极接地，发射结就没有导通，这个二极管就相当于关闭了，相应的电流就不会从集电极流向发射极。

当发射结正偏时，电流可以在集电极和发射极之间流动, 三极管处于导通状态：

当三极管导通时，发射结的行为就像一个二极管，所以基极和发射极之间的电压降通常在0.6到0.7伏之间，非常类似于硅二极管。

当基极-发射极没有正向偏置，也就是是截止的时候，集电极和发射极之间没有电流流动，三极管处于截止状态:

工作区

工作区定义

根据发射结和集电结的偏置状态，可以定义三极管的几个不同的工作区。

• 截止区：当发射结电压小于导通电压（约0.6-0.7V），发射结没有导通，集电结处于反向偏置，三极管没有电流放大作用，相当于一个断开的开关。

• 放大区：当发射结电压大于导通电压，发射结正偏，集电结反偏，三极管的基极电流控制着集电极电流，集电极电流与基极电流近似于线性关系，三极管起到电流放大作用，相当于一个可调的电阻。

• 饱和区：当集电极电流增大到一定程度时，再增大基极电流，集电极电流也不会增大，集电结也正偏，三极管的电流放大系数变小，相当于一个闭合的开关。

三极管电路有上千万种，总体上分为两种：

• 放大电路

  • 发射结正偏（B-E foreword biased）

  • 集电结反偏（C-B reversed biased）

• 开关电路

  • 发射结正偏（B-E foreword biased）

  • 集电结正偏（C-B foreword biased）

放大电路工作在三极管的线性工作区，开关电路工作在三极管的截止区和饱和区。

特性曲线

对于特性曲线，你能理解就理解，不能理解，就先放着，本文之所以加上特性曲线这一部分，是因为三极管的工作区来自于特性曲线。

三极管的伏安特性曲线是描述三极管各电极电流和电压之间关系的图形。三极管有三种连接方式：共发射极、共集电极和共基极（对于这三种连接方式，不理解没关系，以后会讲）。不同的连接方式有不同的特性曲线。一般来说，最常用的是共发射极电路，它有两种特性曲线：输入特性和输出特性。

• 输入特性是指在集电极电压UCE为某一定值时，基极电流IB和发射结电压UBE之间的关系。输入特性曲线的形状类似于二极管的伏安特性曲线，因为发射结是一个正偏的PN结。输入特性曲线可以反映出三极管的输入电阻，即Rin=ΔUBE/ΔIB。输入电阻一般很小，约为几十欧姆到几百欧姆。

• 输出特性是指在基极电流IB为某一定值时，集电极电流IC和集电极电压UCE之间的关系。输出特性曲线可以分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。

下图是三极管的输入特性曲线和输出特性曲线：

蓝色虚线左边的区域为饱和区（Saturation）；

由蓝色虚线、红色虚线和棕色虚线包围的区域为放大区（Active），在这个区域里，发射极电流与基极电流成近似线性关系；

红色虚线下方表示三极管尚未导通，处于截止区（Cut-off）；

ps不熟，特性曲线我没有涂上颜色，你可以参照下图，给上图脑补上颜色^_^：

放大区

放大区或者线性工作区域是这样的，集电极-基极的结总是反向偏置的，这意味着通常情况下，集电极电压是等于或大于基极电压的，它甚至可以被稍微比基极电压低一点，但不要降低到足以打开集电极-基极的结的程度。

在特性曲线的放大区，你画一条垂直的线，上图的红色线，含义如下：集电极和发射极之间的电压（UCE）不变，增加基极电流 IB， IC 会相应增加。

放大的是啥

在线性工作区，我们会施加一定的正向偏置电压到基极，目的是打开发射结。基极通常会有一个电阻，用来限制基极电流，因为基极-发射极之间有一个PN结，也就是二极管，二极管一般都会加一个限流电阻。有时候这个限流电阻会在基极前面，有时候会在发射极后面，有时候会两个地方都有。在这两种情况下，基极-发射极两个引脚之间的压差通常在0.6到0.7伏之间，当然有些大功率三极管，这个压差可能会更大一些，但这个 值对于小信号处理三极管来说是非常常见的。所以，如果我们忽略了三极管的集电极，只把它看作一个二极管（基极-发射极之间的二极管），这里的特性遵循二极管伏安特性曲线，就像一个典型的二极管一样：

关于三极管的一个神奇之处是，当你对基极施加电压，以让少许基极电流通过发射结时，它允许更大的集电极流流向发射极，而集电极电流将比基极电流高出很多倍，通常是100到200倍。这个因子被称为β，有时它写成hfe。所以，一小部分基极电流可以导致一个较大的集电极电流流，也就是放大。

发射极电流，也就是从发射极流出的电流，是基极电流和集电极电流的总和。

问题来了

对于线性工作区，一个问题值得思考。在线性工作区中，发射结是正向偏置的, 集电结是反偏的。为啥还会有集电极电流流过反偏的集电结？

欲知后事如何，接着往下看。

饱和区

当用作开关时，一般是控制一个负载元器件通电、断电。也许是点亮或者关闭一个 LED，也许是控制蜂鸣器的开启、关闭 。这种使用模式中，我们通过正向偏置发射结来打开三极管，但是通常如下图所示的负载产生的电压降会把集电极的电压降低到足以实际打开集电结的程度。所以，此时三极管集电极和发射极之间的电压非常小。这通常被称为开关工作模式，这时三极管处于所谓的饱和工作区。

四两如何拨千斤

我们来回答前面的问题：电流是如何流过一个反向偏置的 PN 结的呢？

为了回答这个问题，我们必须必须深入三极管内部：

三极管是由三种半导体材料组成的，上图中，从上往下看依次是：N型半导体，P型半导体和一个N型半导体。N型半导体材料中有很多自由电子，对于三极管来说，特别是发射极，制造环节会进行重度掺杂，是三极管三个区中最多掺杂的，意味着有很多自由电子，很容易被移动并转化为电流。三极管的基区通常非常！非常！非常！薄！现代三极管基区的厚度可能是10纳米到20纳米，而N区的厚度可能为 100纳米以上。基区还有一个特点，非常非常轻度掺杂，意味着由于它是P型的，但是空穴很少。基区的 非常薄和非常轻掺杂的特性是三极管工作的关键。

这个非常薄的基区的创意想法就来自于三位老前辈 76 年前发明的点接触式三极管：

在此之前，半导体二极管已经存在了，电子三极管已经存在了，人们想制作半导体三极管的想法也已经很久了，但是没人想到，问题的关键在这个薄上。

我们复习一下二极管耗尽区。

二极管耗尽区（diode depletion region）是指PN结中的无载流子区域，它是由PN结中的空穴和电子再结合而形成的。在这个区域中，电子和空穴被吸引到PN结的反向偏置区域，形成一个带有净正电荷的中性区域。这个区域的存在使得PN结处于截止状态，阻止了电流的流动。

三极管内部基极-集电极之间的PN结，就像任何PN结一样，会在两种半导体结合地方得到一个没有任何载流子的耗尽区。当我们打开NPN三极管时（把它想成一个开关），我们实际上是通过在基极-发射极之间施加一个偏置电压来克服这个耗尽区，这样就开始把电子吸引到 P 型材料构成的基区，从而产生基极电流。结合二极管的导通的相关知识，这是比较容易理解的。

当我们谈论电子的移动时，有一点要记住，他们是沿着传统电流流动的相反方向移动的。当我们打开基极-发射极的结，就像一个二极管一样，电子被吸引穿过了这个耗尽区，并且与基区的空穴复合。

由于基区特别薄，有少许空穴，而发射区又进行了重度掺杂，有大量的自由电子，一旦我们打开基极-发射极的 PN 结，很多这些电子就被吸引到基区，但是实际上只有很少的电子会与空穴复合并形成基极电流。其余的电子，它们进入薄薄的基区后（这个薄很关键），被集电极的正电势吸引。也就是说，大量的电子，到达基区，它们找不到一个空穴结合，因为很少，并且基区很薄，它们被正的集电极电势吸引，然后它们突破了基极和集电极之间的耗尽区，被集电极收集起来。事实是，只有大约百分之一的电子到达基区，形成基极电流，其余的电子突破耗尽区到达了集电极，所以到达集电极的电子，到基极引脚的电子多得多，这就是β因子，集电极电流大约是基极电流的100到200倍。

从上面这一段话也可以看出集电极为什么叫集电极，收集电子的意思。发射极为什么叫发射极，发射电子的意思。

最后形成的效果就是，基极很像一个阀门，可以打开，也可以关闭，还可以调节流量。0.6-0.7 基极电压吸引大量电子进来，只有一少部分形成基极电流，大多数电子到达了集电极，形成了比基极电流大大约100-200倍的集电极电流。

以上就是我们对小电流如何控制大电流，四两如何拨千斤的解释！

两手都要硬

模拟电路的学习需要理论和实践相结合，这两者彼此相辅相成，互相促进，缺一不可。用邓爷爷的一句话来说就是：两手都要抓，两手都要硬！

放大电路实验

实验电路如下：

实验电路用到的器件如下：

元器件：

• 三极管：S8050

• 基极限流电阻 RB: 10k 到 100k  之间即可，用于限制基极电流。我使用 20k

供电：

• 一个可调电源：用于给基极供电

• 一个可调电源：用于给集电极供电

测量仪表：

• 电流表：测量基极电流

• 电流i包：测量集电极电流

• 电压表：测量基极基极电压

• 电压表：测量集电极电压

基极电流变化

可调电源 9V 固定，接到三极管集电极（Collector）, 看基极电流和集电极电流的关系。我们可以把基极电流认为是输入，集电极电流认为是输出。

搭建好的实验电路如下：

从左到右四块表分表测量如下：基极电流，基极电压、集电极电压、集电极电流。最左边电流表的量程是50uA, 也就是右摆到头是50uA; 最左边电流表的挡位是 20mA 。

两台可调电源：

左边的汉泰可调电源用于给集电极供电，右边的用于用于给基极供电。汉泰的电源很不错推荐购买。

实验开始

实验开始，我打开 9V 可调电源，基极电压调到0V。

上图可以看到，集电极（Collector）电压是 8.99V，但是几乎没有集电极电流（指针左到头），基极电流是零，此时基极-发射极之间的 PN 结是关闭的。

突破

我们将逐渐调大基极电压，在 0.4 V之前，基本没有电流：

我们可以看到，当开始提高基极-发射极的电压时，即使我在0.436伏左右，仍然没有集电极或基极电流流动，因为，发射结就像一个二极管，我们需要达到大约0.6伏，才能产生一些基极电流。

10uA

我们继续调大基极电压，当基极电压达到：0.622V, 此时基极电流是 10uA, 集电极电流是 2.64mA, 放大倍数= 2.64mA/10uA = 264 倍。

20uA

当基极电压达到 0.636V, 此时基极电流是 20uA, 集电极电流是 5.75mA。此时基极电流翻倍，集电极电流也基本翻倍了。放大倍数：286。

30uA

当基极电压达到 0.642V, 此时基极电流是 30uA, 集电极电流是 8.75 mA。基极电流三倍，集电极电流也基本基本也是三倍了。放大倍数：292。

40uA

当基极电压达到 0.643V, 此时基极电流是 40uA, 集电极电流是 12.07 mA。基极电流是最初的四倍，集电极电流也基本基本也是四倍了。放大倍数：291。

线性关系

基极（Base）电流和集电极(Collector)电流统计数据填写到 Excel 表格中，然后转成曲线图：

从上面的曲线图可以看出：集电极电流和基极电流具有 很明显的线性关系。该直线的斜率即为放大倍数β。这也是三极管线性（Linear）工作区命名的来由。

实验技巧

• 基极电流取整。有利于速算出和集电极电流的关系。

• 万用表贴标签。知道哪个表是测哪个项目的。

• 电流表用指针表。方便看变化关系。

• 如果探讨的是两个变量之间的关系，考虑将数据转换为曲线图。曲线图有利于直观的查看两个变量的关系。

集电极电压变化

当集电极电压是 10V ， 基极电流是 30uA 时，集电极电流是 7.98 mA：

我们保持基极电压或者电流不变，将集电极电压由 10V 改为 5V, 集电极电流为 6.8mA:

集电极电压变为原来的 1/2， 集电极电流基本保持不变，仍为原来的：85%。

可见，集电极电压对集电极电流的影响，很小。这种小的集电极电流变化是由一种早期效应（early effect）造成的。我们改期再讲。

在这里，我们忽略集电极电压对集电极电流的影响，认为集电极电流只与基极电流有关。

开关电路实验

用作开关时，我们把三极管置于饱和状态，和放大区是一样的，发射结是正向偏置的，但是在饱和区，，负载两边的压差是如此之大，以至于能够把集电极的电压降低到基极和集电极之间的 PN 结被打开的程度。

一旦发生这种情况，你就会得到一个增大的基极电流，因为现在基极和集电极之间也有电流了。这使得看起来 β下降了。

你会发现，当放大到某个程度，饱和的三极管的集电极电流实际上只受到负载和电源的限制。也就是说在这种情况下，主要的电压降发生在LED和限流电阻上，因为通常在饱和状态下，这个集电极和发射极之间的电压可能只有几百毫伏，甚至更小，可能只有几十毫伏。所以一旦发生这种情况，你几乎可以认为这个三极管是短路的，集电极电流只由电源和负载决定。进一步增加基极电压只会导致更多的基极电流，这对我们没有任何用处。

实验电路：

搭建好的电路如下：

注意看上图，基极电压是 0.635V, 集电极电压是 0.05V.此时集电极和基极之间的压差 = 0.635-0.05= 0.585V. 基极和集电极之间的 PN 结也被打开了。

另外，此时的放大倍数已经非常低了：1.691mA / 45uA = 38

这时，我改变基极电压或电流，集电极电流几乎没有变化：

上图基极电流变由 45uA 变为 20uA, 集电极电流指针几乎没动。

下面是动图，基极电流变化，集电极电流几乎不动，在指针表上特别明显：

上图：基极电流指针在动，集电极电流指针几乎不动。说明，饱和状态下，基极电流的增大，已经不会对集电极电流产生影响了。

总结

学完本文，如果有几点你要记住的话，请记住下面这几点：

• 基极电压高于发射极电压

• 正向偏置B-E结

• 许多电子被吸引到基极

• 由于基极掺杂很轻，只有少量电子在此与空穴复合

• 由于基极很薄，许多电子被集电极的正电势吸引，穿过基极，

• 这些电子穿过C-B耗尽区域，形成集电极电流

• 只有约1%的电子在基极与空穴复合，形成基极电流

• 约99%的电子从发射极穿过基极，形成集电极电流

上面是三极管用作放大时的工作原理的关键点总结。