蓝桥杯单片机组客观题准备-模电部分

蓝桥杯单片机组客观题准备-模电部分

回到目录

书中自己复习的知识点

题库出现的所有知识点

• 分析运算放大器的依据是虚断（UP=UN）、虚短（IN=IP=0）
• PN具有电容效应，其中耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容，电荷的积累和释放过程产生的电容效应称为扩散电容.
• 测量金属内部裂纹，可考虑采用涡流式传感器
• 运载电荷的粒子称为__载流子__,其中带有正电荷的可移动的载流子称为 空穴 .
• 当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，这种现象称为__零点漂移__.
• NAND FLASH存储器和NOR FLASH存储器的区别是NAND FLASH擦除单元较小。
• 某传感器输出电压信号（几乎不能够提供电流），经过放大后希望输出电压与信号成正比，此时应该选择电压串联负反馈放大电路
• 关于多级放大电路级间耦合方式：阻容耦合的各级静态工作点彼此独立、阻容耦合能够有效的传递交流信号、阻容耦合低频特性较差、变压器耦合能够实现阻抗变换.
• 为了使高阻信号源与低阻负载进行配合，在设计电路过程中往往需要进行阻抗匹配，共集电路适合接入高阻信号源与低阻负载之间。
• PN节电流i和电压u的关系曲线称为PN节的伏安特性曲线，其中u>0的部分称为正向特性曲线，u<0的称为反向特性曲线.
• 欲提高电压比较器的抗干扰能力，应选择滞回比较器
• 将正负交替的交流电压变成单方向的脉冲电压使用整流电路
• 关于晶体管的的说法，发射区与基区接触面积较小；集电区与基区接触面积较大、发射区参杂浓度很高
• 保持负载电压稳定的电路称为稳压电路
• P型半导体和N型半导体制作在一块硅片上，接触面形成PN结，其电位差和材料有关，0.6~0.8V的是 硅 材料，0.2~0.3V的是锗材料.
• 直流电源的滤波电路宜选用低通滤波器
• 两个电压放大倍数相同（电路相同，且采用同一种晶体管）的电路A和B，对同一个信号源的电压进行放大，在负载开路的条件下，测得A电路的输出电压较小，不考虑仪表的测量误差，这说明A电路输入电阻小
• 关于正弦波振荡器的组成,振荡器中的放大电路能够建立和维持振荡、振荡器中反馈网络是正反馈网络、振荡器中的选频网络对某一频率进行选择、振荡器中的稳幅环节能够使波形稳定
• 集成运放电路的偏置电路多使用电流源电路，为各级提供合适的静态电流
• 振荡频率高且稳定的振荡电路为石英晶体震荡电路
• 当电路中有用信号为某一固定频率，宜选用带通放大电路
• 以下关于差分信号的说法中正确的是：差分信号在PCB布线处理中，一般要求等间距、等长处理、数据接收端通过比较驱动端发送的两个电压信号差值来判断逻辑状态
• 对于直接耦合的多级放大电路：低频特性较好、方便集成
• 关于反馈放大电路,反馈的范围包括本级或级间反馈、交流、直流通路中都存在反馈.
• 关于正弦波振荡器，RC振荡器振荡频率较低，通常在1M以下，LC振荡器振荡频率较高，通常在1M以上
• 负反馈放大电路,能够提高放大倍数的稳定性、能够扩展放大电路的频带、能够减小非线性失真、能够抑制干扰和噪声
• 杂质半导体导电能力受到温度的影响，其中主要影响的是少子的浓度
• 纯净的具有单晶体结构的半导体称为本征半导体
• 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大
• 关于理想集成运放的说法，开环电压放大倍数趋向无穷大，差模输入电阻趋向无穷大，共模抑制比趋向无穷大
• 集成运放电路的输入级通常使用差分放大电路，中间级通常使用共射放大电路来提高放大倍数，输出级通常使用互补对称电路来提高带负载能力.
• 反馈放大电路，反馈量取样于输出电压的称为电压反馈，具有稳定输出电压的作用，反馈量取样于输出电流的称为电流反馈，具有稳定输出电流的作用，输出短路时电压反馈消失。
• 本征半导体参杂后称为杂质半导体，其中参杂三价元素的是N型半导体，参杂五价元素的是P型半导体。
• RLC串联电路的谐振频率为F0 = 1000Hz,当频率为800Hz的正弦电压源激励时该电路呈容性。
• 单个运算放大器和若干个电阻无法构成乘法器和振荡器

计算题

存疑题目

回到目录