【模集学习笔记】2.电流源负载共源极放大器

最新推荐文章于 2024-12-07 12:45:26 发布

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文章标签：学习笔记

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前言

本文用来记录本人自学的一些经历和感悟。后续有新的理解也会进行修改。
大部分内容来自于《深入浅出学习CMOS模拟集成电路》——邹志革；机械工业出版社。

一、基本电路结构与分析

为什么要引入电流源负载————因为电阻负载有着比较多的不可靠性。在高温、高频、等情况下容易产生各种问题，从而影响整体电路。
采用电流源作为负载，有助于提升电路整体稳定性。（鲁棒哈哈哈哈哈）

1.电路结构

由电阻负载到电流源负载的变化

用工作在饱和区的MOS管来替代电阻，作为共源放大其的负载。如图中，M2作为负载MOS（P型）。理论上需要将它工作在饱和区。

工作状态	NMOS	PMOS
截止区	$V_{gs}<V_{th}$	$V_{gs} \vert$ < $V_{th} \vert$
线性区	$V_{gs}>V_{th}$ 且 $V_{ds}<V_{gs}-V_{th}$	$\vert V_{gs}\vert>\vert V_{th}\vert$ 且 $\vert V_{ds}\vert<\vert V_{gs}\vert-\vert V_{th}\vert$
饱和区	$V_{gs}>V_{th}$ 且 $V_{ds} \geq V_{gs} - V_{th}$	$\vert V_{gs}\vert >\vert V_{th}\vert$ 且 $\vert V_{ds}\vert \geq \vert V_{gs}\vert -\vert V_{th}\vert$

因此，为了保证M1工作在饱和区，需要有 $V_{out} \geqslant V_{in}-V_{th}$ ————这是一个一次函数。有关于 $V_{out}$ 与 $V_{in}$ 的。

为了保证M2工作在饱和区，需要 $\vert V_{ds}\vert \geq \vert V_{gs}\vert -\vert V_{th}\vert$ （抄上面的条件。因为P管驱动电压等均较N管相反。故调换字母后去掉绝对值。）
即 $V_{sd2}<V_{sg2}-V_{thp}$
同时因为 $V_{sd2}=V_{DD}-V_{out}$ ; $V_{sg2}=V_{DD}-V_{g2}$
OK代入进去，
得到 $V_{out} \leq V_{g2}+V_{thp}$ （ $V_{thp}$ 为固定值， $V_{g2}$ 在电路完成设计后也为一固定值,因此该值为一个定值）
两个 $V_{out}$ 的限制条件一卡，在图像上显示为已一区域，如下图所示
图来自于《深入浅出学习CMOS模拟集成电路图2.11》

二、仿真波形

1.基本仿真结果

根据书中给出电路进行DC仿真，横坐标为Vin输入电压，纵坐标为Vout
书中所示基本电路
仿真结果
在这里插入图片描述

2.更改M1宽长比

在这里插入图片描述
宽长比的增加，会使得输电压越来越“陡”，使得M1更容易进入饱和区
在图中标点，可以看到在W/L1：2的情况下，饱和区Vg范围为1.56~1.67，动态电压范围为0.1V左右
而在W/L：1：7的情况下，Vg范围为1.14~1.19，动态电压范围仅为0.05V。两者的控制输出电压近似，说明当M2宽长比增加的时候，该放大电路的增益增加。