模拟CMOS集成电路设计入门学习（3）

❀爱理的哲也❀

已于 2022-12-18 16:42:59 修改

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文章标签：学习硬件工程

于 2022-12-16 19:21:53 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_61052827/article/details/128346068

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共源极

（1）采用电阻负载的共源极

电路的大信号和小信号的特性我们都需要研究。{电路的输入阻抗在低频时非常高}

① $V_{in}$ 从0开始增大， $M_{1}$ 截止， $V_{out}=V_{DD}$ ；

② $V_{in}$ 接近 $V_{TH}$ 时， $M_{1}$ 开始导通，电流流经 $R_{D}$ 使 $V_{out}$ 减小；

③进一步增大 $V_{in}$ ， $u_{GD}$ 也变大但还小于 $U_{GS(th)}$ 时，NMOS管仍处于饱和区，直到 $V_{in}=V_{out}+V_{TH}$ 即 $u_{GD}$ = $U_{GS(th)}$ 时（预夹断）；

④ $V_{in}> V_{out}+V_{TH}$ 后， $M_{1}$ 工作在线性区（三级管区），如果 $V_{in}$ 足够高 $M_{1}$ 还可以进入深线性区（深三极管区）

$V_{out}=V_{DD}\frac{R_{on}}{R_{on}+R_{D}}=\frac{V_{DD}}{1+u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}R_{D}(V_{in}-V_{TH})}$

小信号工作： $A_{v}=-g_{m}R_{D}$

大信号工作：电路的增益随信号的摆幅变化较大{增益对于信号电平的依赖关系导致了非线性}

（2）采用二极管连接的负载的共源极

如果把晶体管的栅极和漏极短接，该MOS器件可以起到小信号电阻的作用。{因为漏极和栅极电势相同，该晶体管总是工作在饱和区}

考虑体效应后：

因为 $(g_{m}+g_{mb})V_{X}+\frac{V_{X}}{r_{o}}=I_{X}$

可得： $\frac{V_{X}}{I_{X}}=\frac{1}{g_{m}+g_{mb}+r_{o}^{-1}}=\frac{1}{g_{m}+g_{mb}}\left | \right |r_{o}\approx \frac{1}{g_{m}+g_{mb}}$

可见考虑体效应后在 $M_{1}$ 源级看到的阻抗更小了。

（3）采用电流源负载的共源极

应用中有时要求单级有很大的电压增益，但是对于电阻或者二极管连接的负载而言，增大阻值会限制输出电压的摆幅。

一个切实可行的方法是利用电流源代替负载。

（4）工作在线性区的MOS为负载的共源极

这种电路使 $M_{2}$ 的栅压偏置在足够低的电平，保证 $M_{2}$ 在全部输出电压摆幅范围内工作在深线性区。因为 $R_{on2}=\frac{1}{u_{p}C_{ox}(\frac{W}{L})(V_{DD}-V_{b}-\left | V_{THP} \right |)}$

所以电压增益可以很方便地计算出来；

但是，由于 $R_{on2}$ 对 $u_{p}C_{ox}$ ， $V_{b}$ 和 $V_{THP}$ 的依赖，因为 $u_{p}C_{ox}$ ， $V_{b}$ 和 $V_{THP}$ 随工艺和温度的改变而改变，而且产生一个精确的 $V_{b}$ 会增加电路的复杂性，所以该电路难以应用。