CY7C138AV/144AV/006AV、CY7C139AV/145AV/016AV和CY7C007AV/017AV

这份文件是关于Cypress Semiconductor Corporation生产的一系列3.3V 4K/8K/16K/32K x 8/9双端口静态随机存取存储器（SRAM）的初步数据手册。这些存储器型号包括CY7C138AV/144AV/006AV、CY7C139AV/145AV/016AV和CY7C007AV/017AV。以下是对文档内容的详细解读和翻译。

产品特性

- **真正的双端口存储单元**：允许同时访问同一存储位置。
- **存储组织**：提供4K/8K/16K/32K x 8和4K/8K/16K/32K x 9两种组织方式。
- **0.35微米CMOS工艺**：优化速度和功耗。
- **高速访问时间**：20/25纳秒。
- **低功耗**：活动模式下ICC = 115 mA（典型值），待机模式下ISB3 = 10 µA（典型值）。
- **完全异步操作**：无需同步信号。
- **自动功耗降低**：每个端口都有独立的功耗降低控制。
- **数据总线可扩展**：使用主/从芯片选择信号，可以扩展到16/18位或更多。
- **片上仲裁逻辑**：用于处理多个处理器访问同一数据的情况。
- **信号量包含**：允许端口间的软件握手。
- **中断标志**：用于端口间通信。
- **主/从选择**：通过M/S引脚实现。
- **商业和工业温度范围**：适用于不同环境。
- **封装类型**：68引脚PLCC、64引脚TQFP和80引脚TQFP。
- **引脚兼容**：与IDT70V05、70V06和70V07引脚兼容。

功能描述

功能描述部分详细介绍了Cypress Semiconductor Corporation生产的双端口静态随机存取存储器（SRAM）的特性和操作方式。以下是对功能描述部分的更详细解读：

### 存储器组织和访问
- **双端口设计**：这些SRAM设备具有两个独立的端口，允许同时进行读写操作，而不会相互干扰。这意味着两个不同的处理器或系统可以同时访问存储器的不同部分，或者同一个处理器可以同时从两个不同的地址读取或写入数据。
- **存储单元大小**：提供了不同大小的存储单元，包括4K、8K、16K和32K x 8/9位。这为用户提供了灵活的选择，以满足不同的存储需求和系统设计要求。
- **地址和数据线**：每个端口都有独立的地址线和数据线，使得每个端口都可以独立地访问存储器中的任何位置。

### 仲裁和信号量
- **仲裁逻辑**：设备内置了仲裁逻辑，用于处理多个处理器尝试同时访问同一数据的情况。这确保了数据的一致性和系统的稳定性。
- **信号量**：包括信号量逻辑，允许软件控制对共享资源的访问。信号量是一种同步机制，用于防止多个进程同时访问同一资源，从而避免冲突和数据损坏。

### 中断和通信
- **中断标志**：每个端口都有一个中断标志（INT），用于端口之间的通信或与系统的其他部分通信。当一个端口向另一个端口写入数据时，可以触发中断，通知另一个端口有新的数据到来。
- **忙碌标志**：每个端口都有一个忙碌标志（BUSY），当一个端口尝试访问的地址正被另一个端口访问时，忙碌标志会被激活。这可以防止数据冲突，并确保数据的完整性。

### 操作模式
- **独立访问**：每个端口都可以独立地进行读写操作，无需等待另一个端口完成操作。
- **主/从配置**：通过M/S（主/从选择）引脚，设备可以配置为主设备或从设备。在主设备中，忙碌标志是输出，而在从设备中，忙碌标志是输入。这允许多个设备通过链式连接来扩展存储器的宽度。

### 功耗管理
- **自动功耗降低**：每个端口都可以通过芯片使能（CE）引脚独立地进入功耗降低模式。当不需要访问存储器时，可以通过降低功耗来延长电池寿命或减少能耗。

### 应用领域
这些SRAM设备适用于多种应用场景，包括多处理器/多处理器设计、通信状态缓冲、双端口视频/图形存储器等。它们提供了高速度、低功耗和灵活的操作模式，使其成为需要快速、可靠数据访问的应用的理想选择。

总的来说，这些SRAM设备提供了高度灵活和可靠的存储解决方案，适用于需要高速数据访问和多端口操作的各种应用。	

引脚配置

引脚配置部分详细列出了不同型号的SRAM的物理引脚布局和功能。以下是一些关键引脚的描述：

- **A0L/A0R 至 A14L/A14R**: 地址引脚，用于指定存储器中的访问地址。对于不同大小的设备，地址引脚的数量会有所不同，例如4K设备使用A0至A11，8K设备使用A0至A12，16K设备使用A0至A13，32K设备使用A0至A14。
- **I/O0L/I/O0R 至 I/O7L/I/O7R**: 数据总线输入/输出引脚。对于x8组织（8位数据宽度）的设备，使用I/O0至I/O7；对于x9组织（9位数据宽度）的设备，使用I/O0至I/O8。
- **CEL/CER**: 芯片使能引脚，用于激活或关闭存储器的访问。
- **OEL/OER**: 输出使能引脚，用于控制数据输出的启用和禁用。
- **R/WL/R/WR**: 读/写使能引脚，用于指定操作是读取还是写入。
- **BUSYL/BUSYR**: 忙碌标志引脚，指示端口是否正在尝试访问当前被另一端口访问的位置。
- **INTL/INTR**: 中断标志引脚，用于端口间或系统间的通信。
- **SEML/SEMR**: 信号量使能引脚，用于软件握手，控制共享资源的访问。
- **M/S**: 主/从选择引脚，用于配置设备作为主设备或从设备。
- **VCC**: 电源引脚，连接到正电源。
- **GND**: 地线引脚，连接到电路的公共地。
- **NC**: 无连接引脚，通常用于兼容不同封装或设备。

电气特性

电气特性部分提供了存储器在特定电源电压和温度范围内的电气性能参数。以下是一些关键的电气特性：

- **VOH (输出高电平电压)**: 存储器输出高电平时的电压，VCC = 3.3V时，最小值为2.4V。
- **VOL (输出低电平电压)**: 存储器输出低电平时的电压，最小值为0.4V。
- **VIH (输入高电平电压)**: 存储器输入高电平时的电压，最小值为2.0V。
- **VIL (输入低电平电压)**: 存储器输入低电平时的电压，最小值为0.8V。
- **IOZ (输出漏电流)**: 存储器输出端口在低电平时的漏电流，最大值为10 µA。
- **ICC (操作电流)**: 存储器在活动模式下的最大操作电流，商业级设备为120至175 mA，工业级设备为140至195 mA。
- **ISB1至ISB4 (待机电流)**: 存储器在不同待机模式下的最大电流，包括TTL电平、CMOS电平和单端口CMOS电平。

操作范围

操作范围部分描述了存储器在不同环境温度和供电电压下的工作条件。以下是一些关键的操作范围参数：

- **环境温度**: 商业级设备的工作温度范围为0°C至+70°C，工业级设备的工作温度范围为-40°C至+85°C。
- **VCC (供电电压)**: 存储器的供电电压范围为3.3V ± 300mV。

这些参数对于确保存储器在特定应用中的可靠性和性能至关重要。设计工程师需要根据这些特性来选择合适的存储器，并确保其在系统设计中的兼容性和稳定性。

结论

这份初步数据手册为工程师和设计师提供了关于Cypress Semiconductor Corporation生产的双端口SRAM的详细信息，包括其特性、功能描述、引脚配置、电气特性、操作范围和订购信息。这些信息对于在设计中选择合适的存储器组件至关重要。