基于LM2733升压电路设计

简介

LM2733是TI公司的具有40V内部FET开关的升压变换器，其封装为SOT-23极小封装器件，开关频率有0.6MHz和1.6MHz两个版本，该芯片具有如下特性。

• 40V DMOS FET 开关

• 1.6MHz（"X"） 、 0.6MHz（"Y"） 开关频率

• 低 RDS(ON) DMOS FET

• 高达 1A 的开关电流

• 宽输入电压范围： 2.7V 至 14V

• 低关断电流 (< 1µA)

• 5 引脚 SOT-23 封装

• 使用微型电容器和电感器

• 逐周期电流限制

• 内部补偿

其典型应用电路如下图所示。

关键参数

输入电压范围为2.7V~14.5V

SHDOWN关断引脚电压为0-VINV可以通过外部IO口进行关断

反馈引脚FB典型电压值1.23V

IFB=60nA（注意反馈分压带电阻值，不能太小，太小了容易使得流过反馈引脚电流较大，且功耗较大）

芯片内部结构如下图所示。

LM2733器件是一款开关转换器IC，使用电流模式控制以固定频率（0.6或1.6 MHz）工作，可在较宽的输入电压范围内实现快速瞬态响应，并具有逐脉冲限流保护功能。 因为这是电流模式控制，所以与开关FET串联的50mΩ感测电阻器可用于为脉冲宽度调制（PWM）比较器的输入和电流限制提供电压（与FET电流成比例） 放大器。

   

在每个周期的开始，S-R锁存器导通FET。 随着流经FET的电流增加，电压（与该电流成比例）与来自斜坡发生器的斜坡相加，然后馈入PWM比较器的输入。 当该电压超过另一个输入（来自Gm放大器）的电压时，锁存器复位并关闭FET。 由于来自Gm放大器的信号来自反馈（它对输出电压进行采样），因此PWM比较器的作用会不断设置通过FET的正确峰值电流，以保持输出波动稳定。

   

Q1和Q2以及R3-R6构成一个带隙基准电压，IC使用此基准电压将输出保持在稳定状态。

   

流过Q1和Q2的电流将相等，并且反馈环路将调节稳定的输出以维持这一水平。 因此，调节后的输出始终保持在等于FB节点上的电压乘以输出电阻分压器之比的电压电平。 限流比较器直接馈入触发器，该触发器驱动开关FET。 如果FET电流达到极限阈值，则FET将关闭，并且该周期终止，直到下一个时钟脉冲。 电流限制输入将终止脉冲，而与PWM比较器的输出状态无关。

设计实例

下面给出一个实际应用中5V转10V输出的升压变换器电路，电路图如下图所示。

其中C11为输入滤波电容，建议选择X5R或者X7R材质电容。R4为shdn引脚的限流电阻，如果不适用该功能，则将SHDN经过R4上拉到输入电源，L2为Boost电路输入电感，数值需要根据具体设计工况进行计算，D2为Boost电路续流二极管，R12和R11为反馈分压电阻，C10为反馈环路振荡抑制电阻，C8和C9为输出滤波电阻。

其推荐PCB layout如下图所示（同手册推荐布局类似）

在布局时有以下注意事项

电感L2，二极管D2和电容C12回路要尽可能断，最小化D2和C12串联寄生电感，进而降低噪声和振铃。

反馈回路器件R12、R11和C10尽可能近的放置在U1的FB引脚，减少FB引脚噪声的注入

如果成本允许，建议使用多层板设计，为该电源提供完整的参考平面。