整理学习的项目

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1. LDO DC/DC电源的工作原理和区别；

2. 二极管的分类和差异

3. 三极管 MOS管的分类和差异

4. 锂离子电池 charger的工作原理

5. 电容的分类和差异
   上面这些是设计中用到的基本的器件，针对每一项写一个PPT，学习一下，后面做设计和调试的时候会方便些。

6. LDO DC/DC电源的工作原理和区别
   LDO：Low Dropout Regulator，低压差线性稳压器。
   基本电路组成：串联调整管(VT), 取样电阻(R1,R2), 比较放大器(A)
   基本工作原理：取样电压加在比较器A的同相输入端，与加在反相输入端的基准电压Uref相比较，两者的差值经放大器A放大后，控制串联调整管的压降，从而稳定输出电压。当输出电压Uout降低时，基准电压与取样电压的差值增加，比较放大器输出的驱动电流增加，串联调整管压降减小，从而使输出电压升高。相反，若输出电压Uout超过所需要的设定值，比较放大器输出的前驱动电流减小，从而使输出电压降低。供电过程中，输出电压校正连续进行，调整时间只受比较放大器和输出晶体管回路反应速度的限制。
   

串联调整管VT工作在线性区时相当于一个可变电阻。

注：VT是PNP型，参考电压要大于采样电压。实际LDO还会加入其它功能，比如负载短路保护，过压关断，过热关断，反接保护等，而且串联调整管也可以采用MOSFET。

工作原理：
下图是根据实物剖析而来，电源经D2、R1为IC1提供+12V左右的电压，6脚输出脉冲经C4和变压器耦合后驱动Q1振荡，当Q1导通后输出电流通过L经C9滤波后向负载供电，当Q1截止时，变压器式电感B3磁能转变为电能，其极性左负右正，续流二极管D4导通，电流通过二极管继续向负载供电，使负载得到平滑的直流，当输出电压过低或过高时，从电阻R11、R10、R9组成的分压电路中得到取样电压送到IC1 2脚与内部2.5V基准电压比较后控制Q1导通脉宽，从而使输出电压得到稳定。当负载电流发生短路或超过8A时，IC1 3脚电压的上升会控制脉宽使Q1截止，以确保Q1的安全。
C8和R7构成振荡时间常数，本电路的振荡频率为65KHz，其计算公式为下：
2. 二极管的分类和差异

二极管是一种只允许电流由单一方向流过具有两个电极的装置，许多的使用都是应用其整流的功能
二极管按作用可以分为:
整流二极管，肖特基二极管，稳压二极管，快恢复二极管，发光二极管，
整流二极管：
整流二极管的特性是工作频率低，允许通过的正向电流比较大、反向击穿电压高、允许的工作的温度高。整流二极管的作用是将交流变为直流。国产的整流二极管有2ZD系列，进口的二极管有IN4001、IN5401等系列。
肖特基二极管：
一般二极管是以半导体-半导体产生PN接触面；从导通压降上来看，一般二极管的导通压降为0.7-1.3V，而肖特基二极管的导通压降只有 0.15-0.45V，这极大地提高了系统的效率；肖特基二极管与一般二极管的最大差异在于反向恢复时间，一般二极管的反向恢复时间大概是几百纳秒，高速 二极管的恢复时间大概在一百纳秒以下，肖特基二极管的恢复时间大概是几十ps，这点时间是可以忽略不计的，快恢复特性使系统减小了EMI干扰并且提高了系 统的效率。但是肖特基二极管也有一些缺点，比如：能承受的反向偏压较低，一般低于200V，不过现在貌似已近有上千伏的出现，反向漏电流较大，受温度的影 响也比较大。所以适用于低功耗、高频的应用场合。
应用：肖特基二极管可以用在低压、大电流的整流、续流畅场合。
稳压二极管：
稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时电压基本不随电流变化的特点，来达到稳压的目的，因为它在电路中起到稳压的目的，故称之为稳压二极管。
快恢复二极管:
快恢复二极管具有开关特性好、反向恢复时间短、正向电流大等特性。可作高频、大电流的整流、续流二极管、在开关电源、脉宽调制器、不间断电源等电子设备中得到广泛的应用。
发光二极管：
用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小、正向驱动发光。工作电压低、工作电流小。发光均匀、寿命长，可发红、黄、绿单色光。

3. 三极管 MOS管的分类和差异
   在三极管中空穴和自由电子都参与导电，称为双极性器件，用BJT表示。三极管分为NPN型三极管和PNP型三极管两种类型，三极管是电流控制性元器件，价格较低，功耗较大，常用在数字电路开关控制。
   场效应管只有多子导电，称为单极型器件，用FET表示。由于多子的浓度不受外界温度、光照、辐射的影响，在环境变化剧烈的条件下选择FET比较合适。MOS管分为P沟道型MOS管和N沟道型MOS管之分
   在放大状态工作时,三极管发射结正偏，有基极电流,为电流控制器件，相应的输入电阻较小，约103Ω；FET在放大状态工作时无栅极电流，为电压控制器件，输入电阻很大，JFET的输入电阻大于107Ω，MOS管的输入电阻大于109Ω。
   场效应管的源极和漏极在结构上对称，可以互换使用，但应注意有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接，使用时就不能互换。对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零，使用时比较灵活。三极管的集电极和发射极一般不能互换使用。

4. 电容的分类和差异
   （1）贴片电容可分为无极性和有极性两种，容值范围从0.22pF-100uF
   1、无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603；
   英制尺寸 公制尺寸 长度 宽度 厚度
   0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05s
   0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10
   0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20
   1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20
   1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30
   1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00
   1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50
   2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50
   3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00
   一般容值越小，耐压值可做到越大，常见耐压有6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、 4000V。
   2、有极性电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D四个系列，具体如下：
   类型 封装形式 耐压
   A 3216 10V
   B 3528 16V
   C 6032 25V
   D 7343 35V
   2）常用电容的标识精度级别
   B+_0.1% C+_0.25% D+_0.5% F+_1% G+_2% J+_5% K+_10% M+_20% N+_30%
   3）各种贴片电容的特性
   贴片电容的材料常规分为三种，NPO,X7R,，X5R，Y5V，钽电容
   NPO 此种材质电性能最稳定，几乎不随温度，电压和时间的变化而变化，适用于低损耗，稳定性要求要的高频电路。容量精度在5％左右，但选用这种材质只能做容量较小的，常规100PF 以下，100PF至 1000PF 也能生产但价格较高 。
   X7R 此种材质比NPO 稳定性差，但容量做的比NPO 的材料要高，耐压高，容量精度在10％左右，电容量一般在100pF～2.2F之间。
   Y5V 此类介质的电容，其稳定性较差，容量偏差在20％左右，对温度电压较敏感，但这种材质能做到很高的容量，而且价格较低，适用于温度变化不大的电路中。电容量范围较大，一般为1000pF～100F。
   X5R容量小，体积小，适用于计算机、电源和汽车电路中退耦、输出滤波等应用。
   钽电容 体积小、容量大、漏电流低、使用寿命长、综合性能优异，是最优秀的电容器，不仅在常规条件下比陶瓷、铝、薄膜等其它电容器体积小、容量高、功能稳定，而且能在许多为其它电容器所不能胜任的严峻条件下正常工作。广泛用于高频滤波像HI-FI系统。