S5PV210 SD卡启动分析

S5PV210 SD卡启动分析：
1.SD卡启动的难点？
CPU不能直接和SD通过总线式访问(IO方式)，而是要通过时序。
2.S5PV210是如何做的？
210首先启动内部的BL0，BL0会根据OMPIN来判断启动设备，如果启动设备是SD卡，则BL0会从SD卡读取前16KB（不一定是16，反正16是工作的）到SRAM中去启动执行（这部分就是BL1，这就是steppingstone技术）
3.SD卡启动流程的问题？
bin文件小于16KB，这个时候相当于整个bin文件都是被当做BL1加载到SRAM中去运行的。
bin文件大于16KB，这个时候整个bin文件就要分散加载，也就是镜像要分成两部分，第一部分大小是16KB，第二部分任意大小，然后第一部分作为BL1启动，负责去初始化DRAM，并将第二部分加载到DRAM中去运行。
4.IROM中如何去读取的SD/NANDFLASH的？
samsung内置了一些代码去初始化外部的SD/NandFlash，并留了各种SD/NandFlash的代码在IROM中，BL0执行的时候就是通过这些device copy function来读取的外部的SD/NandFlash里面的BL1的。
5.扇区和块的概念
早期的块设备就是软盘硬盘这类磁存储设备，这种设备的存储单元不是以字节为单位，而是以扇区为单位。磁存储设备读写的最小单元就是扇区，不能只读取或写部分扇区。这个限制是磁存储设备本身物理方面的原因造成的，也成为了我们编程时必须遵守的规律。
一个扇区有好多个字节（一般是512个字节）。早期的磁盘扇区是512字节，实际上后来的磁盘扇区可以做的比较大（譬如1024字节，譬如2048字节，譬如4096字节），但是因为原来最早是512字节，很多的软件（包括操作系统和文件系统）已经默认了512这个数字，因此后来的硬件虽然物理上可能支持更大的扇区，但是实际上一般还是兼容512字节扇区这种操作方法。
一个扇区可以看成是一个块block（块的概念就是：不是一个字节，是多个字节组成一个共同的操作单元块），所以就把这一类的设备称为块设备。常见的块设备有：磁存储设备硬盘、软盘、DVD和Flash设备（U盘、SSD、SD卡、NandFlash、Norflash、eMMC、iNand）
linux里有个mtd驱动，就是用来管理这类块设备的
磁盘和Flash以块为单位来读写，就决定了我们启动时device copy function只能以整块为单位来读取SD卡
6.做一个分散加载的实验
大于16KB的bin文件使用SD卡启动？
将我们的代码分为2部分：第一部分BL1小于等于16KB，第二部分为任意大小，iROM代码执行完成后从SD卡启动会自动读取BL1到SRAM中执行；BL1执行时负责初始化DDR，然后手动将BL2从SD卡copy到DDR中正确位置，然后BL1远跳转到BL2中执行BL2
细节1：程序怎么安排？程序整个分为2个文件夹BL1和BL2，各自管理各自的项目
细节2：BL1中要完成：关看门狗、设置栈、开iCache、初始化DDR、从SD卡复制BL2到DDR中特定位置，跳转执行BL2
细节3：BL1在SD卡中必须从Block1开始（Block0不能用，这个是三星官方规定的），长度为16KB内，我们就定为16KB（也就是32个block）；BL1理论上可以从33扇区开始，但是实际上为了安全都会留一些空扇区作为隔离，譬如可以从45扇区开始，长度由自己定（实际根据自己的BL2大小来分配长度，我们实验时BL2非常小，因此我们定义BL2长度为16KB，也就是32扇区）。
33是怎么算的？ 16KB = 16000Byte / 512Byte = 31.25 取32，所以BL1大小取32个扇区，所以理论上BL2可以从33扇区开始放。
(5)细节4：DDR初始化好之后，整个DDR都可以使用了，这时在其中选择一段长度足够BL2的DDR空间即可。我们选0x23E00000（因为我们BL1中只初始化了DDR1，地址空间范围是0x20000000～0x2FFFFFFF）。

下面我们看copy和跳转的代码：
函数指针的使用: p(1,2,3,4,5);
typedef unsigned int bool;

// 通道号：0，或者2
// 开始扇区号：45
// 读取扇区个数：32
// 读取后放入内存地址：0x23E00000
// with_init：0
typedef bool(pCopySDMMC2Mem)(int, unsigned int, unsigned short, unsigned int, bool);

typedef void (*pBL2Type)(void);

函数功能：
// 从SD卡第45扇区开始，复制32个扇区内容到DDR的0x23E00000，然后跳转到23E00000去执行

void copy_bl2_2_ddr(void)

{
// 第一步，读取SD卡扇区到DDR中

pCopySDMMC2Mem p1 = (pCopySDMMC2Mem)0xD0037F98);

p1(2, SD_START_BLOCK, SD_BLOCK_CNT, (unsigned int *)DDR_START_ADDR, 0);		// 读取SD卡中的BL2到DDR中
// 第二步，跳转到DDR中的BL2去执行
pBL2Type p2 = (pBL2Type)DDR_START_ADDR;
p2();

}
实际：pCopySDMMC2Mem p1 = (pCopySDMMC2Mem)0xD0037F98);这句是错误的，应该写成：pCopySDMMC2Mem p1 = (pCopySDMMC2Mem)(*(unsigned int )0xD0037F98);
因为：samsung是把pCopySDMMC2Mem这个函数的指针放在0xD0037F98这个位置的，实际上使用的时候就要((unsigned int *)0xD0037F98)先取出里面的数据，里面的数据就是指向pCopySDMMC2Mem这个函数的指针。

代码分成两部分启动的缺陷：
代码分为2部分，这种技术叫分散加载。这种分散加载的方法可以解决问题，但是比较麻烦。代码完全分2部分，完全独立，代码编写和组织上麻烦，第二，无法让工程项目兼容SD卡启动和NorFlash启动等各种启动方式。SD卡启动程序是两部分的，而NorFlash启动程序是一个整体的，
uboot中的做法：
第二种思路：程序代码仍然包括BL1和BL2两部分，但是组织形式上不分为2部分而是作为一个整体来组织。它的实现方式是：iROM启动然后从SD卡的扇区1开始读取16KB的BL1然后去执行BL1，BL1负责初始化DDR，然后从SD卡中读取整个程序（BL1+BL2）到DDR中，然后从DDR中执行（利用ldr pc, =main这种方式以远跳转从SRAM中运行的BL1跳转到DDR中运行的BL2）。
总结：
实际uboot从SD卡启动时是这样的：iROM先执行，根据OMpin判断出启动设备是SD卡，然后从SD卡的block1开始读取16KB（8KB）到SRAM中执行BL1，BL1执行时负责初始化DDR，并且从SD卡的49扇区开始复制整个uboot到DDR中指定位置（0x23E00000）去备用；然后BL1继续执行直到ldr pc, =main时BL1跳转到DDR上的BL2中接着执行uboot的第二阶段
总结：uboot中的这种启动方式比上节讲的分散加载的好处在于：能够兼容各种启动方式。