嵌入式~PCB专辑76

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一、总结常见模拟电路基础知识

01 基尔霍夫定理的内容是什么？

基尔霍夫电流定律：在电路任一节点，流入、流出该节点电流的代数和为零。

基尔霍夫电压定律：在电路中的任一闭合电路，电压的代数和为零。

02 戴维南定理

一个含独立源、线性电阻和受控源的二端电路 ，对其两个端子来说都可等效为一个理想电压源串联内阻的模型。

其理想电压源的数值为有源二端电路的两个端子的开路电压 ，串联的内阻为 内部所有独立源等于零时两端子间的等效电阻 。

03 三极管曲线特性

04 反馈电路的概念及应用。

反馈，就是在电子系统中，把放大电路中的输出量（电流或电压）的一部分或全部，通过一定形式的反馈取样网络并以一定的方式作用到输入回路以影响放大电路输入量的过程。

反馈的类型有：电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。

负反馈对放大器性能有四种影响：

• 提高放大倍数的稳定性，由于外界条件的变化（T℃，Vcc，器件老化等），放大倍数会变化，其相对变化量越小，则稳定性越高。

• 减小非线性失真和噪声。

• 改变了放大器的输入电阻Ri和输出电阻Ro。

• 有效地扩展放大器的通频带。

电压负反馈的特点：电路的输出电压趋向于维持恒定。

电流负反馈的特点：电路的输出电流趋向于维持恒定。

引入负反馈的一般原则为：

• 为了稳定放大电路的静态工作点，应引入直流负反馈；为了改善放大电路的动态性能，应引入交流负反馈（在中频段的极性）。

• 信号源内阻较小或要求提高放大电路的输入电阻时，应引入串联负反馈；信号源内阻较大或要求降低输入电阻时，应引入并联系反馈。

• 根据负载对放大电路输出电量或输出电阻的要求决定是引入电压还是电流负反馈，若负载要求提供稳定的信号电压或输出电阻要小，则应引入电压负反馈；若负载要求提供稳定的信号电流或输出电阻要大，则应引入电流负反馈。

• 在需要进行信号变换时，应根据四种类型的负反馈放大电路的功能选择合适的组态。例如，要求实现电流——电压信号的转换时，应在放大电路中引入电压并联负反馈等。

05 有源滤波器和无源滤波器的区别

无源滤波器：这种电路主要有无源元件R、L和C组成。

有源滤波器：集成运放和R、C组成，具有不用电感、体积小、重量轻等优点。

集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高，输出电阻小，构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。

但集成运放带宽有限，所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。

06 差模信号及共模信号

两个大小相等、极性相反的一对信号称为差模信号，差动放大电路输入差模信号（uil =-ui2）时，称为差模输入。

两个大小相等、极性相同的一对信号称为共模信号，差动放大电路输入共模信号（uil =ui2）时，称为共模输入。

在差动放大器中，有用信号以差模形式输入，干扰信号用共模形式输入，那么干扰信号将被抑制的很小。

07 场效应管和晶体管比较

• 在环境条件变化大的场合，采用场效应管比较合适。

• 场效应管常用来做前置放大器，以提高仪器设备的输入阻抗，降低噪声等。

• 场效应管放大能力比晶体管低。

• 工艺简单，占用芯片面积小，适宜大规模集成电路。在脉冲数字电路中获得更广泛的应用。

    三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

    场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。

08 基本放大电路的组成原则

• 发射结正偏，集电结反偏。

• 输入回路的接法应该使输入信号尽量不损失地加载到放大器的输入端。

• 输出回路的接法应该使输出信号尽可能地传送到负载上。

09 实现放大的条件

• 晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏，集电结反偏。

• 正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。

• 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。

• 输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容滤波只输出交流信号。

10 功放要求

• 输出功率尽可能大。

• 高效率

• 非线形失真小

• 晶体管的散热和保护

11 频率补偿

所谓频率补偿，就是指提高或降低某一特定频率的信号的强度，用来弥补信号处理过程中产生的该频率的减弱或增强，常用的有负反馈补偿、发射极电容补偿、电感补偿等。

12 放大电路的频率补偿

放大电路中频率补偿的目的有二：一是改善放大电路的高频特性；二是克服由于引入负反馈而可能出现自激振荡现象，使放大器能够稳定工作。

在放大电路中，由于晶体管结电容的存在常常会使放大电路频率响应的高频段不理想，为了解决这一问题，常用的方法就是在电路中引入负反馈。

然后，负反馈的引入又引入新的问题，那就是负反馈电路会出现自激振荡现象，所以为了使放大电路能够正常稳定工作，必须对放大电路进行频率补偿。

频率补偿的方法可以分为超前补偿和滞后补偿，主要是通过接入一些阻容元件来改变放大电路的开环增益在高频段的相频特性，目前使用最多的就是锁相环。

13 基本放大电路

放大电路的作用：放大电路是电子技术中广泛使用的电路之一，其作用是将微弱的输入信号（电压、电流、功率）不失真地放大到负载所需要的数值。

放大电路种类：

• 电压放大器：输入信号很小，要求获得不失真的较大的输出压，也称小信号放大器；

• 功率放大器：输入信号较大，要求放大器输出足够的功率，也称大信号放大器。

差分电路是具有这样一种功能的电路，该电路的输入端是两个信号的输入，这两个信号的差值，为电路有效输入信号，电路的输出是对这两个输入信号之差的放大。

设想这样一种情景，如果存在干扰信号会对两个输入信号产生相同的干扰，通过二者之差，干扰信号的有效输入为零，这就达到了抗共模干扰的目的。

14 甲类、乙类及甲乙类功放

15 试画出锁相环的方框图并简述原理

锁相：将相位锁住，把频率锁定在一个固定值上。

锁相环：将相位锁定的回路。

锁相环的组成：鉴相器PD + 分频器 + 回路滤波器LPF + 压控振荡器 VCO等。

锁相环的工作原理：

• 压控振荡器的输出经过采集并分频；

• 和基准信号同时输入鉴相器；

• 鉴相器通过比较上述两个信号的频率差，然后输出一个直流脉冲电压；

• 控制VCO，使它的频率改变；

• 这样经过一个很短的时间，VCO 的输出就会稳定于某一期望值。
  基准信号

鉴相器是一个相位比较电路，输入的基准信号和VCO输出的信号进行相位比较，输出一个代表相位差的误差信号，经过环路滤波器，滤除误差信号中的谐波和杂波成分，得到误差电压去控制VCO，使压控振荡器的频率朝减小两信号频率差和相位差的方向变化，最终使VCO的输出信号频率等于基准信号的频率。

16 零点漂移

零点漂移，就是指放大电路的输入端短路时，输出端还有缓慢变化的电压产生，即输出电压偏离原来的起始点而上下漂动。

抑制零点漂移的方法一般有：

• 采用恒温措施；

• 补偿法，采用热敏元件来抵消放大管的变化或采用特性相同的放大管构成差分放大电路；

• 采用直流负反馈稳定静态工作点；

• 在各级之间采用阻容耦合或者采用特殊设计的调制解调式直流放大器等。

17 频率响应

频率响应：通常亦称频率特性，频率响应或频率特性是衡量放大电路对不同频率输入信号适应能力的一项技术指标。

在放大电路中，由于电抗元件(如电容、电感线圈等)及晶体管极间电容的存在，当输入信号的频率过低或过高时，放大电路的放大倍数的数值均会降低，而且还将产 生相位超前或滞后现象。

也就是说，放大电路的放大倍数(或者称为增益)和输入信号频率是一种函数关系，我们就把这种函数关系成为放大电路的频率响应或频率 特性。

实质上，频率响应就是指放大器的增益与频率的关系，通常讲一个好的放大器，不但要有足够的放大倍数，而且要有良好的保真性能。

即：放大器的非线性失真要小，放大器的频率响应要好，“好”指放大器对不同频率的信号要有同等的放大。

产生频率响应的原因：一是实际放大的信号频率不是单一的；二是放大器具有电抗元件和电抗因素。

由于放大电路中存在电抗元件（如管子的极间电容，电路的负载电容、分布电容、耦合电容、射极旁路电容等），使得放大器可能对不同频率信号分量的放大倍数和相移不同。

如放大电路对不同频率信号的幅值放大不同，就会引起幅度失真；如放大电路对不同频率信号产生的相移不同就会引起相位失真。

幅度失真和相位失真总称为频率失真，由于此失真是由电路的线性电抗元件（电阻、电 容、电感等）引起的，故不称为线性失真，为实现信号不失真放大所以要需研究放大器的频率响应。

放大电路的频率响应可以用幅频特性曲线和相频特性曲线来描述，如果一个放大电路的幅频特性曲线是一条平行于x轴的直线(或在关心的频率范围内平行于x轴)。

而相频特性曲线是一条通过原点的直线或在关心的频率范围是一条通过原点的直线，那么该频率响应就是稳定的。

改变频率响应的方法主要有：

• 改变放大电路的元器件参数；

• 引入新的元器件来改善现有放大电路的频率响应；

• 在原有放大电路上串联新的放大电路构成多级放大电路。

18 晶体管工作在放大区

19 接收机为什么要加AGC电路

• 接收的信号有强弱变化，悬殊较大，若不加AGC将使输出起伏较大，影响效果。

• 为了能接收微弱信号，接收机的放大量总是做得较大，即灵敏度高，但接收强信号时，若不对通道的放大量进行调控，将产生不良后果。

20 LC正弦波振荡器

电感三点式振荡器和电容三点式振荡器

21 差分运放进行相位补偿

随着工作频率的升高，放大器会产生附加相移，可能使负反馈变成正反馈而引起自激，进行相位补偿可以消除高频自激。

相位补偿的原理是：在具有高放大倍数的中间级，利用一小电容C（几十～几百微微法）构成电压并联负反馈电路，可以使用电容校正、RC校正分别对相频特性和幅频特性进行修改。

22 差分电路求共模分量和差模分量

设共模分量是Yc，差模分量是Yd，则可知其输出为：

Y+=Yc+Yd
Y-=Yc-Yd

23 放大器的输入电阻及输出电阻

在放大电路中，通常希望放大电路的输入电阻高，因为这样对信号源的影响小。

从放大电路的输出端看进去，放大电路可等效成一个有一定内阻的信号源，信号源的内阻为输出电阻，通常希望其值越小越好，因为这样可以提高放大器带负载的能力。

24 直流稳压电源原理

功能：把交流电压变成稳定的大小合适的直流电压。

电源变压器: 将交流电网电压u1变为合适的交流电压u2。

整流电路: 将交流电压u2变为脉动的直流电压u3。

滤波电路: 将脉动直流电压u3转变为平滑的直流电压u4。

稳压电路: 清除电网波动及负载变化的影响,保持输出电压uo的稳定。

25 集成运放电路的组成

偏置电路：为各级放大电路设置合适的静态工作点，多采用恒流源电路。

输入级：常为差分放大电路，要求Ri大Ad大Ac小, 输入端耐压高，它有同相和反相两个输入端。

中间级：主放大级常为共射放大电路，多采用复合管，要求有足够的放大能力。

输出级：功率级，多采用互补功放电路或射极输出器，要求Ro小，最大不失真，输出电压尽可能大。

26 有源滤波器

一阶有源低通滤波器和一阶有源高通滤波器。

27 RC振荡器的构成和工作原理

正弦波振荡电路的组成：

• 放大电路: 放大信号

• 反馈网络: 必须是正反馈，反馈信号即是放大电路的输入信号

• 选频网络: 保证输出为单一频率的正弦波即使电路只在某一特定频率下满足自己震荡条件

• 稳幅环节: 使电路能从½AuF½ >1 ，过渡到½AuF½ =1，从而达到稳幅振荡。

二、单片机中晶振的工作原理

晶振在单片机中是必不可少的元器件，只要用到CPU的地方就必定有晶振的存在，那么晶振是如何工作的呢？

什么是晶振

    晶振一般指晶体振荡器，晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下的薄片，简称为晶片。

    石英晶体谐振器，简称为石英晶振（Crystal oscillator），如下图椭圆物体。

而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

晶振工作原理

    石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片，在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

    若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。

  如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时晶片的机械振动又会产生交变电场。

    在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。

    当晶体不振动时，可把它看成一个平板电容器称为静电电容C，它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关，一般约几个皮法到几十皮法。当晶体振荡时，机械振动的惯性可用电感L来等效。

    一般L的值为几十豪亨到几百豪亨。晶片的弹性可用电容C来等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1皮法。晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R来等效，它的数值约为100欧。

    由于晶片的等效电感很大，而C很小，R也小，因此回路的品质因数Q很大，可达1000～10000。加上晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方式、几何形状、尺寸有关，而且可以做得精确，因此利用石英谐振器组成的振荡电路可获得很高的频率稳定度。

    计算机都有个计时电路，尽管一般使用“时钟”这个词来表示这些设备，但它们实际上并不是通常意义的时钟，把它们称为计时器可能更恰当一点。

    计算机的计时器通常是一个精密加工过的石英晶体，石英晶体在其张力限度内以一定的频率振荡，这种频率取决于晶体本身如何切割及其受到张力的大小。有两个寄存器与每个石英晶体相关联，一个计数器和一个保持寄存器。

    石英晶体的每次振荡使计数器减1。当计数器减为0时，产生一个中断，计数器从保持寄存器中重新装入初始值。这种方法使得对一个计时器进行编程，令其每秒产生60次中断（或者以任何其它希望的频率产生中断）成为可能。每次中断称为一个时钟嘀嗒。

晶振在电气上可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率为串联谐振，较高的频率为并联谐振。

    由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。

    这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变化。

    晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。

    一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。

    一般的晶振的负载电容为15皮或12.5皮，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22皮的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。

三、搞懂时域与频域的关系

频域和时域分析是分析信号的基本方法，是从不同的角度来描述信号的特性。信号的特性可以在时域上和频率域上得到反映。

1 信号的基本分析方法

谈到频域和时域关系，我们先从信号的基本分析方法讲起。传统上对无线、有线通讯信号的分析方法从三个域上划分：时域、频域和调制域。调制域是分析信号频率（或相位）随时间的变化。

频域测量

宽频率范围信号搜索
信号杂散测试
信号功率参数
信号占用频率带宽

时域测量

信号变化过程

解调测量

信号调制参数
信号调制精度

解调测量是对调制信号的幅相及频率变化进行测量的一种手段，是从另一个角度分析信号，和传统的三个域（及对应的示波器、频谱仪和调制域分析仪）有所不同，解调测量的概念对应的是矢量信号分析仪。

2 频域和时域的关系

时域(Time domain) ：分析信号参数随时间变化过程。时域是信号在时间轴随时间变化的总体概括。在时域中，将信号的所有频率分量相加并显示。

频域(Frequency domain)：分析信号包含的频率成分。各频率分量的频率和功率参数。在频域中，复数信号（即，由一个以上频率组成的信号）被分离成它们的频率分量，并显示每个频率的电平。

因为信号不仅随时间变化，还与频率、相位等信息有关，这就需要进一步分析信号的频率结构，并在频率域中对信号进行描述。动态信号从时间域变换到频率域主要通过傅立叶级数和傅立叶变换等来实现。

很简单时域分析的函数是参数是t，也就是y=f(t)，频域分析时，参数是w，也就是y=F(w)两者之间可以互相转化。时域函数通过傅立叶或者拉普拉斯变换就变成了频域函数。

四、如何理解电容、电感产生的相位差

 对于正弦信号，流过一个元器件的电流和其两端的电压，它们的相位不一定是相同的。这种相位差是如何产生的呢？这种知识非常重要，因为不仅放大器、自激振荡器的反馈信号要考虑相位，而且在构造一个电路时也需要充分了解、利用或避免这种相位差。下面探讨这个问题。

    首先，要了解一下一些元件是如何构建出来的；其次，要了解电路元器件的基本工作原理；第三，据此找到理解相位差产生的原因；第四，利用元件的相位差特性构造一些基本电路。 

电阻、电感、电容的诞生过程

    科学家经过长期的观察、试验，弄清楚了一些道理，也经常出现了一些预料之外的偶然发现，如伦琴发现X射线、居里夫人发现镭的辐射现象，这些偶然的发现居然成了伟大的科学成就。电子学领域也是如此。

    科学家让电流流过导线的时候，偶然发现了导线发热、电磁感应现象，进而发明了电阻、电感。科学家还从摩擦起电现象得到灵感，发明了电容。发现整流现象而创造出二极管也是偶然。

元器件的基本工作原理

    电阻——电能→热能

    电感——电能→磁场能，&磁场能→电能

    电容——电势能→电场能，&电场能→电流

    由此可见，电阻、电感、电容就是能源转换的元件。电阻、电感实现不同种类能量间的转换，电容则实现电势能与电场能的转换。

电阻

    电阻的原理是：电势能→电流→热能。

    电源正负两端贮藏有电势能（正负电荷），当电势加在电阻两端，电荷在电势差作用下流动——形成了电流，其流动速度远比无电势差时的乱序自由运动快，在电阻或导体内碰撞产生的热量也就更多。

    正电荷从电势高的一端进入电阻，负电荷从电势低的一端进入电阻，二者在电阻内部进行中和作用。中和作用使得正电荷数量在电阻内部呈现从高电势端到低电势端的梯度分布，负电荷数量在电阻内部呈现从低电势端到高电势端的梯度分布，从而在电阻两端产生了电势差，这就是电阻的电压降。同样电流下，电阻对中和作用的阻力越大，其两端电压降也越大。

    因此，用R=V/I来衡量线性电阻（电压降与通过的电流成正比）的阻力大小。

对交流信号则表达为R=v(t)/i(t)。

    注意，也有非线性电阻的概念，其非线性有电压影响型、电流影响型等。

电感

    电感的原理：电感——电势能→电流→磁场能，&磁场能→电势能（若有负载，则→电流）。

    当电源电势加在电感线圈两端，电荷在电势差作用下流动——形成了电流，电流转变磁场，这称为“充磁”过程。若被充磁电感线圈两端的电源电势差撤销，且电感线圈外接有负载，则磁场能在衰减的过程中转换为电能（如负载为电容，则为电场能；若负载为电阻，则为电流），这称为“去磁”过程。

    衡量电感线圈充磁多少的单位是磁链——Ψ。电流越大，电感线圈被冲磁链就越多，即磁链与电流成正比，即Ψ=L*I。对一个指定电感线圈，L是常量。

    因此，用L=Ψ/I表达电感线圈的电磁转换能力，称L为电感量。电感量的微分表达式为：L=dΨ(t)/di(t)。

    根据电磁感应原理，磁链变化产生感应电压，磁链变化越大则感应电压越高，即v(t)=d dΨ(t)/dt。

    综合上面两公式得到：v(t)=L*di(t)/dt，即电感的感应电压与电流的变化率（对时间的导数）成正比，电流变化越快则感应电压越高。

电容

    电容的原理：电势能→电流→电场能，电场能→电流。

    当电源电势加在电容的两个金属极板上，正负电荷在电势差作用下分别向电容两个极板聚集而形成电场，这称为“充电”过程。若被充电电容两端的电源电势差撤销，且电容外接有负载，则电容两端的电荷在其电势差下向外流走，这称为“放电”过程。电荷在向电容聚集和从电容两个极板向外流走的过程中，电荷的流动就形成了电流。

    要特别注意，电容上的电流并不是电荷真的流过电容两个极板间的绝缘介质，而只是充电过程中电荷从外部向电容两个极板聚集形成的流动，以及放电过程中电荷从电容两个极板向外流走而形成的流动。也就是说，电容的电流其实是外部电流，而非内部电流，这与电阻、电感都不一样。

    衡量电容充电多少的单位是电荷数——Q。电容极板间电势差越大，说明电容极板被冲电荷越多，即电荷数与电势差（电压）成正比，即Q=C*V。对指定电容，C是常量。

    因此，用C=Q/V表达电容极板贮存电荷的能力，称C为电容量。

    电容量的微分表达式为：C=dQ(t)/dv(t)。

    因为电流等于单位时间内电荷数的变化量，即i(t)=dQ(t)/dt，综合上面两个公式得到：i(t)=C*dv(t)/dt，即电容电流与其上电压的变化率（对时间的导数）成正比，电压变化越快则电流越大。

小结：v(t)=L*di(t)/dt

    表明电流变化形成了电感的感应电压（电流不变则没有感应电压形成）。

i(t)=C*dv(t)/dt表明电压变化形成了电容的外部电流（实际是电荷量变化。电压不变则没有电容的外部电流形成）。

元件对信号相位的改变

    首先要提醒，相位的概念是针对正弦信号而言的，直流信号、非周期变化信号等都没有相位的概念。

电阻上的电压电流同相位

    因为电阻上电压v(t)=R*i(t)，若i(t)=sin(ωt+θ)，则v(t)=R* sin(ωt+θ)。所以，电阻上电压与电流同相位。

电感上的电流落后电压90°相位

    因为电感上感应电压v(t)=L*di(t)/dt，若i(t)=sin(ωt+θ)，则v(t)=L*cos(ωt+θ)。 所以，电感上电流落后感应电压90°相位，或者说感应电压超前电流90°相位。

    直观理解：设想一个电感与电阻串联充磁。从充磁过程看，充磁电流的变化引起磁链的变化，而磁链的变化又产生感应电动势和感应电流。根据楞次定律，感应电流方向与充磁电流相反，延缓了充磁电流的变化，使得充磁电流相位落后于感应电压。

电容上的电流超前电压90°相位

    因为电容上电流i(t)=C*dv(t)/dt，若v(t)=sin(ωt+θ)，则i(t)=L*cos(ωt+θ)。

所以，电容上电流超前电压90°相位，或者说电压落后电流90°相位。

    直观理解：设想一个电容与电阻串联充电。从充电过程看，总是先有流动电荷（即电流）的积累才有电容上的电压变化，即电流总是超前于电压，或者说电压总是落后于电流。

    下面的积分方程能体现这种直观性：

v(t)=(1/C)*∫i(t)*dt=(1/C)*∫dQ(t)，即电荷变化的积累形成了电压，故dQ(t)相位超前v(t)；而电荷积累的过程就是电流同步变化的过程，即i(t)与dQ(t)同相。因此i(t)相位超前于v(t)。

元件相位差的应用

RC文氏桥、LC谐振过程的理解

    无论RC文氏桥，还是LC的串联谐振、并联谐振，都是由电容或/和电感容元件的电压、电流相位差引起的，就像机械共振的节拍一样。

    当两个频率相同、相位相位的正弦波叠加时，叠加波的幅度达到最大值，这就是共振现象，在电路里称为谐振。

    两个频率相同、相位相反的正弦波叠加，叠加波的幅度会降到最低，甚至为零。这就是减小或吸收振动的原理，如降噪设备。

    当一个系统中有多个频率信号混合时，如果有两个同频信号产生了共振，那么这个系统中其它振动频率的能量就被这两个同频、同相的信号所吸收，从而起到了对其它频率的过滤作用。这就是电路中谐振过滤的原理。

    谐振需要同时满足频率相同和相位相同两个条件。电路如何通过幅度-频率特性选择频率的方法以前在RC文氏桥中讲过，LC串并联的思路与RC相同，这里不再赘述。

    下面我们来看看电路谐振中相位补偿的粗略估计（更精确的相位偏移则要计算）

RC文氏桥的谐振（图1） 

    若没有C2，正弦信号Uo的电流由C1→R1→R2，通过R2上压降形成Uf输出电压。由于支路电流被电容C1移相超前Uo 90°，这超前相位的电流流过R2（电阻不产生相移！），使得输出电压Uf电压超前于Uo 90°。 

    在R2上并联C2，C2从R2取得电压，由于电容对电压的滞后作用，使得R2上电压也被强制滞后。（但不一定有90°，因为还有C1→R1→C2电流对C2上电压即Uf的影响，但在RC特征频率上，并联C2后Uf输出相位与Uo相同。） 

    小结：并联电容使得电压信号相位滞后，称为电压相位的并联补偿。

LC并联谐振（图2） 

    若没有电容C，正弦信号u通过L感应到次级输出Uf，Uf电压超前于u 90°；在L初级并联电容C，由于电容对电压的滞后作用，使得L上电压也被强制滞后90°。因此，并联C后Uf输出相位与u相同。

LC串联谐振（图3） 

    对于输入正弦信号u，电容C使得串联回路中负载R上的电流相位超前于u 90°，电感L则使得同一串联回路中的电流相位再滞后90°二者相位偏移刚好抵消。因此，输出Uf与输入u同相。

总结

    注意，相位影响不一定都是90°，与其它部分相关，具体则要计算。 

• 串联电容使得串联支路电流相位超前，从而影响输出电压相位。

• 并联电容使得并联支路电压相位滞后，从而影响输出电压相位。

• 串联电感使得串联支路电流相位滞后，从而影响输出电压相位。

• 并联电感使得并联支路支路电压超前，从而影响输出电压相位。 

    更简洁的记忆： 

    在元件上的电流或电压，电容使电流相位超前，电感使电压相位超前。