具有任意电容比的共质心电容阵列的自动生成

摘要 2002

许多模拟电路的关键性能与准确的电容比直接相关。 众所周知，通过在公共质心几何结构中并联相同尺寸的单位电容器，可以大大提高电容器比率精度。 在本文中，提出了一种在公共质心单元电容器阵列中拟合任意电容器比率的通用算法。 该算法特别注意非整数和相同的比率，以尽量减少不匹配。 还介绍了一种基于氧化物梯度模型的电容失配估计方法。 它可以比较不同的单元电容器阵列分配。 布局问题的讨论重点是通用路由模型。 该算法和失配估计方法均在自动电容器生成工具中实现。

调研

在 [5] 中已经确定和研究了五个系统不匹配的来源。 在此基础上，制定了通用布局规则列表。 工艺梯度，例如氧化物厚度梯度，会导致系统失配。 梯度的方向是晶片上芯片位置的函数[6]。 通常假设梯度由线性函数表示 [1, 7]。 再次，公共控制电容器布置有助于消除这种错误。
大多数已发表的关于电容失配的著作，虽然非常有限，但仅涉及不同误差源的建模。尽管众所周知，实现具有任意电容比的多个电容器之间的可接受匹配的最佳方法是通过放置在共同质心电容器阵列中的单元电容器来形成更大的电容器 [1]，但是该过程仍然按照逐个案例的方法进行。
在文献中可以找到很少的试验，旨在自动化这个容易出错和费力的过程。 在 [8] 中，单元电容器的分配是在两个基本约束下执行的：每个单元的至少一个邻居是同一电容器的另一个单元，同时每个电容器必须在阵列的任一侧至少有一个单元。 虽然这种方法导致任意比率的紧凑阵列，但完全考虑了公共质心放置。 不是在[9]中，通过特殊的优化算法考虑了共质心布局、对称布线和寄生平衡。 但是，它仅限于设备对。
在本文中，介绍了一种用于任意电容器比率的单位电容器分配的通用算法，重点是非整数和相同比率。 该算法系统化，适合在集成在自动布局工具中的专用电容器阵列器件中实现。 为了量化由于氧化物梯度引起的失配，提出了一种既可以估计由于氧化物梯度引起的失配又可以比较各种阵列单元分配的方法。 最后，给出了与先前发表的结果[8]的比较。

数据集

实验指标

具体方法

图 6 显示了对应于图 4 中给出的电容器阵列的布局。布线通道选择水平或垂直，以最小化布线面积并减少交叉耦合电容。 顶板的布线通道与底板的布线通道分开，以避免改变原始电容器值的附加耦合电容。 虚拟电容器围绕阵列。 互连线在单元电容器的两侧延伸，以减少由于掩模未对准而导致的错误。 添加电容器内部的孔以实现非单位比，同时保持恒定的面积周长比[11]。 路由取决于小区分配。 然而，路由线随着单位电容器的数量而增加，因此增加的电容大致成比例。 应该注意的是，[5] 中给出的规则也得到了尊重。

D. Sayed and M. Dessouky, “Automatic generation of common-centroid capacitor arrays with arbitrary capacitor ratio,” Proceedings 2002 Design, Automation and Test in Europe Conference and Exhibition, 2002, pp. 576-580, doi: 10.1109/DATE.2002.998358.

值得跟进

• 通过放置在共同质心电容器阵列中的单元电容器来形成更大的电容器 [1]
• [8] 中，单元电容器的分配是在两个基本约束下执行的：每个单元的至少一个邻居是同一电容器的另一个单元，
• [9]中，通过特殊的优化算法考虑了共质心布局、对称布线和寄生平衡。 但是，它仅限于设备对【重点】
• [5] 中给出的规则也得到了尊重。