嵌入式~PCB专辑69

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一、利用 PCB 分层堆叠控制 EMI 辐射

解决EMI问题的办法很多，现代的EMI抑制方法包括：利用EMI抑制涂层、选用合适的EMI抑制零配件和EMI仿真设计等。本文从最基本的PCB布板出发，讨论PCB分层堆叠在控制EMI辐射中的作用和设计技巧

 电源汇流排 

在IC的电源引脚附近合理地安置适当容量的电容，可使IC输出电压的跳变来得更快。然而，问题并非到此为止。由於电容呈有限频率响应的特性，这使得电容无法在全频带上生成干净地驱动IC输出所需要的谐波功率。除此之外，电源汇流排上形成的瞬态电压在去耦路径的电感两端会形成电压降，这些瞬态电压就是主要的共模EMI干扰源。我们应该怎么解决这些问题？

就我们电路板上的IC而言，IC周围的电源层可以看成是优良的高频电容器，它可以收集为干净输出提供高频能量的分立电容器所泄漏的那部份能量。此外，优良的电源层的电感要小，从而电感所合成的瞬态信号也小，进而降低共模EMI。

当然，电源层到IC电源引脚的连线必须尽可能短，因为数位信号的上升沿越来越快，最好是直接连到IC电源引脚所在的焊盘上，这要另外讨论。

为了控制共模EMI，电源层要有助於去耦和具有足够低的电感，这个电源层必须是一个设计相当好的电源层的配对。有人可能会问，好到什么程度才算好？问题的答案取决於电源的分层、层间的材料以及工作频率（即IC上升时间的函数）。通常，电源分层的间距是6mil，夹层是FR4材料，则每平方英寸电源层的等效电容约为75pF。显然，层间距越小电容越大。

上升时间为100到300ps的器件并不多，但是按照目前IC的发展速度，上升时间在100到300ps范围的器件将占有很高的比例。对於100到300ps上升时间的电路，3mil层间距对大多数应用将不再适用。那时，有必要采用层间距小於1mil的分层技术，并用介电常数很高的材料代替FR4介电材料。现在，陶瓷和加陶塑料可以满足100到300ps上升时间电路的设计要求。

尽管未来可能会采用新材料和新方法，但对於今天常见的1到3ns上升时间电路、3到6mil层间距和FR4介电材料，通常足够处理高端谐波并使瞬态信号足够低，就是说，共模EMI可以降得很低。本文给出的PCB分层堆叠设计实例将假定层间距为3到6mil

 电磁屏蔽 

从信号走线来看，好的分层策略应该是把所有的信号走线放在一层或若干层，这些层紧挨著电源层或接地层。对於电源，好的分层策略应该是电源层与接地层相邻，且电源层与接地层的距离尽可能小，这就是我们所讲的“分层＂策略。

PCB堆叠 

什么样的堆叠策略有助於屏蔽和抑制EMI？以下分层堆叠方案假定电源电流在单一层上流动，单电压或多电压分布在同一层的不同部份。多电源层的情形稍后讨论。

4层板

4层板设计存在若干潜在问题。首先，传统的厚度为62mil的四层板，即使信号层在外层，电源和接地层在内层，电源层与接地层的间距仍然过大。

如果成本要求是第一位的，可以考虑以下两种传统4层板的替代方案。这两个方案都能改善EMI抑制的性能，但只适用於板上元件密度足够低和元件周围有足够面积（放置所要求的电源覆铜层）的场合。

第一种为首选方案，PCB的外层均为地层，中间两层均为信号/电源层。信号层上的电源用宽线走线，这可使电源电流的路径阻抗低，且信号微带路径的阻抗也低。从EMI控制的角度看，这是现有的最佳4层PCB结构。第二种方案的外层走电源和地，中间两层走信号。该方案相对传统4层板来说，改进要小一些，层间阻抗和传统的4层板一样欠佳。

如果要控制走线阻抗，上述堆叠方案都要非常小心地将走线布置在电源和接地铺铜岛的下边。另外，电源或地层上的铺铜岛之间应尽可能地互连在一起，以确保DC和低频的连接性。

6层板

如果4层板上的元件密度比较大，则最好采用6层板。但是，6层板设计中某些叠层方案对电磁场的屏蔽作用不够好，对电源汇流排瞬态信号的降低作用甚微。下面讨论两个实例。

第一例将电源和地分别放在第2和第5层，由於电源覆铜阻抗高，对控制共模EMI辐射非常不利。不过，从信号的阻抗控制观点来看，这一方法却是非常正确的。

第二例将电源和地分别放在第3和第4层，这一设计解决了电源覆铜阻抗问题，由於第1层和第6层的电磁屏蔽性能差，差模EMI增加了。如果两个外层上的信号线数量最少，走线长度很短（短於信号最高谐波波长的1/20），则这种设计可以解决差模EMI问题。将外层上的无元件和无走线区域铺铜填充并将覆铜区接地（每1/20波长为间隔），则对差模EMI的抑制特别好。如前所述，要将铺铜区与内部接地层多点相联。

通用高性能6层板设计一般将第1和第6层布为地层，第3和第4层走电源和地。由於在电源层和接地层之间是两层居中的双微带信号线层，因而EMI抑制能力是优异的。该设计的缺点在於走线层只有两层。前面介绍过，如果外层走线短且在无走线区域铺铜，则用传统的6层板也可以实现相同的堆叠。

另一种6层板布局为信号、地、信号、电源、地、信号，这可实现高级信号完整性设计所需要的环境。信号层与接地层相邻，电源层和接地层配对。显然，不足之处是层的堆叠不平衡。

这通常会给加工制造带来麻烦。解决问题的办法是将第3层所有的空白区域填铜，填铜后如果第3层的覆铜密度接近於电源层或接地层，这块板可以不严格地算作是结构平衡的电路板。填铜区必须接电源或接地。连接过孔之间的距离仍然是1/20波长，不见得处处都要连接，但理想情况下应该连接。

10层板

由於多层板之间的绝缘隔离层非常薄，所以10或12层的电路板层与层之间的阻抗非常低，只要分层和堆叠不出问题，完全可望得到优异的信号完整性。要按62mil厚度加工制造12层板，困难比较多，能够加工12层板的制造商也不多。

由於信号层和回路层之间总是隔有绝缘层，在10层板设计中分配中间6层来走信号线的方案并非最佳。另外，让信号层与回路层相邻很重要，即板布局为信号、地、信号、信号、电源、地、信号、信号、地、信号。

这一设计为信号电流及其回路电流提供了良好的通路。恰当的布线策略是，第1层沿X方向走线，第3层沿Y方向走线，第4层沿X方向走线，以此类推。直观地看走线，第1层1和第3层是一对分层组合，第4层和第7层是一对分层组合，第8层和第10层是最后一对分层组合。当需要改变走线方向时，第1层上的信号线应藉由“过孔＂到第3层以后再改变方向。实际上，也许并不总能这样做，但作为设计概念还是要尽量遵守。

同样，当信号的走线方向变化时，应该藉由过孔从第8层和第10层或从第4层到第7层。这样布线可确保信号的前向通路和回路之间的耦合最紧。例如，如果信号在第1层上走线，回路在第2层且只在第2层上走线，那么第1层上的信号即使是藉由“过孔＂转到了第3层上，其回路仍在第2层，从而保持低电感、大电容的特性以及良好的电磁屏蔽性能。

如果实际走线不是这样，怎么办？比如第1层上的信号线经由过孔到第10层，这时回路信号只好从第9层寻找接地平面，回路电流要找到最近的接地过孔（如电阻或电容等元件的接地引脚）。如果碰巧附近存在这样的过孔，则真的走运。

假如没有这样近的过孔可用，电感就会变大，电容要减小，EMI一定会增加。当信号线必须经由过孔离开现在的一对布线层到其他布线层时，应就近在过孔旁放置接地过孔，这样可以使回路信号顺利返回恰当的接地层。对於第4层和第7层分层组合，信号回路将从电源层或接地层（即第5层或第6层）返回，因为电源层和接地层之间的电容耦合良好，信号容易传输。

多电源层的设计

如果同一电压源的两个电源层需要输出大电流，则电路板应布成两组电源层和接地层。在这种情况下，每对电源层和接地层之间都放置了绝缘层。这样就得到我们期望的等分电流的两对阻抗相等的电源汇流排。如果电源层的堆叠造成阻抗不相等，则分流就不均匀，瞬态电压将大得多，并且EMI会急剧增加。

如果电路板上存在多个数值不同的电源电压，则相应地需要多个电源层，要牢记为不同的电源创建各自配对的电源层和接地层。在上述两种情况下，确定配对电源层和接地层在电路板的位置时，切记制造商对平衡结构的要求。

 总结 

鉴於大多数工程师设计的电路板是厚度62mil、不带盲孔或埋孔的传统印制电路板，本文关於电路板分层和堆叠的讨论都局限於此。厚度差别太大的电路板，本文推荐的分层方案可能不理想。此外，带盲孔或埋孔的电路板的加工制程不同，本文的分层方法也不适用。

电路板设计中厚度、过孔制程和电路板的层数不是解决问题的关键，优良的分层堆叠是保证电源汇流排的旁路和去耦、使电源层或接地层上的瞬态电压最小并将信号和电源的电磁场屏蔽起来的关键。理想情况下，信号走线层与其回路接地层之间应该有一个绝缘隔离层，配对的层间距（或一对以上）应该越小越好。根据这些基本概念和原则，才能设计出总能达到设计要求的电路板。现在，IC的上升时间已经很短并将更短，本文讨论的技术对解决EMI屏蔽问题是必不可少的。

二、用示波器测量串口波特率

如何确定时基

假如要测量的波特率为9600, 则每一比特位的时间为：1/9600 ≈ 104 μs，一般示波器横向上每个大格子里5个小格子，要想看清一比特位一般需要一个小格子就够了，则时基为：104 μs * 5 = 520 μs, 也就是说时基要500 μs。

注意：测量时选择的耦合方式为直流，边沿类型为下降沿，所测串口的电平为TTL 电平，该电平的串口在不传输数据时电平为高，靠拉低判断起始位。

下图是测9600波特率，所发数据为0x55:

所用示波器为 汉泰的 IDSO1070。从光标测量可以看出AB之间的时间为107.422 μs，和计算的104 μs 差不多。

下图为波特率9600，所发数据为0x00， 因为数据位全部是0，所以看到一直是低电平:

如何用示波器测串口波特率

前提：需要能从信号中找出一个比特位位来。

已知发送数据位0x55020000，0x55 的2进制位为10101010。

如图任意选取一比特位，用光标测量可得，时间为1.074us，频率930.909kHZ，最接近的波特率为921600, 所以所测信号的波特率为926100。

三、电容在复位电路中的作用

什么是复位

    单片机复位电路的作用是：使单片机恢复到起始状态，让单片机的程序从头开始执行，运行时钟处于稳定状态、各种寄存器、端口处于初始化状态等等。目的是让单片机能够稳定、正确的从头开始执行程序。

为什么要加复位？

    数字电路中寄存器和 RAM 在上电之后默认的状态和数据是不确定的，如果有复位，我们可以把寄存器复位到初始状态，RAM 的数据可以通过复位来触发 RAM 初始化程序逻辑如果进入了错误的状态，通过复位可以把所有的逻辑状态恢复到初始值，如果没有复位，那么逻辑可能永远运行在错误的状态。

    一些简单的IC芯片没有看门狗电路，就需要外部复位。

    好的，通过上面两段话，你了解了复位电路的作用以及为什么要加复位电路

    正常单片机和IC芯片复位都是有一个Reset引脚，给复位引脚通一定时间的高/低电平就可以实现复位。典型的51单片机当RST复位脚持续两个机器周期以上高电平就将复位。

    像我们常用的STM32F1系列 ，查阅手册得知复位引脚需要持续20us以上的低电平，就可完成复位。

  那么复位电路具体要怎么设计，一共有几种呢？我们一般分为：

• 高电平复位

• 低电平复位

• 按键复位电路

• 上电复位电路

    使电路恢复到起始状态的电路设备。

高电平上电复位

我们来看一下高电平上电复位，本质就是RC串联充电电路，在上电的瞬间，由于电容两端电压不能突变，上电后的一瞬间电容等效为短路，电容C11充电，充电电流在电阻上形成的电压为高电平；单片机复位，几个毫秒之后，电容充电完毕，电路为断路，电流为0，电阻两端电压近似于0V，这时RST就为低电平。单片机将进入正常工作状态。

    电容充电时间T/复位持续时间：

T=（1/9）*R*C

低电平上电复位

 低电平上电复位，由于电容两端电压不能突变的特性，在上电的瞬间RST端电位近似为GND，通过 10K电阻对 C11电容进行充电，此时RST复位引脚电压为低电平；单片机复位，几个毫秒之后，电容器充满，下面为断路，电流为0，电流经过电阻流入RST复位引脚， 引脚为高电平， 这时，单片机将进入正常工作状态。

    电容充电时间T/复位持续时间：

T= 9*R*C

高电平按键复位

  高电平按键复位，VCC上电时，电容C充电，此时电路导通，在10K电阻上出现电压，RST引脚为高电平，使得单片机复位;几个毫秒后，C充满，此时电路为断路，10K电阻上电流降为0，电压也为0，RST引脚为低电平，使得单片机进入工作状态。工作期间，按下按键Key，电容两端相当于短路，电容C放电，RST引脚为高电平，使得单片机复位。松开按键Key，电容C又充电，几个毫秒后，充电完成，电路断路，单片机进入工作状态。

低电平按键复位

  低电平按键复位，VCC上电时，电容C充电，此时电路导通，RST引脚为低电平，使得单片机复位;几个毫秒后，电容C充满，此时电路为断路，电流由10K电阻流入RST复位引脚，RST引脚为高电平，使得单片机进入工作状态。工作期间，按下按键Key，RST复位引脚直接跟GND导通，为低电平，电容C放电，使得单片机复位。松开按键Key，电容C又充电，几个毫秒后，充电完成，电路断路，单片机进入工作状态。

四、防反接常用单元电路

 对于平常日用的一些产品，产品在进行设计时就会考虑这个问题，顾客只是简单的利用插头进行电源的连接，所以一般采用反插错接头，这是种简单，低价而有效的方法。

    但是，对于产品处于工厂生产阶段，可能不便采用防差错接头，这可能就会造成由于生产人员的疏忽造成反接，带来损失。所以给电路增加防接反电路有时还是有必要的，尽管增加了成本。

    下面就说说常用的防反接电路：

01   最简单的在电路中串入一只二极管

优点：

    电路简单，成本较低。适用于小电流，对成本要求比较严的产品。

缺点：

    由于二极管的PN结在导通时，存在一个压降，一般在0.7V以下。这个压降就导致这种电路不适合应用在电流较大的电路中，如果电路有10A的电流，那么二极管的功耗就是0.7*10=7W，发热量还是很可观的。在结构紧凑空间有限的产品中，对产品的稳定性或人的使用感受上影响还是比较大的。

02    对于上面上面提到的二极管的压降问题，有没有办法克服呢？看下面的电路。

上面的防接反电路采用了一个保险丝和一个反向并联的二极管，电源极性正确，电路正常工作时，由于负载的存在电流较小，二极管处于反向阻断状态，保险丝不会被熔断。

    当电源接反时，二极管导通，此时的电流比较大，就会将保险丝熔断，从而切断电源的供给，起到保护负载的作用。

优点：

    保险丝的压降很小，不存在发热问题。成本不高。

缺点：

    一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。

03   正接反接都可正常工作的电路：

优点：

    输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。

缺点：

    存在两个二极管的压降。适用于小电流电路。

04  N沟道增强型场效应管防接反电路。

    由场效应管制作工艺决定了，场效应管的导通电阻比较小。是现在很常用的开关器件，特别是在大功率的场合。以TO-252封装的IRFR1205为例，其主要参数如下：Vdss=55V，Id=44A，Rds=0.027欧姆；可以看到其导通电阻只有27毫欧。

    下图就是一个用N沟道场效应管构成的防接反电路

这个电路的最大一个特点就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道的增强型的MOS管时，一般是电流由D极进入而从S极流出。应用在这个电路中时则正好相反。

    曾经在一个论坛中看到过这个电路，发布这个电路的楼主被众多网友痛批。说是DS之间存在一个二极管根本没法实现。楼主没有注明场效应管的管脚名称，由于存在一个应用场效应管的惯性思维，导致楼主蒙冤。其实场效应管只要在G和S极之间建立一个合适的电压就会完全导通。导通之后D和S之间就像是一个开关闭合了，电流是从D到S或S到D都一样的电阻。

    在电源极性正确时，电流起始时通过场效应管的稳压管导通，S极电压接近0V。两个电阻分压后，为G提供电压，使场效应管导通，因为其导通阻值很小，就把场效应管内部的二极管给替代了。

    电源反接时，场效应管内的二极管未到击穿电压不导通。分压电阻无电流流过无法提供G极电压，也不导通。从而起到保护作用。

    对于电路中并联在分压电阻上的稳压二极管，因为场效应管的输入电阻是很高的，是一个压控型器件，G极电压要控制在20V内，过高的电压脉冲会导致G极的击穿，这个稳压二极管就是起一个保护场效应管防止击穿的作用。

    对于并联在分压电阻上的电容，有一个软启动的作用。在电流开始流过的瞬间，电容充电，G极的电压是逐步建立起来的。

    对于并联在场效应管D与S之间的阻容串联电路，我感觉还是值得商榷的。阻容串联电路一般用作脉冲吸收或延时。用在这里要视负载的情况而定，加了或许反而不好。毕竟这会导致在电源在反接的时候会有一个短暂的导通脉冲。

    也可以用P沟道的场效应管，只是要将器件串在正极的输入端。这里不再描述。

五、27个模拟电路基础知识

01 基尔霍夫定理的内容是什么？

基尔霍夫电流定律：在电路任一节点，流入、流出该节点电流的代数和为零。

基尔霍夫电压定律：在电路中的任一闭合电路，电压的代数和为零。

02 戴维南定理

一个含独立源、线性电阻和受控源的二端电路 ，对其两个端子来说都可等效为一个理想电压源串联内阻的模型。

其理想电压源的数值为有源二端电路的两个端子的开路电压 ，串联的内阻为 内部所有独立源等于零时两端子间的等效电阻 。

03 三极管曲线特性

04 反馈电路的概念及应用

反馈，就是在电子系统中，把放大电路中的输出量（电流或电压）的一部分或全部，通过一定形式的反馈取样网络并以一定的方式作用到输入回路以影响放大电路输入量的过程。

反馈的类型有：电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。

负反馈对放大器性能有四种影响：

• 提高放大倍数的稳定性，由于外界条件的变化（T℃，Vcc，器件老化等），放大倍数会变化，其相对变化量越小，则稳定性越高。

• 减小非线性失真和噪声。

• 改变了放大器的输入电阻Ri和输出电阻Ro。

• 有效地扩展放大器的通频带。

电压负反馈的特点：电路的输出电压趋向于维持恒定。

电流负反馈的特点：电路的输出电流趋向于维持恒定。

引入负反馈的一般原则为：

• 为了稳定放大电路的静态工作点，应引入直流负反馈；为了改善放大电路的动态性能，应引入交流负反馈（在中频段的极性）。

• 信号源内阻较小或要求提高放大电路的输入电阻时，应引入串联负反馈；信号源内阻较大或要求降低输入电阻时，应引入并联系反馈。

• 根据负载对放大电路输出电量或输出电阻的要求决定是引入电压还是电流负反馈，若负载要求提供稳定的信号电压或输出电阻要小，则应引入电压负反馈；若负载要求提供稳定的信号电流或输出电阻要大，则应引入电流负反馈。

• 在需要进行信号变换时，应根据四种类型的负反馈放大电路的功能选择合适的组态。例如，要求实现电流——电压信号的转换时，应在放大电路中引入电压并联负反馈等。

05 有源滤波器和无源滤波器的区别

无源滤波器：这种电路主要有无源元件R、L和C组成。

有源滤波器：集成运放和R、C组成，具有不用电感、体积小、重量轻等优点。

集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高，输出电阻小，构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。

但集成运放带宽有限，所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。

06 差模信号及共模信号

两个大小相等、极性相反的一对信号称为差模信号，差动放大电路输入差模信号（uil =-ui2）时，称为差模输入。

两个大小相等、极性相同的一对信号称为共模信号，差动放大电路输入共模信号（uil =ui2）时，称为共模输入。

在差动放大器中，有用信号以差模形式输入，干扰信号用共模形式输入，那么干扰信号将被抑制的很小。

07 场效应和晶体管比较

• 在环境条件变化大的场合，采用场效应管比较合适。

• 场效应管常用来做前置放大器，以提高仪器设备的输入阻抗，降低噪声等。

• 场效应管放大能力比晶体管低。

• 工艺简单，占用芯片面积小，适宜大规模集成电路。在脉冲数字电路中获得更广泛的应用。

08 基本放大电路的组成原则

• 发射结正偏，集电结反偏。

• 输入回路的接法应该使输入信号尽量不损失地加载到放大器的输入端。

• 输出回路的接法应该使输出信号尽可能地传送到负载上。

09 实现放大的条件

• 晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏，集电结反偏。

• 正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。

• 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。

• 输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容滤波只输出交流信号。

010 功放要求

• 输出功率尽可能大

• 高效率

• 非线形失真小

• 晶体管的散热和保护

011 频率补偿

所谓频率补偿，就是指提高或降低某一特定频率的信号的强度，用来弥补信号处理过程中产生的该频率的减弱或增强，常用的有负反馈补偿、发射极电容补偿、电感补偿等。

012 放大电路的频率补偿

放大电路中频率补偿的目的有二：一是改善放大电路的高频特性；二是克服由于引入负反馈而可能出现自激振荡现象，使放大器能够稳定工作。

在放大电路中，由于晶体管结电容的存在常常会使放大电路频率响应的高频段不理想，为了解决这一问题，常用的方法就是在电路中引入负反馈。

然后，负反馈的引入又引入新的问题，那就是负反馈电路会出现自激振荡现象，所以为了使放大电路能够正常稳定工作，必须对放大电路进行频率补偿。

频率补偿的方法可以分为超前补偿和滞后补偿，主要是通过接入一些阻容元件来改变放大电路的开环增益在高频段的相频特性，目前使用最多的就是锁相环。

013 基本放大电路

放大电路的作用：放大电路是电子技术中广泛使用的电路之一，其作用是将微弱的输入信号（电压、电流、功率）不失真地放大到负载所需要的数值。

放大电路种类：

• 电压放大器：输入信号很小，要求获得不失真的较大的输出压，也称小信号放大器；

• 功率放大器：输入信号较大，要求放大器输出足够的功率，也称大信号放大器。

差分电路是具有这样一种功能的电路，该电路的输入端是两个信号的输入，这两个信号的差值，为电路有效输入信号，电路的输出是对这两个输入信号之差的放大。

设想这样一种情景，如果存在干扰信号会对两个输入信号产生相同的干扰，通过二者之差，干扰信号的有效输入为零，这就达到了抗共模干扰的目的。

014 甲类、乙类及甲乙类功放

015 试画出锁相环的方框图并简述原理

锁相：将相位锁住，把频率锁定在一个固定值上。

锁相环：将相位锁定的回路。

锁相环的组成：鉴相器PD + 分频器 + 回路滤波器LPF + 压控振荡器 VCO等。

锁相环的工作原理：

• 压控振荡器的输出经过采集并分频；

• 和基准信号同时输入鉴相器；

• 鉴相器通过比较上述两个信号的频率差，然后输出一个直流脉冲电压；

• 控制VCO，使它的频率改变；

• 这样经过一个很短的时间，VCO 的输出就会稳定于某一期望值。

基准信号：

鉴相器是一个相位比较电路，输入的基准信号和VCO输出的信号进行相位比较，输出一个代表相位差的误差信号，经过环路滤波器，滤除误差信号中的谐波和杂波成分，得到误差电压去控制VCO，使压控振荡器的频率朝减小两信号频率差和相位差的方向变化，最终使VCO的输出信号频率等于基准信号的频率。

016 零点漂移

零点漂移，就是指放大电路的输入端短路时，输出端还有缓慢变化的电压产生，即输出电压偏离原来的起始点而上下漂动。

抑制零点漂移的方法一般有：

• 采用恒温措施；

• 补偿法，采用热敏元件来抵消放大管的变化或采用特性相同的放大管构成差分放大电路；

• 采用直流负反馈稳定静态工作点；

• 在各级之间采用阻容耦合或者采用特殊设计的调制解调式直流放大器等。

017 频率响应

频率响应：通常亦称频率特性，频率响应或频率特性是衡量放大电路对不同频率输入信号适应能力的一项技术指标。

在放大电路中，由于电抗元件(如电容、电感线圈等)及晶体管极间电容的存在，当输入信号的频率过低或过高时，放大电路的放大倍数的数值均会降低，而且还将产 生相位超前或滞后现象。

也就是说，放大电路的放大倍数(或者称为增益)和输入信号频率是一种函数关系，我们就把这种函数关系成为放大电路的频率响应或频率 特性。

实质上，频率响应就是指放大器的增益与频率的关系，通常讲一个好的放大器，不但要有足够的放大倍数，而且要有良好的保真性能。

即：放大器的非线性失真要小，放大器的频率响应要好，“好”指放大器对不同频率的信号要有同等的放大。

产生频率响应的原因：一是实际放大的信号频率不是单一的；二是放大器具有电抗元件和电抗因素。

由于放大电路中存在电抗元件（如管子的极间电容，电路的负载电容、分布电容、耦合电容、射极旁路电容等），使得放大器可能对不同频率信号分量的放大倍数和相移不同。

如放大电路对不同频率信号的幅值放大不同，就会引起幅度失真；如放大电路对不同频率信号产生的相移不同就会引起相位失真。

幅度失真和相位失真总称为频率失真，由于此失真是由电路的线性电抗元件（电阻、电 容、电感等）引起的，故不称为线性失真，为实现信号不失真放大所以要需研究放大器的频率响应。

放大电路的频率响应可以用幅频特性曲线和相频特性曲线来描述，如果一个放大电路的幅频特性曲线是一条平行于x轴的直线(或在关心的频率范围内平行于x轴)。

而相频特性曲线是一条通过原点的直线或在关心的频率范围是一条通过原点的直线，那么该频率响应就是稳定的。

改变频率响应的方法主要有：

• 改变放大电路的元器件参数；

• 引入新的元器件来改善现有放大电路的频率响应；

• 在原有放大电路上串联新的放大电路构成多级放大电路。

018 晶体管工作在放大区

019 接收机为什么要加AGC电路

• 接收的信号有强弱变化，悬殊较大，若不加AGC将使输出起伏较大，影响效果。

• 为了能接收微弱信号，接收机的放大量总是做得较大，即灵敏度高，但接收强信号时，若不对通道的放大量进行调控，将产生不良后果。

020 LC正弦波振荡器

电感三点式振荡器和电容三点式振荡器。

021 差分运放进行相位补偿

随着工作频率的升高，放大器会产生附加相移，可能使负反馈变成正反馈而引起自激，进行相位补偿可以消除高频自激。

相位补偿的原理是：在具有高放大倍数的中间级，利用一小电容C（几十～几百微微法）构成电压并联负反馈电路，可以使用电容校正、RC校正分别对相频特性和幅频特性进行修改。

022 差分电路求共模分量和差模分量

设共模分量是Yc，差模分量是Yd，则可知其输出为：

Y+=Yc+Yd

Y-=Yc-Yd

023 放大器的输入电阻及输出电阻

在放大电路中，通常希望放大电路的输入电阻高，因为这样对信号源的影响小。

从放大电路的输出端看进去，放大电路可等效成一个有一定内阻的信号源，信号源的内阻为输出电阻，通常希望其值越小越好，因为这样可以提高放大器带负载的能力。

024 直流稳压电源原理

功能：

把交流电压变成稳定的大小合适的直流电压。

电源变压器: 将交流电网电压u1变为合适的交流电压u2。

整流电路: 将交流电压u2变为脉动的直流电压u3。

滤波电路: 将脉动直流电压u3转变为平滑的直流电压u4。

稳压电路: 

清除电网波动及负载变化的影响,保持输出电压uo的稳定。

025 集成运放电路的组成

偏置电路：

为各级放大电路设置合适的静态工作点，多采用恒流源电路。

输入级：常为差分放大电路，要求Ri大Ad大Ac小, 输入端耐压高，它有同相和反相两个输入端。

中间级：主放大级常为共射放大电路，多采用复合管，要求有足够的放大能力。

输出级：功率级，多采用互补功放电路或射极输出器，要求Ro小，最大不失真，输出电压尽可能大。

026 有源滤波器

027 RC振荡器的构成和工作原理

正弦波振荡电路的组成：

• 放大电路: 放大信号

• 反馈网络: 必须是正反馈，反馈信号即是放大电路的输入信号

• 选频网络: 保证输出为单一频率的正弦波即使电路只在某一特定频率下满足自己震荡条件

• 稳幅环节: 使电路能从½AuF½ >1 ，过渡到½AuF½ =1，从而达到稳幅振荡。