【模集学习笔记】2.电流源负载共源极放大器

前言

本文用来记录本人自学的一些经历和感悟。后续有新的理解也会进行修改。
大部分内容来自于《深入浅出学习CMOS模拟集成电路》——邹志革;机械工业出版社。

一、基本电路结构与分析

为什么要引入电流源负载————因为电阻负载有着比较多的不可靠性。在高温、高频、等情况下容易产生各种问题,从而影响整体电路。
采用电流源作为负载,有助于提升电路整体稳定性。(鲁棒哈哈哈哈哈)

1.电路结构

由电阻负载到电流源负载的变化

用工作在饱和区的MOS管来替代电阻,作为共源放大其的负载。如图中,M2作为负载MOS(P型)。理论上需要将它工作在饱和区。

工作状态NMOSPMOS
截止区 V g s < V t h V_{gs}<V_{th} Vgs<Vth ∣ V g s ∣ \vert V_{gs} \vert Vgs< ∣ V t h ∣ \vert V_{th} \vert Vth
线性区 V g s > V t h V_{gs}>V_{th} Vgs>Vth V d s < V g s − V t h V_{ds}<V_{gs}-V_{th} Vds<VgsVth ∣ V g s ∣ > ∣ V t h ∣ \vert V_{gs}\vert>\vert V_{th}\vert Vgs>Vth ∣ V d s ∣ < ∣ V g s ∣ − ∣ V t h ∣ \vert V_{ds}\vert<\vert V_{gs}\vert-\vert V_{th}\vert Vds<VgsVth
饱和区 V g s > V t h V_{gs}>V_{th} Vgs>Vth V d s ≥ V g s − V t h V_{ds} \geq V_{gs} - V_{th} VdsVgsVth ∣ V g s ∣ > ∣ V t h ∣ \vert V_{gs}\vert >\vert V_{th}\vert Vgs>Vth ∣ V d s ∣ ≥ ∣ V g s ∣ − ∣ V t h ∣ \vert V_{ds}\vert \geq \vert V_{gs}\vert -\vert V_{th}\vert VdsVgsVth

因此,为了保证M1工作在饱和区,需要有 V o u t ⩾ V i n − V t h V_{out} \geqslant V_{in}-V_{th} VoutVinVth ————这是一个一次函数。有关于 V o u t V_{out} Vout V i n V_{in} Vin的。

为了保证M2工作在饱和区,需要 ∣ V d s ∣ ≥ ∣ V g s ∣ − ∣ V t h ∣ \vert V_{ds}\vert \geq \vert V_{gs}\vert -\vert V_{th}\vert VdsVgsVth(抄上面的条件。因为P管驱动电压等均较N管相反。故调换字母后去掉绝对值。)
V s d 2 < V s g 2 − V t h p V_{sd2}<V_{sg2}-V_{thp} Vsd2<Vsg2Vthp
同时因为 V s d 2 = V D D − V o u t V_{sd2}=V_{DD}-V_{out} Vsd2=VDDVout; V s g 2 = V D D − V g 2 V_{sg2}=V_{DD}-V_{g2} Vsg2=VDDVg2
OK代入进去,
得到 V o u t ≤ V g 2 + V t h p V_{out} \leq V_{g2}+V_{thp} VoutVg2+Vthp V t h p V_{thp} Vthp为固定值, V g 2 V_{g2} Vg2在电路完成设计后也为一固定值,因此该值为一个定值)
两个 V o u t V_{out} Vout的限制条件一卡,在图像上显示为已一区域,如下图所示
图来自于《深入浅出学习CMOS模拟集成电路图2.11》

二、仿真波形

1.基本仿真结果

根据书中给出电路进行DC仿真,横坐标为Vin输入电压,纵坐标为Vout
书中所示基本电路
仿真结果
在这里插入图片描述

2.更改M1宽长比

在这里插入图片描述
宽长比的增加,会使得输电压越来越“陡”,使得M1更容易进入饱和区
在图中标点,可以看到在W/L1:2的情况下,饱和区Vg范围为1.56~1.67,动态电压范围为0.1V左右
而在W/L:1:7的情况下,Vg范围为1.14~1.19,动态电压范围仅为0.05V。两者的控制输出电压近似,说明当M2宽长比增加的时候,该放大电路的增益增加。

2.更改M2宽长比

将M2的W为变量,自5~20分为4步进行仿真,得到图像图下所示。
在这里插入图片描述
与M1相反,M2宽长比增加时,增益会减少.所以理想状态下希望M2的宽长比偏大。而M1偏小。
但整体放大的工作电压区间太小了。后续可能会有其他部分进行改善。

本章的几个仿真图象,如果对比上一章的来看,可以明显看出增益有了提高——消耗更小的电压余度,可以得到比较可观的电压增益

作为新人从零开始学模拟集成,我特地避开了我一直不是很明白的小信号等效电路部分,想着后面开窍了再回头补这部分内容。现在总是分析的云里雾里的。
作为博客编辑,公式花了好长时间,尤其是表格、绝对值之类的。

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