前言
本文用来记录本人自学的一些经历和感悟。后续有新的理解也会进行修改。
大部分内容来自于《深入浅出学习CMOS模拟集成电路》——邹志革;机械工业出版社。
一、基本电路结构与分析
为什么要引入电流源负载————因为电阻负载有着比较多的不可靠性。在高温、高频、等情况下容易产生各种问题,从而影响整体电路。
采用电流源作为负载,有助于提升电路整体稳定性。(鲁棒哈哈哈哈哈)
1.电路结构
用工作在饱和区的MOS管来替代电阻,作为共源放大其的负载。如图中,M2作为负载MOS(P型)。理论上需要将它工作在饱和区。
工作状态 | NMOS | PMOS |
---|---|---|
截止区 | V g s < V t h V_{gs}<V_{th} Vgs<Vth | ∣ V g s ∣ \vert V_{gs} \vert ∣Vgs∣< ∣ V t h ∣ \vert V_{th} \vert ∣Vth∣ |
线性区 | V g s > V t h V_{gs}>V_{th} Vgs>Vth 且 V d s < V g s − V t h V_{ds}<V_{gs}-V_{th} Vds<Vgs−Vth | ∣ V g s ∣ > ∣ V t h ∣ \vert V_{gs}\vert>\vert V_{th}\vert ∣Vgs∣>∣Vth∣ 且 ∣ V d s ∣ < ∣ V g s ∣ − ∣ V t h ∣ \vert V_{ds}\vert<\vert V_{gs}\vert-\vert V_{th}\vert ∣Vds∣<∣Vgs∣−∣Vth∣ |
饱和区 | V g s > V t h V_{gs}>V_{th} Vgs>Vth 且 V d s ≥ V g s − V t h V_{ds} \geq V_{gs} - V_{th} Vds≥Vgs−Vth | ∣ V g s ∣ > ∣ V t h ∣ \vert V_{gs}\vert >\vert V_{th}\vert ∣Vgs∣>∣Vth∣ 且 ∣ V d s ∣ ≥ ∣ V g s ∣ − ∣ V t h ∣ \vert V_{ds}\vert \geq \vert V_{gs}\vert -\vert V_{th}\vert ∣Vds∣≥∣Vgs∣−∣Vth∣ |
因此,为了保证M1工作在饱和区,需要有 V o u t ⩾ V i n − V t h V_{out} \geqslant V_{in}-V_{th} Vout⩾Vin−Vth ————这是一个一次函数。有关于 V o u t V_{out} Vout与 V i n V_{in} Vin的。
为了保证M2工作在饱和区,需要
∣
V
d
s
∣
≥
∣
V
g
s
∣
−
∣
V
t
h
∣
\vert V_{ds}\vert \geq \vert V_{gs}\vert -\vert V_{th}\vert
∣Vds∣≥∣Vgs∣−∣Vth∣(抄上面的条件。因为P管驱动电压等均较N管相反。故调换字母后去掉绝对值。)
即
V
s
d
2
<
V
s
g
2
−
V
t
h
p
V_{sd2}<V_{sg2}-V_{thp}
Vsd2<Vsg2−Vthp
同时因为
V
s
d
2
=
V
D
D
−
V
o
u
t
V_{sd2}=V_{DD}-V_{out}
Vsd2=VDD−Vout;
V
s
g
2
=
V
D
D
−
V
g
2
V_{sg2}=V_{DD}-V_{g2}
Vsg2=VDD−Vg2
OK代入进去,
得到
V
o
u
t
≤
V
g
2
+
V
t
h
p
V_{out} \leq V_{g2}+V_{thp}
Vout≤Vg2+Vthp (
V
t
h
p
V_{thp}
Vthp为固定值,
V
g
2
V_{g2}
Vg2在电路完成设计后也为一固定值,因此该值为一个定值)
两个
V
o
u
t
V_{out}
Vout的限制条件一卡,在图像上显示为已一区域,如下图所示
二、仿真波形
1.基本仿真结果
根据书中给出电路进行DC仿真,横坐标为Vin输入电压,纵坐标为Vout
仿真结果
2.更改M1宽长比
宽长比的增加,会使得输电压越来越“陡”,使得M1更容易进入饱和区
在图中标点,可以看到在W/L1:2的情况下,饱和区Vg范围为1.56~1.67,动态电压范围为0.1V左右
而在W/L:1:7的情况下,Vg范围为1.14~1.19,动态电压范围仅为0.05V。两者的控制输出电压近似,说明当M2宽长比增加的时候,该放大电路的增益增加。
2.更改M2宽长比
将M2的W为变量,自5~20分为4步进行仿真,得到图像图下所示。
与M1相反,M2宽长比增加时,增益会减少.所以理想状态下希望M2的宽长比偏大。而M1偏小。
但整体放大的工作电压区间太小了。后续可能会有其他部分进行改善。
本章的几个仿真图象,如果对比上一章的来看,可以明显看出增益有了提高——消耗更小的电压余度,可以得到比较可观的电压增益
附
作为新人从零开始学模拟集成,我特地避开了我一直不是很明白的小信号等效电路部分,想着后面开窍了再回头补这部分内容。现在总是分析的云里雾里的。
作为博客编辑,公式花了好长时间,尤其是表格、绝对值之类的。