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1.基本原理
基本电路结构如下图所示。
交流小信号模型如下图所示
输出电阻是
R o u t = r O 1 / / r O 2 R_{out}=r_{O1}//r_{O2} Rout=rO1//rO2
增益为
A V = − g m 1 ( r O 1 / / R O 2 ) ≈ − g m r O 1 = − 2 μ n C O X I D ( W L ) 1 λ 1 I D A_{V}=-g_m1(r_{O1}//R_{O2})\approx-g_mr_{O1}=-\sqrt{2\mu_nC_{OX}I_D(\frac{W}{L})}\frac{1}{\lambda_1I_D} AV=−gm1(rO1//RO2)≈−gmrO1=−2μnCOXID(LW)λ1ID1
输出摆幅
V i n − V t n ≤ V o u t ≤ V b + ∣ V t p ∣ V_{in}-V_{tn}\leq V_{out} \leq V_b+|V_{tp}| Vin−Vtn≤Vout≤Vb+∣Vtp∣
2. 仿真验证
绘制原理图并填加电源,如下图所示
其中NMOS的栅极为输入,输入电压设为变量vgs,PMOS是电流源,栅极电压设为vb。
设置ADE仿真环境,如下图所示,(具体设置过程见我学习笔记二 )
先进行直流分析找静态工作点
放大倍数约34。静态工作电压约为915mV,输入摆幅约60mV。
依此设置vsin的各参数,
由于放大倍数较大,输入摆幅设置的小一点。
进行瞬态仿真,查看是否有失真现象
电路正常放大,无失真
进行交流小信号分析,
增益约为40dB。
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