关于AT28C64这款8,192字×8位非易失性电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的数据手册,由Atmel公司生产。以下是文档的翻译内容和详细解读:
特性
- 快速读取访问时间 - 120纳秒
- 快速字节写入 - 200微秒或1毫秒
- 自定时字节写入周期
- 内部地址和数据锁存器
- 内部控制计时器
- 自动清除前写入
- 直接微处理器控制
- 准备/忙开漏输出
- 数据极性检测
- 低功耗 - 30毫安活动电流 - 100微安CMOS待机电流
- 高可靠性 - 耐用性:104或105周期 - 数据保持:10年
- 5V ± 10%电源供应
- CMOS和TTL兼容的输入输出
- JEDEC批准的字节宽引脚排列
- 商业和工业温度范围
描述
AT28C64是一款低功耗、高性能的8,192字×8位非易失性电可擦除可编程只读存储器,具有受欢迎且易于使用的特性。该设备采用Atmel可靠的非易失性技术制造。
引脚配置
文档提供了不同封装类型的AT28C64的引脚配置图,包括TSOP、LCC、PLCC和PDIP。引脚包括地址引脚(A0-A12)、片选使能(CE)、输出使能(OE)、写使能(WE)、数据输入/输出引脚(I/O0-I/O7)以及准备/忙输出(RDY/BUSY)。
绝对最大额定值
文档列出了设备在不同条件下的绝对最大额定值,包括温度、输入电压、输出电压等。这些值是设备能够承受的最大应力,超过这些值可能会对设备造成永久性损坏。
设备操作
- 读取:AT28C64的读取操作类似于静态RAM。当CE和OE为低电平,WE为高电平时,存储在地址引脚确定的内存位置的数据会被输出。
- 字节写入:写入数据到AT28C64类似于写入静态RAM。在WE或CE输入上施加低电平脉冲,同时OE为高电平,CE或WE为低电平(分别),启动字节写入。地址位置在WE(或CE)的下降沿锁存,新数据在上升沿锁存。设备内部执行自清除前写入。一旦启动字节写入,它将自动计时完成。
- 快速字节写入:AT28C64E提供最大200微秒的字节写入时间。这个特性允许整个设备在1.6秒内被重写。
- 准备/忙输出:第1脚是开漏的准备/忙输出,可以用来检测写入周期的结束。准备/忙在写入周期期间被主动拉低,并在写入完成后释放。开漏连接允许多个设备连接到同一准备/忙线。AT28C64X的准备/忙引脚未连接。
- 数据极性检测:AT28C64提供数据极性检测来指示写入周期的完成。在写入周期期间,尝试读取正在写入的数据会导致I/O7上的数据显示为补码(其他输出不确定)。
图表解读
- AC Read Waveforms:展示了读取操作的时序图,包括地址到输出延迟、CE到输出延迟等。
- AC Write Waveforms:展示了写入操作的时序图,包括地址和OE设置时间、写脉冲宽度、数据设置时间等。
- Chip Erase Waveforms:展示了芯片擦除操作的时序图,包括擦除时间、高电平时间等。
- Data Polling Characteristics:提供了数据极性检测特性的参数,包括数据保持时间、OE保持时间等。
封装信息
文档包含了PLCC、PDIP、SOIC和TSOP封装类型的详细尺寸和引脚排列图。