NANDFLASH与PSRAM

NANDFLASH与RAM，NORFLASH一些概念

小白第一次发博文，望大佬指正！

符号与缩略语与基本原理解释

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DDR ： DDR就是DDR SDRAM，就是双倍速的SDRAM,之所以是双倍速，是因为在系统时钟的上升沿与下降沿都可以传输数据

UFS ： 手机上，从SD卡，到eMMC卡，再到UFS卡，存储卡的速度也是越来越快。现在一般手机配的是eMMC，旗舰高端手机配的是UFS。(ufs与eMMC差别主要在于内部主控器与接口标准和协议不同)

SLC ：NAND Flash根据存储原理分为三种，SLC、MLC、TLC。一个存储器单元可存储1bit数据，只存在0和1两个充电值

MLC： 2 bit per cell

TLC： 3 bit per cell

MCP： 将两种以上的记忆晶片堆叠在一块，外部通过BGA封装好，例如NANDFLASH加上DRAM. 可简化PCB板结构与系统设计。

eMMC： 以MCP的方式将NANDFLASH和控制器整合在一块，外部用BGA封装

eMCP： 同传统MCP相比，多了 控制晶片

首先要弄明白一个问题，为什么闪存具有记忆的能力呢？可以看一下存储单元的内部结构。