AT28C64

关于AT28C64这款8,192字×8位非易失性电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）的数据手册，由Atmel公司生产。以下是文档的翻译内容和详细解读：

特性

• 快速读取访问时间 - 120纳秒
• 快速字节写入 - 200微秒或1毫秒
• 自定时字节写入周期
• 内部地址和数据锁存器
• 内部控制计时器
• 自动清除前写入
• 直接微处理器控制
• 准备/忙开漏输出
• 数据极性检测
• 低功耗 - 30毫安活动电流 - 100微安CMOS待机电流
• 高可靠性 - 耐用性：10^4或105周期 - 数据保持：10年
• 5V ± 10%电源供应
• CMOS和TTL兼容的输入输出
• JEDEC批准的字节宽引脚排列
• 商业和工业温度范围

描述

AT28C64是一款低功耗、高性能的8,192字×8位非易失性电可擦除可编程只读存储器，具有受欢迎且易于使用的特性。该设备采用Atmel可靠的非易失性技术制造。

引脚配置

文档提供了不同封装类型的AT28C64的引脚配置图，包括TSOP、LCC、PLCC和PDIP。引脚包括地址引脚（A0-A12）、片选使能（CE）、输出使能（OE）、写使能（WE）、数据输入/输出引脚（I/O0-I/O7）以及准备/忙输出（RDY/BUSY）。

绝对最大额定值

文档列出了设备在不同条件下的绝对最大额定值，包括温度、输入电压、输出电压等。这些值是设备能够承受的最大应力，超过这些值可能会对设备造成永久性损坏。

设备操作

• 读取：AT28C64的读取操作类似于静态RAM。当CE和OE为低电平，WE为高电平时，存储在地址引脚确定的内存位置的数据会被输出。
• 字节写入：写入数据到AT28C64类似于写入静态RAM。在WE或CE输入上施加低电平脉冲，同时OE为高电平，CE或WE为低电平（分别），启动字节写入。地址位置在WE（或CE）的下降沿锁存，新数据在上升沿锁存。设备内部执行自清除前写入。一旦启动字节写入，它将自动计时完成。
• 快速字节写入：AT28C64E提供最大200微秒的字节写入时间。这个特性允许整个设备在1.6秒内被重写。
• 准备/忙输出：第1脚是开漏的准备/忙输出，可以用来检测写入周期的结束。准备/忙在写入周期期间被主动拉低，并在写入完成后释放。开漏连接允许多个设备连接到同一准备/忙线。AT28C64X的准备/忙引脚未连接。
• 数据极性检测：AT28C64提供数据极性检测来指示写入周期的完成。在写入周期期间，尝试读取正在写入的数据会导致I/O7上的数据显示为补码（其他输出不确定）。

图表解读

• AC Read Waveforms：展示了读取操作的时序图，包括地址到输出延迟、CE到输出延迟等。
• AC Write Waveforms：展示了写入操作的时序图，包括地址和OE设置时间、写脉冲宽度、数据设置时间等。
• Chip Erase Waveforms：展示了芯片擦除操作的时序图，包括擦除时间、高电平时间等。
• Data Polling Characteristics：提供了数据极性检测特性的参数，包括数据保持时间、OE保持时间等。

封装信息

文档包含了PLCC、PDIP、SOIC和TSOP封装类型的详细尺寸和引脚排列图。